電源、地處理，（1）不同電源、地網絡銅皮分割帶優先≥20Mil，在BGA投影區域內分隔帶小為10Mil。（2）開關電源按器件資料單點接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網絡銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過孔數量必須滿足電流載流能力，參考4.8過孔孔徑通流表。（5）3個以上相鄰過孔反焊盤邊緣間距≥4Mil，禁止出現過孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區域劃分，數字電源、數字地只在數字區域劃分，投影區域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區信號線從模擬地和數字地的橋接處穿過（8）電源層相對地層內縮必須≥20Mil，優先40Mil（9）單板孤立銅皮要逐一確認、不需要的要逐一刪除（10）室溫情況下，壓差在10V以上的網絡，同層必須滿足安規≥20Mil要求，壓差每增加1V,間距增加1Mil。（11）在疊層不對稱時，信號層鋪電源、地網絡銅皮，且銅皮、銅線面積占整板總面積50%以上，以防止成品PCB翹曲。PCB設計中等長線處理方式技巧有哪些？荊州正規PCB設計走線

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設計1、應把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強烈輻射源之間，在大功率多級放大器中，也應保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏，過孔應相互錯開，同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設計實例荊州正規PCB設計走線射頻、中頻電路的基本概念是什么？

通過規范PCBLayout服務操作要求，提升PCBLayout服務質量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業務。文件維護部門設計部。定義與縮略語（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設計為印制電路板圖的全過程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設計工具繪制，表達硬件電路中各種器件之間的連接關系的圖。（4）網表：一般由原理圖設計工具自動生成的，表達元器件電氣連接關系的文本文件，一般包含元器件封裝，網絡列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設計過程中，按照設計要求、結構圖和原理圖，把元器件放置到板上的過程。（6）布線：PCB設計過程中，按照設計要求對信號進行走線和銅皮處理的過程。

SDRAM的端接1、時鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數據線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對于數據信號，如果32bit位寬數據總線中的低16位數據信號掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫進程時，首先要保證SDRAM接收端的信號完整性，將SDRAM芯片放置在信號鏈路的遠端，對于地址及控制信號的也應該如此處理。2、對于掛了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，從信號完整性角度來考慮，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245緩沖器等集中緊湊布局。3、源端匹配電阻應靠近輸出管腳放置，退耦電容靠近器件電源管腳放置。4、SDRAM的數據、地址線推薦采用菊花鏈布線線和遠端分支方式布線，Stub線頭短。5、對于SDRAM總線，一般要對SDRAM的時鐘、數據、地址及控制信號在源端要串聯上33歐姆或47歐姆的電阻，否則此時總線上的過沖大，可能影響信號完整性和時序,有可能會損害芯片。時鐘驅動器的布局布線要求。

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導電率和滲透性，以及該金屬與發射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環路濾波電路是敏感電路。b.發射的后級電路、功放的電路、數字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強烈的輻射源。PCB設計中常用的電源電路有哪些？黃石常規PCB設計哪家好

PCB設計常用規則之Gerber參數設置。荊州正規PCB設計走線

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。荊州正規PCB設計走線

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