DDR2模塊相對于DDR內存技術（有時稱為DDRI），DDRII內存可進行4bit預讀取。兩倍于標準DDR內存的2BIT預讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數據傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標準，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標準；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發熱量及電器穩定性方面有著更好的表現。DDRII內存技術比較大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。PCB布局布線設計規則。咸寧PCB設計

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數字地處理：大多數ADC、DAC往往依據數據手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數字電源當電源入口只有統一的數字地和數字電源時，在電源入口處通過將數字地加磁珠或電感，將數字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數字電源都通過入口處數字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數字地、既有模擬電源又有數字電源，板子上所有的數字電源都用入口處的數字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應該采用LDO進行供電。黃岡設計PCB設計包括哪些PCB設計布局中光口的要求有哪些？

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發射電路遠離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應該遠離高速數字信號和RF信號。

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則。2、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經過電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號優先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時，以降低模擬輸入信號的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理。7、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。晶振電路的布局布線要求。

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設計到DRAM芯片內部，用來改善信號品質，這使得DDRII的拓撲結構較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內部匹配終結，可以節省PCB面積，另一方面因為數據線的串聯電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內部終結電阻的開關狀態。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內部的終結電阻，讀操作時，DDR2作為發送端，ODT引腳為低電平關閉芯片內部的終結電阻。ODT允許配置的阻值包括關閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。PCB設計中常用的電源電路有哪些？荊門專業PCB設計規范

PCB設計布局的整體思路是什么？咸寧PCB設計

等長線處理等長線處理的步驟：檢查規則設置→確定組內長線段→等長線處理→鎖定等長線。（1）檢查組內等長規則設置并確定組內基準線并鎖定。（2）單端蛇形線同網絡走線間距S≥3W，差分對蛇形線同網絡走線間距≥20Mil。（3）差分線對內等長優先在不匹配端做補償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對內間距，長度＞3倍差分線寬，（4）差分線對內≤3.125G等長誤差≤5mil，＞3.125G等長誤差≤2mil。（5）DDR同組等長：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶有要求或者芯片有特殊要求時按特殊要求。（6）優先在BGA區域之外做等長線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側B段做等長處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長線處理，禁止在分支B段做等長處理（9） T型拓撲走線，優先在主干走線A段做等長處理，同網絡分支走線B或C段長度＜主干線A段長度,且分支走線長度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓撲走線，優先在主干走線A段做等長處理，分支線B、C、D、E段長度＜500Mil咸寧PCB設計

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