透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關鍵。高質量的成品 ITO 濺射靶應具有99%的相對密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導熱率及較高的機械強度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導電薄膜。甚至可以在有機材料上濺射 ITO 導電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結法，其相對密度能達到 99%以上，燒結溫度高，保溫時間長，制備工藝復雜。放電等離子燒結(SPS)是在脈沖電流作用下，粉末顆粒間放電，產生瞬間高溫進行燒結。SPS技術具有快速、低溫、高效率等優點。能在很低的燒結溫度下，保溫很短的時間制備高密度的材料。

靶材間隙對大面積鍍膜的影響除了致密化，如果靶材在生產過程中出現異常，大顆粒會因受熱而脫落或縮孔。河南氧化物陶瓷靶材價格咨詢

濺射靶材開裂原因生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產產生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應力。這些內應力是在靶材制造發展過程中可以產生的。此外，這些應力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經發展存在的內應力將會增加到許多倍。在這種情況下，如果不適當散熱，靶材就可能會斷裂。二、濺射靶材開裂應對事項為了防止靶材開裂，需要著重考慮的是散熱。需要水冷卻機構以從靶去除不需要的熱能。另一個需要考慮的問題是功率的增加。短時間內施加過大的功率也會對目標造成熱沖擊。此外，我們建議將靶材粘合到背板上，這不僅為靶材提供了支撐，而且促進了靶材與水之間更好的熱交換。如果目標有一個裂紋，但它是粘接到背板上，仍可以正常使用。陜西ITO陶瓷靶材陶瓷靶材按化學組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。

陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點：1.導電性:金屬靶材都具有導電性,可以適應各種不同電源類型機臺,而陶瓷靶材因為大部分不具備導電性,只能使用射頻電源. 2.導熱性:金屬靶材導熱性能好,濺射時可以大功率運行.陶瓷靶材導熱性較差,濺射時功率不宜過高.復合性:3. 金屬靶材內很難摻入其他陶瓷類物質,濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據需要摻入不同金屬及陶瓷類物質,濺射后可以形成多種物質組成的復合膜層,這點陶瓷靶材比金屬靶材占優.

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優勢或將為靶材帶來降本空間。在相關實驗中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實驗薄膜（共6份樣品）。實驗中主要從光學性能和電學性能上對AZO薄膜和ITO薄膜進行了對比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學性能差距縮小。根據比較終實驗數據來看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當AZO薄膜厚度為640nm時，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學性能優于ITO薄膜。ITO薄膜的光學性能隨著厚度的增加明顯變差，但是對于AZO薄膜，透射率并沒有隨著厚度的增加而明顯下降，在厚度為395nm時，高透射率光譜范圍比較寬，可見光區平均透射率比較高，光學總體性能比較好，可充當透射率要求在85%以上的寬光譜透明導電薄膜的光學器件陶瓷靶材的制備工藝難點；

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發現ZnO薄膜的室溫紫外光發射以來，ZnO薄膜的制備技術及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發光器件，透明電極等方面應用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質量的單晶或c軸擇優取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調制器等壓電轉換器，在光電通信領域得到大面積的應用。在顯示面板和觸控屏兩個產品生產環節需要使用靶材，主要用于ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是ITO靶材。內蒙古氧化物陶瓷靶材

ITO靶材是當前太陽能電池主要的濺射靶材。河南氧化物陶瓷靶材價格咨詢

平板顯示行業主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環節需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經過鍍膜，加工組裝用于生產LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了實現平板顯示產品的抗反射、消影等功能，還可以在鍍膜環節中增加相應膜層的鍍膜。河南氧化物陶瓷靶材價格咨詢

江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家2011年成立，一直專注于PVD磁控濺射靶材的研發、生產、銷售、應用推廣以及靶材回收再利用。產品涵蓋陶瓷靶材、高純金屬靶材、合金靶材、貴金屬靶材、等離子噴涂靶材、蒸發鍍顆粒及高純陶瓷粉末。20年專注專業，1站式靶材供應。的公司，致力于發展為創新務實、誠實可信的企業。公司自創立以來，投身于濺射靶材，陶瓷靶材，金屬靶材，等離子噴涂靶材，是電子元器件的主力軍。迪納科材料致力于把技術上的創新展現成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。迪納科材料始終關注電子元器件行業。滿足市場需求，提高產品價值，是我們前行的力量。