靶材作為半導體、顯示面板、光伏電池等的關鍵原料，預計2025年全球市場規模將達333億美元，從下游來看，能夠認為半導體靶材市場、顯示面板靶材市場以及光伏面板靶材市場未來成長空間較大，國產替代需求強烈。而HJT電池靶材有望快速實現國產替代國產靶材廠商有望在HJT電池時代實現靶材上的彎道超車。對于異質結電池這個全新領域，靶材還未大規模應用，考慮到電池廠商與海外企業合作研發效率較低，同時隆華科技等國內的靶材廠商品質已經在顯示面板領域得到充分展現。因此從HJT電池靶材應用源頭開始，HJT電池靶材國產化就已先行一步。靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。天津氧化物陶瓷靶材

江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家主要生產和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。陶瓷靶材以氧化銦基和氧化鋅基為主，金屬和合金靶材以各種熔煉工藝和擠壓鍛造工藝為主。ITO靶材應用領域1、平板顯示器(純度4N)在平板顯示領域，ITO靶材主要用于制作ITO導電玻璃及觸控屏電極平板，是LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件制備的主要材料。顯示面板一般涉及上下兩層ITO導電膜，用量較大，ITO靶材是平板顯示領域用量比較大的靶材之一。2、薄膜太陽能電池(純度4N)ITO是一種透明導電層，在太陽能電池中作為透光層，同時作為電極，一般為正極，另一個電極一般以金屬銀或鋁作為背電極使用。ITO靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極。3、保溫透光領域ITO透明導電膜玻璃作為發熱體，通電后可以除冰霜，用于飛機擋風玻璃、飛機防眩窗、激光測距儀、潛望鏡觀察窗等多年來已得到了大規模的應用。ITO透明導電膜玻璃正反面具有相反的紅外線通過及反射性能，玻璃正面具有優良的紅外線通性，衰減量極小，而反面又具有紅外線阻擋反射作用，因而該種玻璃具有優良的保溫透光性能，已大量用于制造冷藏柜，隨著成本的降低將有望用于房屋節能。廣西智能玻璃陶瓷靶材市場價AZO薄膜是一種透明導電膜。

如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。1.成型方法:為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度、低氣孔率、高密度意味著陶瓷體內晶粒排列緊密，在承受外界載荷或腐蝕性物質侵蝕的時候不易形成破壞性的突破點。而要得到鈣質密度的陶瓷胚體，成型方法是關鍵。陶瓷靶材的成型一般采用干壓、等靜壓、熱壓鑄等方法。不同的方法具有不同的特點。2.原料粒度:原料粉粒度對陶瓷靶材形成的薄膜質量有很大的影響，只有原料足夠細，燒制成品才有可能形成微結構，使他具有很好的耐磨性。粉料顆粒越細，活性也越大，可促進燒結，制成的瓷強度也越高，小顆粒還可以分散由于剛玉和玻璃相線膨脹系數不同在晶界處造成的應力集中，減少開裂的危險性，細的晶粒還能妨礙微裂紋的發展，不易在成穿晶斷裂，有利于提高斷裂韌性，還可以提高耐磨性。3.燒結:陶瓷的燒結，簡單的講就是陶瓷生坯在高溫下的致密化過程。隨著溫度的上升和時間的延長，粉末顆粒之間發生粘結，燒結體的強度增加，把粉末顆粒的聚集體變為堅強的具有某種顯微結構的多晶燒結體，并獲得所需的物理，機械性能的制品或材料。樣品的致密化速率、結構往往也反應了它經歷過什么樣的熱處理過程。

主要PVD方法的特點：半導體、顯示面板使用濺射鍍膜法（1）金屬提純：靶材純度要求高。金屬提純的主要方式有化學提純與物理提純，化學提純主要分為濕法提純與火法提純，通過電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過蒸發結晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。（2）制造加工：塑性變形、熱處理、控制晶粒取向：需要根據下游應用領域的性能需求進行工藝設計，然后進行反復的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關鍵指標，再經過焊接、機械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序精細繁多，技術門檻高、設備投資大，具有規模化生產能力的企業數量相對較少。靶材制造的方法主要有熔煉法與粉末冶金法。熔煉法主要有真空感應熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過機械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該方法得到的靶材雜質含量低、密度高、可大型化、內部無氣孔，但若兩種合金熔點、密度差異較大則無法形成均勻合金靶材。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結法三種方法，通過將各種原料粉混合再燒結成形的方式得到靶材，該方法優點是靶材成分較為均勻、機械性能好，缺點為含氧量較高。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。

平板顯示行業主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環節需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經過鍍膜，加工組裝用于生產LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了實現平板顯示產品的抗反射、消影等功能，還可以在鍍膜環節中增加相應膜層的鍍膜。陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點；廣西顯示行業陶瓷靶材廠家

IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發展趨勢。天津氧化物陶瓷靶材

鍍膜的主要工藝有PVD和化學氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣。PVD技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強，清洗過程簡化，但在高功率下影響鍍膜質量。不同方法的選擇主要取決于產品用途與應用場景。（2）CVD技術主要通過化學反應生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質引入反應室，在襯底表面上進行化學反應生成薄膜。天津氧化物陶瓷靶材