存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。ADC和DAC前端電路布線規則。荊州哪里的PCB設計銷售

規則設置子流程：層疊設置→物理規則設置→間距規則設置→差分線規則設置→特殊區域規則設置→時序規則設置◆層疊設置：根據《PCB加工工藝要求說明書》上的層疊信息，在PCB上進行對應的規則設置。◆物理規則設置（1）所有阻抗線線寬滿足《PCB加工工藝要求說明書》中的阻抗信息，非阻抗線外層6Mil,內層5Mil。（2）電源/地線：線寬>=15Mil。（3）整板過孔種類≤2,且過孔孔環≥4Mil，Via直徑與《PCBLayout工藝參數》一致，板厚孔徑比滿足制造工廠或客戶要求，過孔設置按《PCBLayout工藝參數》要求。◆間距規則設置：根據《PCBLayout工藝參數》中的間距要求設置間距規則，阻抗線距與《PCB加工工藝要求說明書》要求一致。此外，應保證以下參數與《PCBLayout工藝參數》一致，以免短路：（1）內外層導體到安裝孔或定位孔邊緣距離；（2）內外層導體到郵票孔邊緣距離；（3）內外層導體到V-CUT邊緣距離；（4）外層導體到導軌邊緣距離；（5）內外層導體到板邊緣距離；◆差分線規則設置（1）滿足《PCB加工工藝要求說明書》中差分線的線寬/距要求。（2）差分線信號與任意信號的距離≥20Mil。襄陽高效PCB設計怎么樣PCB設置中PCI-E板卡設計要求是什么？

ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項：（1）測試點焊盤≥32mil；（2）測試點距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測試點的中心間距≥60Mil。（4）測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤邊緣≥10mil，其它導體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對角線上非對稱放置。（6）優先在焊接面添加ICT測試點，正面添加ICT測試點需經客戶確認。（7）電源、地網絡添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。（8）優先采用表貼焊盤測試點，其次采用通孔測試點，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。（9）優先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點，采用Stub方式添加ICT測試點時，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網絡禁止添加測試點。（11）測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號增加測試點，必須對稱添加，即同時在差分線對的兩個網絡的同一個地方對稱加測試點

整板扇出（1）對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。（2）格點優先選用25Mil的，其次采用5Mil格點，過孔扇出在格點上，相同器件過孔走線采用復制方式，保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式（3）8MIL過孔中心間距35MIL以上，10MIL過孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過孔間距一般為30Mil（或過孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過電容再打過孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔，模塊內通過表層線直連，無法連接的打過孔處理。（6）電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前，過孔數目滿足電源載流要求，過孔通流能力參照，地孔數不少于電源過孔數。京曉科技給您帶來PCB設計布線的技巧。

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統時鐘頻率相同，并且內部命令的發送和數據的傳輸都以它為準；動態是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數據的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當數量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號網絡管腳分配情況以及信號網絡說明。LDO外圍電路布局要求是什么？武漢哪里的PCB設計布局

PCB設計中常用的電源電路有哪些？荊州哪里的PCB設計銷售

評估平面層數，電源平面數的評估：分析單板電源總數與分布情況，優先關注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內的電源種類數≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數的評估：在確定了走線層數和電源層數的基礎上，滿足以下疊層原則：1、疊層對稱性2、阻抗連續性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合（3）層疊評估:結合評估出的走線層數和平面層數，高速線優先靠近地層的原則，進行層疊排布。荊州哪里的PCB設計銷售

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