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UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時間：2023-05-17
DC/DC控制器-穩(wěn)壓IC-輸出電流由外部MOSFET設(shè)置，這使設(shè)計者能夠優(yōu)化效率和性能。堅強的TI控制器中的MOSFET驅(qū)動器可以驅(qū)動更多的外部MOSFET。電荷泵-TI的低壓電荷泵系列--穩(wěn)壓IC提供了一種低噪聲解決方案，無需電感器即可提高電壓。電荷泵達(dá)到90%的峰值效率，對于300mA以下的輸出電流非常有用。訪問TECH-TREK官網(wǎng)通過簡單的提供系統(tǒng)的電壓和輸出電流。

采用TI***的電源模塊產(chǎn)品組合進行設(shè)計，可實現(xiàn)寬輸入電壓和輸出電流范圍、靈活的封裝選項和易于使用的集成解決方案，適用于各種非隔離、工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用。 特克集團，專業(yè)經(jīng)營電源穩(wěn)壓IC，專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！歡迎新老客戶來旬！UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC

升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC

集成功率MOSFET開關(guān)?？蓪崿F(xiàn)的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負(fù)電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。 UCC3805DTRG4穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克就夠了，原廠現(xiàn)貨！期待您的光臨！

德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運行的buck變換器的EMI測量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進一步好處。

穩(wěn)壓IC的EMI，除了了解特定應(yīng)用的適當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)外，了解如何測量EMI也很重要，因為這些知識將使您深入了解如何減少EMI。EMI測量通常分為傳導(dǎo)和輻射，這揭示了測量方法和EMI的產(chǎn)生方式。雖然傳導(dǎo)發(fā)射通常與較低頻率（<30 MHz）相關(guān)，而輻射發(fā)射通常與較高頻率（>30 MHz）相關(guān)，但兩者之間的區(qū)別并不那么簡單，因為傳導(dǎo)和輻射頻率范圍確實重疊。
傳導(dǎo)發(fā)射測量旨在量化設(shè)備產(chǎn)生并返回其電源的EMI。重要的是：減少許多應(yīng)用中的這些排放，因為其他敏感電路通常連接到相同的電源線。在處理現(xiàn)代汽車中數(shù)量不斷增加的長線束時，降低傳導(dǎo)電磁干擾尤為重要。
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降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
當(dāng)系統(tǒng)共享公共物理觸點時，開關(guān)電源中不連續(xù)電流產(chǎn)生的輸入電壓紋波可傳導(dǎo)至其他系統(tǒng)。如果沒有適當(dāng)?shù)木徑獯胧^大的輸入或輸出電壓紋波可能會危及電源、負(fù)載或相鄰系統(tǒng)的運行。
傳統(tǒng)上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規(guī)范所需的衰減。
取舍是根據(jù)所需衰減對系統(tǒng)的尺寸和成本進行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設(shè)計的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。

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功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 UC2827DWTR-1穩(wěn)壓IC

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