所以發光的強度也不同。通常，高亮度單色發光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，超高亮度單色發光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單色發光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。發光二極管變色發光二極管變色發光二極管是能變換發光顏色的發光二極管。變色發光二極管發光顏色種類可分為雙色發光二極管、三色發光二極管和多色（有紅、藍、綠、白四種顏色）發光二極管。變色發光二極管按引腳數量可分為二端變色發光二極管、三端變色發光二極管、四端變色發光二極管和六端變色發光二極管。發光二極管閃爍發光二極管閃爍發光二極管（BTS）是一種由CMOS集成電路和發光二極管組成的特殊發光器件，可用于報警指示及欠壓、超壓指示。閃爍發光二極管在使用時，無須外接其它元件，只要在其引腳兩端加上適當的直流工作電壓（5V）即可閃爍發光。發光二極管紅外發光二極管紅外發光二極管也稱紅外線發射二極管，它是可以將電能直接轉換成紅外光（不可見光）并能輻射出去的發光器件，主要應用于各種光控及遙控發射電路中。紅外發光二極管的結構、原理與普通發光二極管相近，只是使用的半導體材料不同。紅外發光二極管通常使用砷化鎵（GaAs）、砷鋁化鎵。派大芯專業芯片加工ic拆板、除錫、清洗、整腳、電鍍、編帶一站式自動。佛山全自動IC芯片刻字編帶

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    發光二極管燈飾由于發光二極管亮度的提高和價格的下降，再加上長壽命、節電，驅動和控制較霓虹燈簡易，不能閃爍，還能變色，所以用超高亮度LED做成的單色、多色乃至變色的發光柱配以其他形狀的各色發光單元，裝飾高建筑物、橋梁、街道及廣場等景觀工程效果很好，呈現一派色彩繽紛、星光閃爍及流光異彩的景象。已有不少單位生產LED光柱達萬米以上，彩燈幾萬個，目前正逐步推廣，估計會逐步擴單獨形成一種產業。[6]發光二極管照明光源作為照明光源的LED光源應是白光，目前作為的白光LED照明燈具，已有一些品種投入批量生產。由于LED光源無紅外輻射，便于隱蔽，再加上它還具有耐振動、適合于蓄電池供電、結構固體化及攜帶方便等優點，將在特殊照明光源方面會有較發展。作為民間使用的草坪燈、埋地燈已有規模生產，也有用作顯微鏡視場照明、手電、外科醫生的頭燈、博物館或畫展的照明以及閱讀臺燈。[6]發光二極管溫室補光光是植物生長和發育重要的環境因素之一，對植物的生長發育、形態建成、光合作用、物質代謝及基因表達均有調控作用，因此溫室補光是實現植物高產的重要途徑。近年來，發光二極管在植物工廠中的應用越來越。IC芯片刻字技術可以實現電子設備的智能識別和自動配置。

    微流控芯片技術(Microfluidics)是把生物、化學、醫學分析過程的樣品制備、反應、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。由于它在生物、化學、醫學等領域的巨大潛力，已經發展成為一個生物、化學、醫學、流體、電子、材料、機械等學科交叉的嶄新研究領域。微流控芯片分類包括：白金電阻芯片,壓力傳感芯片,電化學傳感芯片,微/納米反應器芯片,微流體燃料電池芯片,微/納米流體過濾芯片等。①微流控芯片（microfluidicchip）是當前微全分析系統（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發展的熱點領域。微流控芯片分析以芯片為操作平臺,同時以分析化學為基礎,以微機電加工技術為依托,以微管道網絡為結構特征,以生命科學為目前主要應用對象，是當前微全分析系統領域發展的重點。它的目標是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應、分離、檢測等集成在微芯片上,且可以多次使用。②微流控芯片是微流控技術實現的主要平臺。其裝置特征主要是其容納流體的有效結構（通道、反應室和其它某些功能部件）至少在一個緯度上為微米級尺度。由于微米級的結構，流體在其中顯示和產生了與宏觀尺度不同的特殊性能。因此發展出獨特的分析產生的性能。IC芯片刻字可以實現產品的智能教育和學習輔助功能。北京高壓IC芯片刻字編帶

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    GaAlAs）等材料，采用全透明或淺藍色、黑色的樹脂封裝。常用的紅外發光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。發光二極管紫外發光二極管基于半導體材料的紫外發光二極管(UVLED)具有節能、環保和壽命長等優點，在殺菌消毒、醫療和生化檢測等領域有重的應用價值。近年來，半導體紫外光電材料和器件在全球引起越來越多的關注，成為研發熱點。2018年12月9一12日，由中國科學院半導體研究所主辦的第三屆“國際紫外材料與器件研討會”(IWUMD一2018)在云南昆明召開，來自十二個國家的270余位出席了會議。本次會議匯聚了國內外在紫外發光二極管材料和器件相關領域的多位的新研發成果報告。[4]目前，紫外發光二極管是氮化物技術發展和第三代半導體材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。中國科技部為了加快第三代半導體固態紫外光源的發展，爭施了“第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發計劃的支持和國際紫外材料與器件研討會的舉辦，將為加快實現我國第三代半導體紫外光源的市場化應用，帶動我國紫外半導體發光二極管材料和器件技術創親及產業化發展發揮積極的作用。佛山全自動IC芯片刻字編帶