FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導(dǎo)入更改之后再調(diào)整管腳，管換的一般原則如下，在調(diào)整時應(yīng)嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調(diào)整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調(diào)整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應(yīng)優(yōu)先考慮在同一BANK內(nèi)交換，其次在BANK間交換。（3）對于全局時鐘管腳，只能在全局時鐘管腳間進行調(diào)整，并與客戶進行確認。（4）差分信號對要關(guān)聯(lián)起來成對調(diào)整，成對調(diào)整，不能單根調(diào)整，即N和N調(diào)整，P和P調(diào)整。（5）在管腳調(diào)整以后，必須進行檢查，查看交換的內(nèi)容是否滿足設(shè)計要求。（6）與調(diào)整管腳之前的PCB文件對比，生產(chǎn)交換管腳對比的表格給客戶確認和修改原理圖文件。PCB布局布線設(shè)計規(guī)則。武漢哪里的PCB設(shè)計布局

工藝、層疊和阻抗信息確認（1）與客戶確認阻抗類型，常見阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：單端50歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》，基于以下幾點進行說明：信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。（3）檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏，錯誤，核對無誤后再與客戶進行確認。隨州常規(guī)PCB設(shè)計疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。

模塊劃分（1）布局格點設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨出現(xiàn)的分立器件，要放到對應(yīng)芯片的模塊中，無法確認的，需要與客戶溝通,然后再放到對應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認線寬、間距和過孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤）5Mil、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤5Mil、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點上。（3）BGA封裝的主芯片可以通過軟件自動扇孔完成。（4）主芯片需調(diào)整芯片的位置，使扇出過孔在格點上，且過孔靠近管腳，孔間距50Mil，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔，然后用表層線直接連接起來。

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內(nèi)等長規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對內(nèi)等長優(yōu)先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內(nèi)間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內(nèi)≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長線處理，禁止在分支B段做等長處理（9） T型拓撲走線，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長度＜主干線A段長度,且分支走線長度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓撲走線，優(yōu)先在主干走線A段做等長處理，分支線B、C、D、E段長度＜500MilPCB設(shè)計中關(guān)鍵信號布線方法。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設(shè)計布局中光口的要求有哪些？鄂州PCB設(shè)計價格大全

PCB設(shè)計中存儲器有哪些分類？武漢哪里的PCB設(shè)計布局

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對應(yīng)的接口擺放，采用“先防護后濾波”的思路擺放接口保護器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號流向依次擺放保險絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動芯片靠近連接器放置。武漢哪里的PCB設(shè)計布局

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