磁控濺射的工作原理簡單說就是利用磁場與電場交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時也把動能傳導進去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜。“這層薄膜非常薄，往往都在納米量級，是人類肉眼看不見的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的薄膜面積可達幾萬甚至十幾萬平方米，鍍膜后產生的價值遠超過靶材本身的價值，靶材起的作用非常關鍵，所以我常將靶材稱為小而美、小而精的材料。”“別小看這些薄膜材料，它們是很多功能器件得以大顯神威的主要材料。”冷等靜壓法制備ITO靶材優點。湖南陶瓷靶材咨詢報價

背板材料：無氧銅(OFC)–目前經常使用的作背板的材料。因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。如果保養適當，無氧銅背板可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進行高溫貼合的條件下，無氧銅容易被氧化和發生翹曲，所以會使用金屬鉬為背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背板材料。不銹鋼管(SST)–目前**常使用不銹鋼管作為旋轉靶材的背管，因為不銹鋼管具有良好的強度和導熱性而且非常經濟。

背板重復使用大部分背板可以重復使用，尤其是采用金屬銦進行貼合的比較容易進行清潔和重新使用。如果是采用其他貼合劑（包括環氧樹脂）則可能需要采用機械處理的方式對背板表面處理后才能重復使用。當我們收到用戶提供的已使用過的背板后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背板進行完全檢查，檢查的重點包括背板的平整度，完整性及密封性等。我們會通知用戶對背板的檢查結果，如我們發現有需要維修的地方會書面通知客戶并提供維修報價。 陜西功能性陶瓷靶材咨詢報價氧化鈮由于其獨特的物理和化學性質而被廣地應用于現代技術的許多領域。

陶瓷靶材的制備工藝烘料:稱量前將起始原料置于烘箱中烘料3~6小時,烘料溫度為100~120℃;配料:將烘干的原料按照相應的化學計量比稱量;球磨:將稱量好的原料以某種制備方式混料,混料時間為4~12小時,制成均勻漿料;干燥:將制得的均勻漿料烘干;煅燒:將烘干的粉料過篩并輕壓成塊狀坯體置于馬弗爐中,在800~950℃煅燒4~8小時,制成煅燒粉料;球磨:將煅燒后的粉料研磨成細粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;制坯:將制成的陶瓷粉料采用鋼模手壓成直徑5~20mm、厚度約0.5~1.2mm的樣片,將樣片放入冷等靜壓機中,施加200~350MPa的壓力,保壓60~180s,制成所得陶瓷坯體;燒結:將制成的陶瓷坯體置于馬弗爐中,在1100~1200℃燒結4~6小時;冷卻:自然冷卻至室溫,即制得某種陶瓷靶材.注:提供的溫度、時間只當做參考數據.陶瓷靶材的特性要求純度:陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大,純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產品的質量的一致性越好.密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度.成分與結構均勻性:為保證濺射薄膜均勻,尤其在復雜的大面積鍍膜應用中,必須做到靶材成分與結構均勻性好.

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發現ZnO薄膜的室溫紫外光發射以來，ZnO薄膜的制備技術及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發光器件，透明電極等方面應用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質量的單晶或c軸擇優取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調制器等壓電轉換器，在光電通信領域得到大面積的應用。靶材間隙對大面積鍍膜的影響除了致密化，如果靶材在生產過程中出現異常，大顆粒會因受熱而脫落或縮孔。

IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。IGZO為n型半導體材料，存在3.5 eV左右的帶隙，電子遷移率比非晶硅高1~2個數量級，其比較大特點是在非晶狀態下依然具有較高的電子遷移率。由于沒有晶界的影響，非晶結構材料比多晶材料有更好的均勻性，對于大面積制備有巨大的優勢。正因為IGZO TFT具有高遷移率、非晶溝道結構、全透明和低溫制備這四大優勢，使得IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發展趨勢。陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點；北京智能玻璃陶瓷靶材生產企業

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透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關鍵。高質量的成品 ITO 濺射靶應具有99%的相對密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導熱率及較高的機械強度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導電薄膜。甚至可以在有機材料上濺射 ITO 導電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結法，其相對密度能達到 99%以上，燒結溫度高，保溫時間長，制備工藝復雜。放電等離子燒結(SPS)是在脈沖電流作用下，粉末顆粒間放電，產生瞬間高溫進行燒結。SPS技術具有快速、低溫、高效率等優點。能在很低的燒結溫度下，保溫很短的時間制備高密度的材料。

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