存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。在PCB培訓(xùn)過(guò)程中，實(shí)際案例的講解也是非常關(guān)鍵的一部分。武漢正規(guī)PCB培訓(xùn)原理

如果設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)中包含F(xiàn)PGA器件，則在繪制原理圖前必需使用Quartus II軟件對(duì)管腳分配進(jìn)行驗(yàn)證。(FPGA中某些特殊的管腳是不能用作普通IO的)。2、4層板從上到下依次為：信號(hào)平面層、地、電源、信號(hào)平面層;6層板從上到下依次為：信號(hào)平面層、地、信號(hào)內(nèi)電層、信號(hào)內(nèi)電層、電源、信號(hào)平面層。6層以上板(優(yōu)點(diǎn)是：防干擾輻射)，優(yōu)先選擇內(nèi)電層走線，走不開(kāi)選擇平面層，禁止從地或電源層走線(原因：會(huì)分割電源層，產(chǎn)生寄生效應(yīng))。3、多電源系統(tǒng)的布線：如FPGA+DSP系統(tǒng)做6層板，一般至少會(huì)有3.3V+1.2V+1.8V+5V。3.3V一般是主電源，直接鋪電源層，通過(guò)過(guò)孔很容易布通全局電源網(wǎng)絡(luò)；武漢哪里的PCB培訓(xùn)價(jià)格大全在通常情況下，所有的元件均應(yīng)布置在電路板的同一面上。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號(hào)流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類(lèi)型的電路模塊分開(kāi)擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶(hù)的要求時(shí)，以客戶(hù)為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶(hù)要求。

1、高頻元件：高頻元件之間的連線越短越好，設(shè)法減小連線的分布參數(shù)和相互之間的電磁干擾，易受干擾的元件不能離得太近。隸屬于輸入和隸屬于輸出的元件之間的距離應(yīng)該盡可能大一些。2、具有高電位差的元件：應(yīng)該加大具有高電位差元件和連線之間的距離，以免出現(xiàn)意外短路時(shí)損壞元件。為了避免爬電現(xiàn)象的發(fā)生，一般要求2000V電位差之間的銅膜線距離應(yīng)該大于2mm，若對(duì)于更高的電位差，距離還應(yīng)該加大。帶有高電壓的器件，應(yīng)該盡量布置在調(diào)試時(shí)手不易觸及的地方。3、重量太大的元件：此類(lèi)元件應(yīng)該有支架固定，而對(duì)于又大又重、發(fā)熱量多的元件，不宜安裝在電路板上。4、發(fā)熱與熱敏元件：注意發(fā)熱元件應(yīng)該遠(yuǎn)離熱敏元件。·電位差較大的元器件要遠(yuǎn)離,防止意外放電。

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。布線指南：為PCB提供特殊信號(hào)的具體要求說(shuō)明和阻抗設(shè)計(jì)。湖北定制PCB培訓(xùn)布局

元件引腳盡量短，去耦電容引腳盡量短，去耦電容使用無(wú)引線的貼片電容。武漢正規(guī)PCB培訓(xùn)原理

一般開(kāi)關(guān)電源模塊應(yīng)該靠近電源輸入端，對(duì)于給芯片提供低電壓的核電壓的開(kāi)關(guān)電源，應(yīng)靠近芯片，避免低電壓輸出線過(guò)長(zhǎng)而產(chǎn)生壓降，影響供電性能，以開(kāi)關(guān)電源為中心，圍繞他布局。電源濾波的輸入及輸出端在布局時(shí)要遠(yuǎn)離，避免噪聲從輸入端耦合進(jìn)入輸出端，元器件應(yīng)均勻、整齊、緊湊的排列在PCB上，減少器件間的要求。輸入輸出的主通路一定要明晰，留出鋪銅打過(guò)孔的空間，濾波電容按照先打后小的原則分別靠近輸出輸入管腳放置，反饋電路靠近芯片管腳放置。武漢正規(guī)PCB培訓(xùn)原理