HJT電池生產流程，HJT電池生產設備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對n型硅片進行各項異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結構（“金字塔結構”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節控制。光伏異質結技術的研發和應用，為推動綠色能源產業的發展和壯大做出了重要貢獻。深圳N型異質結裝備

高效異質結太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異質結硅太陽能電池已經吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，相關團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%，同時使用低溫度加工，通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時保持高產量。異質結電池具備光電轉化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡單等特點，為光伏領域帶來了新的希望。廣州N型異質結費用異質結電池的出色性能和廣泛的應用前景使其成為未來太陽能產業的明星技術。

異質結電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。

光伏異質結是太陽能電池的主要組成部分，其應用前景非常廣闊。隨著全球對清潔能源的需求不斷增加，太陽能行業的發展前景也越來越廣闊。光伏異質結具有高效、環保、可再生等特點，可以廣泛應用于家庭、工業、農業等領域。在家庭領域，光伏異質結可以用于太陽能發電系統，為家庭提供清潔、穩定的電力供應。在工業領域，光伏異質結可以用于太陽能電站，為企業提供大規模的清潔能源。在農業領域，光伏異質結可以用于太陽能灌溉系統，為農民提供便捷、高效的灌溉服務。此外，光伏異質結還可以應用于交通、通信、航空等領域，為這些領域提供清潔、高效的能源供應。因此，光伏異質結在太陽能行業的應用前景非常廣闊，具有非常大的發展潛力。零界高效異質結電池整線解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝。

異質結HJT電池TCO薄膜的方法主要有兩種：RPD（特指空心陰極離子鍍)和PVD(特指磁控濺射鍍膜)；l該工藝主要是在電池正背面上沉積一層透明導電膜層，通過該層薄膜實現導電、減反射、保護非晶硅薄膜的作用，同時可以有效地增加載流子的收集；l目前常用于HJT電池TCO薄膜為In2O3系列，如ITO（錫摻雜In2O3，@PVD濺射法）、IWO（鎢摻雜In2O3，@RPD方法沉積）等。HJT電池具備光電轉化效率提升潛力高、更大的降成本空間。零界高效異質結電池整線解決方案，實現設備國產化，高效高產PVD DD CVD。光伏異質結技術的不斷創新，推動了太陽能產業的發展和普及。北京零界高效異質結

光伏異質結可以應用在各種表面上，如玻璃、塑料等，具有廣泛的應用前景。深圳N型異質結裝備

高效異質結電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質結后，電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此，為了理解和優化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結。  TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質結上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優化中必須考慮到。深圳N型異質結裝備