遠少于PERC電池10個環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個環(huán)節(jié)，一方面有利于薄片化。未來可實現(xiàn)100μm厚度)和降低熱損傷進而降低硅片成本，另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現(xiàn)更優(yōu)成本分析HJT電池生產(chǎn)成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來主要的降本路徑隨著國產(chǎn)設(shè)備替代+規(guī)模化生產(chǎn)，未來HJT設(shè)備投資成本有望進一步降低2019年之前，HJT設(shè)備主要由外資品牌提供，設(shè)備成本約為10-20億元/GW2019年之后，HJT設(shè)備投資端逐漸進行國產(chǎn)廠商替代，邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進國產(chǎn)設(shè)備研發(fā)，HJT設(shè)備投資成本降至5-10億元/GW根據(jù)CPIA，2021年HJT設(shè)備成本進一步降至4億元/GW，主要得益于國產(chǎn)設(shè)備替代進程不斷加速根據(jù)Solarzoom預(yù)計，2022年HJT設(shè)備成本有望降至3億元/GW以內(nèi)產(chǎn)能梳理HJT電池產(chǎn)線與PERC產(chǎn)線不兼容，行業(yè)“新進者”紛紛布局HJT電池，使得目前HJT電池產(chǎn)線大部分仍以小規(guī)模為主1.愛康科技，規(guī)劃產(chǎn)能22GW，現(xiàn)有3GW，長興和泰興總共5GW，整體看長興10GW，泰興6GW，贛州6GW2.東方日升，規(guī)劃產(chǎn)能25GW，現(xiàn)有，寧海縣年產(chǎn)15GWN型碳高效異質(zhì)結(jié)電池片與15GW高效太陽能組件項目，周期30個月3.華晟新能源，規(guī)劃產(chǎn)能，現(xiàn)有產(chǎn)能，二期2GW產(chǎn)線于今年6月投產(chǎn)，三期。

    這種太陽能電池以高純的單晶硅棒為原料。定制電池片磨

    市場份額仍將穩(wěn)居轉(zhuǎn)化效率從單晶和多晶電池角度來看，PERC單晶電池效率始終高于PERC多晶電池從量產(chǎn)效率來看，PERC電池量產(chǎn)效率呈現(xiàn)逐年增長趨勢，PERC單晶電池量產(chǎn)效率由2016年的，據(jù)CPIA預(yù)計，2022年P(guān)ERC單晶電池量產(chǎn)效率將達，截至目前，單晶雙面PERC電池高效率記錄由隆基綠能于2019年1月創(chuàng)造，高效率達(CPVT認證)從理論極限效率來看，根據(jù)測試機構(gòu)德國哈梅林太陽能研究所(ISFH)測算，P型單晶硅PERC電池理論轉(zhuǎn)換效率極限為，P型PERC電池量產(chǎn)效率已十分逼近理論極限效率，效率提升空間有限二Con電池TOPCon是(TunnelOxidePassivatedContact)的縮寫，TOPCon電池屬于一種鈍化接觸型電池由于PERC電池金屬電極仍與硅襯底直接接觸，金屬與半導(dǎo)體的接觸界面由于功函數(shù)失配會產(chǎn)生能帶彎曲，并產(chǎn)生大量的少子復(fù)合中心，對太陽電池的效率產(chǎn)生負面影響若采用薄膜將金屬與硅襯底隔離，則可以減少少子復(fù)合。在電池背面制備一層超薄氧化硅，然后再沉積一層摻雜硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)，即是TOPCon技術(shù)超薄氧化層可以使多子電子隧穿進入多晶硅層，同時阻擋少子空穴復(fù)合，進而電子在多晶硅層橫向傳輸被金屬收集，極大地降低復(fù)合速率，提升了電池的開路電壓和短路電流。

    廣西電池片怎么樣單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15％左右，實驗室成果也有20％以上的。

    硅單晶Cz法拉制P型硅和N型硅的流程幾乎相同，但由于硼在硅中更易保證均勻性，故P型硅的制備相對簡單，工藝技術(shù)也更加成熟，目前在P型硅片襯底上生產(chǎn)的P型電池是市場主流N型電池目前較主流的技術(shù)為TOPCon(隧穿氧化層鈍化接觸)和HJT(本征薄膜異質(zhì)結(jié))N型電池通過電子導(dǎo)電，且硼氧原子對造成的光致衰減較少，因此光電轉(zhuǎn)換效率更高，將會是電池技術(shù)發(fā)展的主要方向?qū)Ρ萈型優(yōu)勢，N型電池片少子是空穴，硅片中雜質(zhì)對電子的捕獲遠大于空穴，根據(jù)普樂科技，在相同金屬雜質(zhì)污染的情況下，N型電池片表面復(fù)合速率低，少子壽命比P型電池片高1-2個數(shù)量級，能極大提升電池的開路電壓，電池轉(zhuǎn)換效率更高，晶體硅中硼含量極低，本質(zhì)上削弱了硼氧對的影響，光致衰減效應(yīng)接近于零，紅外透過率高，電流通道多根據(jù)摩爾光伏，N型電池片工作溫度較常規(guī)單玻組件低3-9°C，減小因溫度提高帶來的功率下降，根據(jù)摩爾光伏，N型電池片在輻照強度低于400W/m2的陰雨天及早晚仍可發(fā)電。四種主流技術(shù)路線一.PERC電池PERC(PassivatedEmitterandRearCell)電池，全稱為“發(fā)射極和背面鈍化電池”，是從常規(guī)鋁背場電池AL-BSF結(jié)構(gòu)自然衍生而來。

    未來的電池技術(shù)，現(xiàn)在看到我們剛才講的是P型PERC，未來的我們大家都在探討，有TOPN型的還有異質(zhì)結(jié)，還有鈣鈦礦技術(shù)。從我個人或者公司內(nèi)部認為鈣鈦礦單獨的大量利用可能還需要時間，終還是要鈣鈦礦和硅電池結(jié)合起來，這樣可能是為了光伏電池技術(shù)的發(fā)展。如果是把鈣鈦礦和硅做成疊層的結(jié)構(gòu)電池能夠量產(chǎn)，未來我相信電池的轉(zhuǎn)換效率超過30%甚至35%都是完全有可能。組件的封裝技術(shù)方面，各方面從提高光學(xué)利用率包括減少電耗損失以及增加電池密度各方面的技術(shù)，由于時間關(guān)系就跳過去了。事實上，從30年前開始，未來雙面電池將逐漸普及，因為它可以在不同的場景中增加發(fā)電能力，降低度電成本，未來雙面組件將逐漸成為主流，至少35年后，雙面組件將成為主流，因為雙面組件可以充分利用散色光。 擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就硅片上形成P>N結(jié)。

    提升電池轉(zhuǎn)換效率理論轉(zhuǎn)換效率居各種類電池，極限效率高達，高于HJT的，且接近晶體硅太陽能電池理論極限效率，頭部電池廠商量產(chǎn)平均效率突破24%，包括中來、隆基在內(nèi)的許多頭部公司已經(jīng)將實驗室效率做到了25%以上發(fā)展歷程，TOPCon技術(shù)出現(xiàn)并得到應(yīng)用TOPCon技術(shù)概念早由德國Frauhofer研究所于2013年提出，并于2015年研發(fā)出效率達到，同年德國Frauhofer研究所的ArminRichter團隊在P型FZ(區(qū)熔)硅片上應(yīng)用了TOPCon技術(shù)并達到，國內(nèi)廠商積極布局TOPCon技術(shù)2018年晶科能源在大面積商用硅片襯底上制備的N型TOPCon電池高效率達到了，轉(zhuǎn)換效率分別達到了，TOPCon有望規(guī)?；瘧?yīng)用國內(nèi)廠商加大對TOPCon技術(shù)的布局并步入行業(yè)前列2021年隆基綠能在單晶硅片商業(yè)化尺寸TOPCon電池效率上突破25%，N型TOPCon轉(zhuǎn)換效率達到了，TOPCon電池或?qū)㈤_始啟動規(guī)?；瘧?yīng)用三種工業(yè)化路線1.本征+擴磷:LPCVD制備多晶硅薄膜結(jié)合傳統(tǒng)的全擴散工藝優(yōu)勢:工藝目前相對成熟且耗時短，生產(chǎn)效率高，厚度均勻性好，致密度高，已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，為目前TOPCon廠商選取的主流路線劣勢:過度的繞鍍，石英件沉積問題，成膜速度慢目前晶科能源和天合光能都有布局，目前TOPCon電池工藝還是以該方法主流，成熟度比較高。

     用NaOH控制，絨面大時，少補加NaOH或干脆就不補加。定制電池片磨

用石英坩堝裝好多晶硅料，加入適量硼硅，放人澆鑄爐，在真空狀態(tài)中加熱熔化。定制電池片磨

    退火的作用是使硅錠內(nèi)部溫度一致，消除硅錠內(nèi)的應(yīng)力。冷卻冷卻階段隔熱籠慢慢打開，壓力逐漸上升，冷卻階段時間較長，其作用與退火一樣重要，直接影響硅錠的性能。太陽電池多晶硅錠是一種柱狀晶，晶體生長方向垂直向上，是通過定向凝固（也稱可控凝固、約束凝固）過程來實現(xiàn)的，即在結(jié)晶過程中，通過控制溫度場的變化，形成單方向熱流(生長方向與熱流方向相反），并要求液固界面處的溫度梯度大于0，橫向則要求無溫度梯度，從而形成定向生長的柱狀晶。鑄錠車間常見事項1、在熔化和長晶階段會出現(xiàn)熔化、中間長晶和邊部長晶三次報警。在鑄錠循環(huán)過程中，這兩個階段需密切關(guān)注。2、當(dāng)爐內(nèi)壓力低于980mbar時，需要對爐子進行充氣?；靥畈僮鲿r爐內(nèi)壓力大于這一數(shù)值時沒有自動停止，需自動停止。3、鑄錠過程中根據(jù)爐內(nèi)出現(xiàn)不同情況手動調(diào)整，如適當(dāng)延長長晶時間等。注意爐內(nèi)的水電、氣壓。五、硅錠的檢測,典型的電阻率分布呈現(xiàn)出上述的變化趨勢，尾高頭低。主要是因為所添加的母合金的分凝系數(shù)造成的，檢測硅錠中的電阻率是否出現(xiàn)異常。正常情況下的硅錠紅外檢測結(jié)果不會出現(xiàn)下圖紅域標(biāo)識的，造成此現(xiàn)象的原因可能為熱場不穩(wěn)定或硅料雜質(zhì)比較多造成的。定制電池片磨