電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤或者8角焊盤：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，0402濾波電容用常規(guī)的方焊盤即可，放置要求同1.0間距BGA。3、小于1.0間距的BGA，0402濾波電容只能放置在十字通道，無(wú)法靠近管腳，其它電容放置在BGA周圍。儲(chǔ)能電容封裝較大，放在芯片周圍，兼顧各電源管腳。如何梳理PCB設(shè)計(jì)布局模塊框圖？孝感專業(yè)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

評(píng)估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評(píng)估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無(wú)BGA封裝的芯片，一般可以用一個(gè)電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評(píng)估對(duì)象，如果BGA內(nèi)的電源種類數(shù)≤3種，用一個(gè)電源平面，如果＞3種，則使用2個(gè)電源平面，如果＞6則使用3個(gè)電源平面，以此類推。備注：1、對(duì)于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對(duì)于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號(hào)層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評(píng)估：在確定了走線層數(shù)和電源層數(shù)的基礎(chǔ)上，滿足以下疊層原則：1、疊層對(duì)稱性2、阻抗連續(xù)性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合（3）層疊評(píng)估:結(jié)合評(píng)估出的走線層數(shù)和平面層數(shù)，高速線優(yōu)先靠近地層的原則，進(jìn)行層疊排布。鄂州設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)怎么樣DDR模塊中管腳功能說(shuō)明。

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印字樣。對(duì)于過(guò)波峰焊的過(guò)板方向有明確規(guī)定的PCB,如設(shè)計(jì)了偷錫焊盤、淚滴焊盤或器件焊接方向，需要用絲印標(biāo)示出過(guò)板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實(shí)大小標(biāo)示出來(lái)。放靜電標(biāo)記的優(yōu)先位置是PCB的元件面，采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝庫(kù)。在板名旁留出生產(chǎn)序列號(hào)的空間，字體格式、大小由客戶確認(rèn)。

SDRAM各管腳功能說(shuō)明：1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無(wú)效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)。寫數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)DQM為高電平時(shí)對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無(wú)效，DQML與DQMU分別對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號(hào)，在讀寫命令時(shí)行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號(hào)，用以確定當(dāng)前的命令操作對(duì)哪一個(gè)BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號(hào)，讀寫操作時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)該總線輸出或輸入。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)中布局布線的注意事項(xiàng)。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。ADC和DAC前端電路布線規(guī)則。恩施如何PCB設(shè)計(jì)走線

射頻、中頻電路的基本概念是什么？孝感專業(yè)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

近年來(lái)，隨著人們對(duì)智能化生活需求的不斷增加，電子設(shè)備的應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。而PCB設(shè)計(jì)，作為一個(gè)重要的電子學(xué)科，也在電子設(shè)備中扮演著不可或缺的角色。PCB是Printedcircuitboard的縮寫，意為印刷電路板，也被稱為電路板。它是對(duì)電路的支持、安裝和自動(dòng)化測(cè)試所需的導(dǎo)體和絕緣材料的基礎(chǔ)板。PCB設(shè)計(jì)的任務(wù)就是將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為電路板的制造流程。設(shè)計(jì)一個(gè)精美的PCB板，需要從電路圖設(shè)計(jì)、原理圖、布局、布線、封裝等方面進(jìn)行綜合考慮。通過(guò)集成電路元器件、電路板布局、電路調(diào)試、功能測(cè)試等多個(gè)方面的知識(shí)，設(shè)計(jì)出一個(gè)有良好導(dǎo)電性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度以及較高的電磁兼容性的電路板。孝感專業(yè)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范