功率MOSFET概述：
TI基于穩壓IC的電源管理創新NexFET?技術，與穩壓IC完美結合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業標準封裝外形，這是以前現有硅平臺無法實現的組合。
NexFET技術為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設計師能夠實現90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設計的突破。
功率MOSFET，穩壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關節點振鈴的增加，大輸入功率環路在高頻段會導致更高的發射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結果表明，在**嚴格的電視頻段（200至230 MHz）內，發射降低了9 dB，這有助于系統保持在行業標準設定的EMI限值下，而無需在電路板上安裝其他組件。
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5.線性調節器（LDO）-穩壓IC概述和選擇指南-
穩壓IC概述穩壓IC低壓差線性穩壓器（LDO）是一種簡單、有效的調節由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產品組合，其特點是小尺寸封裝、低靜態電流（低IQ）以擴展電池壽命長，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態響應速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環境。
穩壓IC減少解決方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，當今電子設計的復雜性和密度相當于有限的PCB空間。為了應對電子設備越來越小的趨勢，穩壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規模。
為減少電源中的電磁干擾而進行的省時、經濟高效的創新-IT穩壓IC關鍵技術
隨著電子系統變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統設計考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開關電流和電壓產生的不良副產品，它來自各種物理現象，并在嚴格的電磁干擾測試中表現出來。
2、減少電磁干擾的常規方法
減少電磁干擾是一項充滿權衡的努力。減少電磁干擾的傳統方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關轉換率，這是一種直接影響效率的技術。
3、減少電磁干擾的創新
為了實現開關電源的所有優點，降低EMI技術必須解決傳統的權衡問題。這需要針對低頻和高頻EMI的創造性解決方案，以及精確的建模技術。
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什么是穩壓IC的EMI？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統中，用作電磁源的組件設計用于減少其干擾，易受干擾的組件設計用于降低其敏感性。當終端設備制造商集成來自不同供應商的組件時，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規則，其中干擾限制在一定水平，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規則是在行業標準規范中制定的，如國際擾動無線電委員會（CISPR）25用于汽車行業，CISPR32用于多媒體設備。CISPR標準對于EMI設計至關重要，因為它們將規定任何EMI緩解技術的目標性能。本文的重點是減少干擾，因為開關電源通常是電磁干擾源。有關EMI標準的***列表，請參閱白皮書“電源傳導EMI規范概述”和“電源輻射EMI規范概述”
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穩壓IC專題
由于DC/DC轉換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉換率還會導致高頻開關節點振鈴，從而進一步增加振鈴頻率及以上的發射。
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下頁的圖7顯示了切換節點上的轉換速率和相關振鈴如何影響排放。限制開關轉換引起的EMI發射的傳統方法是通過在開關設備的柵極驅動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉換速度變慢，導致更快的發射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發射。然而，這種開關邊緣的減速會導致開關轉換器的峰值電流效率降低2%-3%。
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