DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓撲建議采用對稱的Y型結構，分支端靠近信號的接收端，串聯電阻靠近驅動端放置（5mm以內），并聯電阻靠近接收端放置（5mm以內），布局布線要保證所有地址、控制信號拓撲結構的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結構）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓撲結構，布局時串聯電阻靠近驅動端放置，并聯電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質量要求非常高，不允許出現較大紋波，1.25V電源輸出要經過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。DDR3的PCB布局布線要求是什么？鄂州了解PCB設計廠家

布線優化布線優化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區域檢查：檢查所有分隔帶區域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。孝感高效PCB設計哪家好如何梳理PCB設計布局模塊框圖？

電氣方面注意事項（1）TVS管、ESD、保險絲等保護器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區布局；（4）數字、模擬器件分區布局；（5）電源模塊、模擬電路、時鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯電阻靠近源端放置；串聯電容靠近末端放置；并聯電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發芯片距離，以便走線長度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應保持一致。

放置固定結構件（1）各固定器件坐標、方向、1腳位置、頂底層放置與結構圖固定件完全一致，并將器件按照結構圖形對應放置。（2）當有如下列情形時，需將問題描述清楚并記錄到《項目設計溝通記錄》中，同時郵件通知客戶修改確認。結構圖形與部分管腳不能完全重合；結構圖形1腳標識與封裝1腳焊盤指示不符；結構圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標注尺寸等和結構圖實際不一致；其他有疑問的地方。（3）安裝孔坐標、孔徑、頂底層與結構圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環時，焊環離孔距離8Mil以上，焊盤單邊比孔大33mil（5）固定結構件放置完畢后，對器件賦予不可移動屬性。（6）在孔符層進行尺寸標注，標注單位為公制（mm），精度小數點后2位，尺寸公差根據客戶結構圖要求。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進行標注。（8）如設計過程中更改結構，按照結構重新繪制板框、繪制結構特殊區域和放置固定構件。客戶無具體的結構要求時，應根據情況記錄到《項目設計溝通記錄》中。（9）子卡、母卡對插/扣設計京曉科技與您分享PCB設計中布局布線的注意事項。

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數字地處理：大多數ADC、DAC往往依據數據手冊和提供的參考設計進行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數字地DGND，然后將二者單點連接，（3）模擬電源和數字電源當電源入口只有統一的數字地和數字電源時，在電源入口處通過將數字地加磁珠或電感，將數字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源。負載端所有的數字電源都通過入口處數字電源生成、模擬電源都通過經過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數字地、既有模擬電源又有數字電源，板子上所有的數字電源都用入口處的數字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進行供電，因為其電流小、紋波小，而DC/DC會引入較大開關電源噪聲，嚴重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應該采用LDO進行供電。PCB設計的基礎流程是什么？襄陽高效PCB設計教程

不同存儲容量及不同數據寬度的器件有所不同。鄂州了解PCB設計廠家

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數據傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變為低電平時，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變為高電平時，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。鄂州了解PCB設計廠家

武漢京曉科技有限公司匯集了大量的優秀人才，集企業奇思，創經濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創新天地，繪畫新藍圖，在湖北省等地區的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業的方向，質量是企業的生命，在公司有效方針的領導下，全體上下，團結一致，共同進退，**協力把各方面工作做得更好，努力開創工作的新局面，公司的新高度，未來武漢京曉科技供應和您一起奔向更美好的未來，即使現在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結經驗，才能繼續上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！