通過規范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLayout服務質量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業務。文件維護部門設計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設計工具繪制，表達硬件電路中各種器件之間的連接關系的圖。（4）網表：一般由原理圖設計工具自動生成的，表達元器件電氣連接關系的文本文件，一般包含元器件封裝，網絡列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設計過程中，按照設計要求、結構圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設計過程中，按照設計要求對信號進行走線和銅皮處理的過程。PCB設計工藝的規則和技巧。武漢設計PCB設計布線

Gerber輸出Gerber輸出前重新導入網表，保證終原理圖與PCB網表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據《PCBLayout檢查表》進行自檢后，進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設置、操作、檢查子流程步驟如下：Gerber參數設置→生成Gerber文件→IPC網表自檢。（1）光繪格式RS274X，原點位置設置合理，光繪單位設置為英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光繪各層種類齊全、每層內容選擇正確，鉆孔表放置合理。（3）層名命名正確，前綴統一為布線層ART,電源層PWR，地層GND，與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。（4）檢查Drill層：（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。（5）孔符層左上角添加CAD編號，每層光繪左下角添加各層層標。襄陽了解PCB設計價格大全如何梳理PCB設計布局模塊框圖？

結構繪制結構繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結構特殊區域及拼板→放置固定結構件。1.1.1繪制單板板框（1）將結構圖直接導入PCB文件且測量尺寸，確認結構圖形中結構尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設計文件中，單位為mm，則精度為小數點后4位；單位為Mil，則精度為小數點后2位，兩種單位之間轉換至多一次，特殊要求記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）導入結構圖形并命名。（4）導入的結構圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結構圖形導入后應在EDA設計軟件視界正中，若偏移在一角，應整體移動結構圖形，使之位于正中。（6）根據結構圖形，繪制外形板框，板框與結構文件完全一致且重合，并體現在EDA設計軟件顯示層。（7）確定坐標原點，坐標原點默認為單板左邊與下邊延長線的交點，坐標原點有特殊要求的記錄到《項目設計溝通記錄》中。（8）對板邊的直角進行倒角處理，倒角形狀、大小依據結構圖繪制，如無特殊要求，默認倒圓角半徑為1.5mm，工藝邊外沿默認倒圓角，半徑為1.5mm并記錄到《項目設計溝通記錄》郵件通知客戶確認。（9）板框繪制完畢，賦予其不可移動，不可編輯屬性。

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計算的差分線寬和線距布線；（10）相鄰信號層推薦正交布線方式，無法正交時，相互錯開布線，（11）PCB LAYOUT中的拓撲結構指的是芯片與芯片之間的連接方式，不同的總線特點不一樣，所采用的拓撲結構也不一樣，多拓撲的互連。射頻、中頻電路的基本概念是什么？

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。PCB設計中常用的電源電路有哪些？宜昌正規PCB設計布局

疊層方案子流程以及規則設置。武漢設計PCB設計布線

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。武漢設計PCB設計布線

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