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TPS51120RHBT穩壓IC

來源： 發布時間：2023-05-20

高壓電源-穩壓IC：

交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅動器TI的100多個門驅動器產品組合提供了業界**快的開關電源，同時滿足了各種規格。優點包括在高開關頻率下具有快速開啟/關閉時間的穩健設計，可減少功率損耗并實現更好的系統性能。TI的門驅動器系列包括低壓側驅動器、半橋驅動器和隔離驅動器。

UCC2751x和UCC2752x

?選定產品的版本

?AEC-Q100適用于部分產品

?非對稱驅動和分離輸出選項可在選定的單通道驅動器上使用

?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開關更高的VDD兼容性

?兩個系列都具有TTL和CMOS輸入閾值

UCC27531，UCC27531-Q1

?可采用D和DBV包裝

?FET和IGBT單柵驅動器

?2.5A和5A，35V比較大VDD 電源穩壓IC，就選特克集團，專業專注!期待您的光臨！TPS51120RHBT穩壓IC

穩壓IC-電源發展趨勢

功率密度功率更大，布板空間更小。

TI的高功率密度器件產品系列的設計亮點在于采用了SWIFT?降壓穩壓器系列，在緊湊的熱增強型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關穩壓器是為FPGA和處理器等高電流數字負載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具，查找可優化FPGA或處理器的合適產品。低EMI降低開關穩壓器的EMI可能是許多電源設計人員面臨的一項主要挑戰。采用內置EMI消減技術的器件不僅能縮短設計時間，還有助于符合CISPR255類等嚴苛標準。


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取消繞組-TI穩壓IC技術專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應晶體管參考設計采用了隔離轉換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內部變壓器結構在內部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內半初級到次級接口，并有助于產生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發射，明顯幫助設計滿足EMI頻譜標準，且CM濾波很好小。

圖8說明了時域和頻域中的這些參數。-穩壓IC技術專題
在CISPR 25等標準中，通常會將fm設置在9 kHz左右，以優化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內。為了解決這一問題，您可以進一步以偽隨機方式調制三角調制，以傳播可聽能量，而不會對傳導和輻射EMI性能產生重大影響。下頁的圖9說明了時域和頻域中的這種調制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉換器）上的一個功能。
EMI不僅限于單個頻帶（因此也限于單個RBW），而是多個頻帶的事實帶來了困境，因為擴頻通常只能針對單個頻帶的改進。解決這個問題的一種新方法是一種稱為雙隨機擴頻（DRSS）的數字擴頻技術。DRS背后的基本原理是疊加兩個調制剖面，每個調制剖面針對不同的RBW。有關更多信息，請參閱應用報告“EMI抑制技術，雙隨機擴頻”
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TI穩壓IC-減少高頻發射的創新
到目前為止，我們描述的EMI緩解技術通常會減少低頻發射（<30 MHz），相應減少所需的無源濾波量以及相關的尺寸、體積和成本效益。現在，讓我們看看設計用于緩解高頻發射（>30 MHz）的技術。
火棒? 包裹
減少高頻發射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉換器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片（熱棒）封裝，有助于降低功率回路電感，進而減少開關節點振鈴。
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穩壓IC-帶導線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，適用于需要高達42V輸入電壓的應用。

?單個外露底部?

支持5-V、12-V和24-V導軌

?輸出電流高達10A

?輸出電流高達10A

穩壓IC-微型IP?模塊解決方案總占地面積**小。

?帶集成蓋和電感器：如TPS826x系列（6MHz）和TPS82740

?*帶集成電感器：如TPS82084/85（6-V輸入）和TPS82130/40/50（17-V輸入）

?**功耗，如TPS82740，只有360nAIQ（運行）

?LMZM23601比較高36-V輸入

TI的電源模塊包括實現DC/DC電源解決方案，可簡化設計、減少解決方案大小并縮短開發時間。產品的電壓高達60V，電流高達50A。

有關更多信息，請訪問Tech-trek官網 TPS51120RHBT穩壓IC

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