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來源: 發布時間:2023-03-09

關鍵信號布線(1)射頻信號:優先在器件面走線并進行包地、打孔處理,線寬8Mil以上且滿足阻抗要求,如下圖所示。不相關的線不允許穿射頻區域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。(2)中頻、低頻信號:優先與器件走在同一面并進行包地處理,線寬≥8Mil,如下圖所示。數字信號不要進入中頻、低頻信號布線區域。(3)時鐘信號:時鐘走線長度>500Mil時必須內層布線,且距離板邊>200Mil,時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。(4)高速信號:5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。DDR與SDRAM信號的不同之處在哪?孝感設計PCB設計加工

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導入網表(1)原理圖和PCB文件各自之一的設計,在原理圖中生成網表,并導入到新建PCBLayout文件中,確認網表導入過程中無錯誤提示,確保原理圖和PCB的一致性。(2)原理圖和PCB文件為工程文件的,把創建的PCB文件的放到工程中,執行更新網表操作。(3)將導入網表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置,所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內。(4)為確保原理圖和PCB的一致性,需與客戶確認軟件版本,設計時使用和客戶相同軟件版本。(5)不允許使用替代封裝,資料不齊全時暫停設計;如必須替代封裝,則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。湖北了解PCB設計價格大全SDRAM 的PCB布局布線要求是什么?

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等長線處理等長線處理的步驟:檢查規則設置→確定組內長線段→等長線處理→鎖定等長線。(1)檢查組內等長規則設置并確定組內基準線并鎖定。(2)單端蛇形線同網絡走線間距S≥3W,差分對蛇形線同網絡走線間距≥20Mil。(3)差分線對內等長優先在不匹配端做補償,其次在中間小凸起處理,且凸起高度<1倍差分對內間距,長度>3倍差分線寬,(4)差分線對內≤3.125G等長誤差≤5mil,>3.125G等長誤差≤2mil。(5)DDR同組等長:DATA≤800M按±25mil,DATA>800M按±5mil;ADDR按±100mil;DDR2的DQS和CLK按±500mil;QDR按±25mil;客戶有要求或者芯片有特殊要求時按特殊要求。(6)優先在BGA區域之外做等長線處理。(7)有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側B段做等長處理,(8)有末端匹配的走線在A段做等長線處理,禁止在分支B段做等長處理(9) T型拓撲走線,優先在主干走線A段做等長處理,同網絡分支走線B或C段長度<主干線A段長度,且分支走線長度B、C段誤差≤10Mil,(10) Fly-By型拓撲走線,優先在主干走線A段做等長處理,分支線B、C、D、E段長度<500Mil

 射頻、中頻電路(2)屏蔽腔的設計1、應把不同模塊的射頻單元用腔體隔離,特別是敏感電路和強烈輻射源之間,在大功率多級放大器中,也應保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏,過孔應相互錯開,同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔,保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的,一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構;而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構,這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理,開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設計實例PCB設計中電氣方面的注意事項。

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 DDR模塊,DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,中文名為“雙倍數據率SDRAM”,是在SDRAM的基礎上改進而來,人們習慣稱為DDR,DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率,它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據,因而其速度是標準SDRAM的兩倍。(1)DDRSDRAM管腳功能說明:圖6-1-5-1為512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘,DDR的所有命令信號,地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號,與SDRAM不同的是,在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平,當CKE由高電平變為低電平時,器件進入斷電模式(所有BANK都沒有時)或自刷新模式(部分BANK時),當CKE由低電平變為高電平時,器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號,低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時,CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號,低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。ADC和DAC前端電路布線規則。孝感PCB設計批發

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SDRAM模塊SDRAM介紹:SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步動態隨機存儲器)的簡稱,是使用很的一種存儲器,一般應用在200MHz以下,常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統時鐘頻率相同,并且內部命令的發送和數據的傳輸都以它為準;動態是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數據不丟失;隨機是指數據不是線性一次存儲,而是自由指定地址進行數據的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬,必須配合適當數量的SDRAM芯片顆粒,如32位的CPU芯片,如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片,而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖,圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號網絡管腳分配情況以及信號網絡說明。孝感設計PCB設計加工

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