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來源: 發布時間:2023-03-03

添加特殊字符(1)靠近器件管腳擺放網絡名,擺放要求同器件字符,(2)板名、版本絲印:放置在PCB的元件面,水平放置,比元件位號絲印大(常規絲印字符寬度10Mil,高度80Mil);扣板正反面都需要有板名絲印,方便識別。添加特殊絲印(1)條碼:條碼位置應靠近PCB板名版本號,且長邊必須與傳送方向平行,區域內不能有焊盤直徑大于0.5mm的導通孔,如有導通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求,否則無法噴碼或貼標簽。1、預留區域為涂滿油墨的絲印區。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區外20mm范圍內不能有高度超過25mm的元器件。2)其他絲印:所有射頻PCB建議添加標準“RF”的絲印字樣。對于過波峰焊的過板方向有明確規定的PCB,如設計了偷錫焊盤、淚滴焊盤或器件焊接方向,需要用絲印標示出過板方向。如果有扣板散熱器,要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實大小標示出來。放靜電標記的優先位置是PCB的元件面,采用標準的封裝庫。在板名旁留出生產序列號的空間,字體格式、大小由客戶確認。在布線過程中如何添加 ICT測試點?湖北正規PCB設計批發

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工藝、層疊和阻抗信息確認(1)與客戶確認阻抗類型,常見阻抗類型如下:常規阻抗:單端50歐姆,差分100歐姆。特殊阻抗:射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考,USB接口差分90歐姆,RS485串口差分120歐姆。(2)傳遞《PCBLayout業務資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師,由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說明書》,基于以下幾點進行說明:信號層夾在電源層和地層之間時,信號層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號層間距拉大。阻抗線所在的層號。(3)檢查《PCB加工工藝要求說明書》信息是否有遺漏,錯誤,核對無誤后再與客戶進行確認。十堰什么是PCB設計布線PCB設計工藝的規則和技巧。

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導入網表(1)原理圖和PCB文件各自之一的設計,在原理圖中生成網表,并導入到新建PCBLayout文件中,確認網表導入過程中無錯誤提示,確保原理圖和PCB的一致性。(2)原理圖和PCB文件為工程文件的,把創建的PCB文件的放到工程中,執行更新網表操作。(3)將導入網表后的PCBLayout文件中所有器件無遺漏的全部平鋪放置,所有器件在PCBLAYOUT文件中可視范圍之內。(4)為確保原理圖和PCB的一致性,需與客戶確認軟件版本,設計時使用和客戶相同軟件版本。(5)不允許使用替代封裝,資料不齊全時暫停設計;如必須替代封裝,則替代封裝在絲印字符層寫上“替代”、字體大小和封裝體一樣。

ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項:(1)測試點焊盤≥32mil;(2)測試點距離板邊緣≥3mm;(3)相鄰測試點的中心間距≥60Mil。(4)測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil,Chip器件焊盤邊緣≥10mil,其它導體邊緣≥12mil。(5)整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔,且在板子的對角線上非對稱放置。(6)優先在焊接面添加ICT測試點,正面添加ICT測試點需經客戶確認。(7)電源、地網絡添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。(8)優先采用表貼焊盤測試點,其次采用通孔測試點,禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。(9)優先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點,采用Stub方式添加ICT測試點時,Stub走線長不超過150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信號網絡禁止添加測試點。(11)測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方,以防止被器件或物件覆蓋。(12)差分信號增加測試點,必須對稱添加,即同時在差分線對的兩個網絡的同一個地方對稱加測試點SDRAM 的PCB布局布線要求是什么?

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整板扇出(1)對板上已處理的表層線和過孔按照規則進行相應的調整。(2)格點優先選用25Mil的,其次采用5Mil格點,過孔扇出在格點上,相同器件過孔走線采用復制方式,保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式(3)8MIL過孔中心間距35MIL以上,10MIL過孔中心間距40MIL以上,以免將平面層隔斷;差分過孔間距一般為30Mil(或過孔邊緣距為8Mil)。(4)芯片電源管腳先過電容再打過孔(5)所有電源/地管腳就近打孔,高速差分過孔附近30-50Mil內加回流地孔,模塊內通過表層線直連,無法連接的打過孔處理。(6)電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后,電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前,過孔數目滿足電源載流要求,過孔通流能力參照,地孔數不少于電源過孔數。PCB典型的電路設計指導。襄陽高速PCB設計怎么樣

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存儲模塊介紹:存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細參數如下:DDR采用TSSOP封裝技術,而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優點是成本低、工藝要求不高,缺點是傳導效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一,有效地縮短信號傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優勢,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會使內存電氣性能更好,成本更低;DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數如下表所示。湖北正規PCB設計批發

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