根據其鍍膜工藝的不同，氧化鈮靶材分為平面靶材和旋轉靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達到。平面靶材的生產使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細且均勻,成形性能好;旋轉靶材采用熱噴涂法生產,要求氧化鈮具有良好的流動性及嚴格的粒度范圍。旋轉靶材是近些年新發展的一種靶材,與傳統的平面靶材相比,旋轉靶材相對于平面靶材來說：1、利用率高（70％以上）,甚至可以達到90％;2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍;3、減少打弧和表面掉渣的概率,工藝穩定性好等突出點,因此近年來逐步替代了平面靶材。針對國內尚未能生產靶材級高純氧化鈮的現狀,在現有氧化鈮濕法冶金生產工藝的基礎上,以高純鈮液為原料,通過噴霧干燥造粒的方法實現對氧化鈮產品粒度和粒形的要求,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉靶材生產要求的球形高純氧化鈮產品。產品純度為、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產品。與國外同行生產廠家以高純氧化鈮產品為原料,需經過球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡單,生產成本低,粒度可控,產品成品率高的特點。產品完全能夠滿足生產氧化鈮旋轉靶材的要求。超大規模集成電路制造過程中要反復用到的濺射工藝屬于PVD技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一。山東智能玻璃陶瓷靶材市場價

靶材預濺射建議采用純氬氣進行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個合理的功率加大速率為1.5W小時/平方厘米。在進行預濺射的同時需要檢查靶材起弧狀況，預濺射時間一般為10分鐘左右。如沒有起弧現象，繼續提升濺射功率到設定功率。根據經驗，一般應確保冷卻水出水口的水溫應低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環系統能有效工作，通過冷卻水的快速循環帶走熱量，是確保能以較高功率連續濺射的一項重要保障。河南AZO陶瓷靶材價格咨詢在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體。

靶材清潔的目的及方法：靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過四步清潔：第一步用浸泡過的無絨軟布清潔；第二步與第一步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建議用“無絨布”進行清潔。第四步用高壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統中會造成起弧的雜質微粒。我們建議用戶將靶材無論是金屬或陶瓷類保存在真空包裝中，尤其是貼合靶材更需要保存在真空條件下，以避免貼合層氧化影響貼合質量。

    超大規模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在高真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。 透明導電薄膜的種類很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。

主要PVD方法的特點：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專業性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。（4）終端應用：1）半導體芯片：單元器件中的介質層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產率和降低成本，濺射技術鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計算機儲存器：磁信息存儲、磁光信息存儲和全光信息存儲等。在光盤、機械硬盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。廣西AZO陶瓷靶材

濺射靶材開裂原因生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。山東智能玻璃陶瓷靶材市場價

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優勢或將為靶材帶來降本空間。在相關實驗中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實驗薄膜（共6份樣品）。實驗中主要從光學性能和電學性能上對AZO薄膜和ITO薄膜進行了對比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學性能差距縮小。根據比較終實驗數據來看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當AZO薄膜厚度為640nm時，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學性能優于ITO薄膜。ITO薄膜的光學性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對于AZO薄膜，透射率并沒有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時，高透射率光譜范圍比較寬，可見光區平均透射率比較高，光學總體性能比較好，可充當透射率要求在85%以上的寬光譜透明導電薄膜的光學器件山東智能玻璃陶瓷靶材市場價