存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。PCB設計的基礎流程是什么？湖北專業PCB設計原理

FPGA管換注意事項，首先和客戶確認是否可以交換以及交換原則，其次，在FPGA交換管腳期間，不允許有原理圖的更改，如果原理圖要更改，在導入更改之后再調整管腳，管換的一般原則如下，在調整時應嚴格意遵守：（1）基本原則：管腳不能調整，I/O管腳、Input管腳或者Output管腳可調整。（2）FPGA的同一BANK的供電電壓相同，如果兩個Bank電壓不同，則I/O管腳不能交換；如果電壓相同，應優先考慮在同一BANK內交換，其次在BANK間交換。（3）對于全局時鐘管腳，只能在全局時鐘管腳間進行調整，并與客戶進行確認。（4）差分信號對要關聯起來成對調整，成對調整，不能單根調整，即N和N調整，P和P調整。（5）在管腳調整以后，必須進行檢查，查看交換的內容是否滿足設計要求。（6）與調整管腳之前的PCB文件對比，生產交換管腳對比的表格給客戶確認和修改原理圖文件。隨州了解PCB設計廠家PCB設計中等長線處理方式技巧有哪些？

設計規劃設計規劃子流程：梳理功能要求→確認設計要求→梳理設計要求。梳理功能要求（1）逐頁瀏覽原理圖，熟悉項目類型。項目類型可分為：數字板、模擬板、數模混合板、射頻板、射頻數模混合板、功率電源板、背板等，依據項目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號處理模塊、時鐘及復位模塊。（2）器件認定：在單板設計中，承擔信號處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時鐘芯片，大體積電源芯片。確認設計要求（1）客戶按照《PCBLayout業務資料及要求》表格模板，規范填寫，信息無遺漏；可以協助客戶梳理《PCBLayout業務資料及要求》表格，經客戶確認后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號功能框圖。（3）按照《PCB Layout業務資料及要求》表格確認整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據電源流向和電流大小，列出電流樹狀圖，經客戶確認后，予以采納。

模塊劃分（1）布局格點設置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準則,把該芯片相關阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨出現的分立器件，要放到對應芯片的模塊中，無法確認的，需要與客戶溝通,然后再放到對應的模塊中。（4）接口電路如有結構要求按結構要求，無結構要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設置默認線寬、間距和過孔：線寬：表層設置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤）5Mil、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤5Mil、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點設置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點上。（3）BGA封裝的主芯片可以通過軟件自動扇孔完成。（4）主芯片需調整芯片的位置，使扇出過孔在格點上，且過孔靠近管腳，孔間距50Mil，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔，然后用表層線直接連接起來。如何解決PCB設計中電源電路放置問題？

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導體和接地平面構成。微帶線的結構如下圖中的圖1所示它是由導體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構成的傳輸線。微帶線是由介質基片，接地平板和導體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當在電磁發射源和需要保護的電路之間插入一高導電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導電率和滲透性，以及該金屬與發射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環路濾波電路是敏感電路。b.發射的后級電路、功放的電路、數字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強烈的輻射源。PCB設計布局中光口的要求有哪些？鄂州高效PCB設計走線

PCB設計中常用的電源電路有哪些？湖北專業PCB設計原理

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。湖北專業PCB設計原理

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