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西藏五金制品商家電池片

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-09

    P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng),生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(PSG),磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體。刻蝕在擴(kuò)散工序,采用背靠背的單面擴(kuò)散方式,硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會(huì)擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽光照射,P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。刻蝕工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈,避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程:上片→蝕刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蝕堿槽的作用是為了拋光未制絨面,使電池片變得光滑;堿槽的主要溶液為KOH;H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來,并不參與反應(yīng)。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí),一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對較強(qiáng),選擇合適的氣體,就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng),實(shí)現(xiàn)刻蝕;另一方面,可利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使等離子體具有一定能量,當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí),硅片材料的原子擊出。

  這種太陽能電池以高純的單晶硅棒為原料。西藏五金制品商家電池片

    遠(yuǎn)少于PERC電池10個(gè)環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個(gè)環(huán)節(jié),一方面有利于薄片化。未來可實(shí)現(xiàn)100μm厚度)和降低熱損傷進(jìn)而降低硅片成本,另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現(xiàn)更優(yōu)成本分析HJT電池生產(chǎn)成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來主要的降本路徑隨著國產(chǎn)設(shè)備替代+規(guī)模化生產(chǎn),未來HJT設(shè)備投資成本有望進(jìn)一步降低2019年之前,HJT設(shè)備主要由外資品牌提供,設(shè)備成本約為10-20億元/GW2019年之后,HJT設(shè)備投資端逐漸進(jìn)行國產(chǎn)廠商替代,邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進(jìn)國產(chǎn)設(shè)備研發(fā),HJT設(shè)備投資成本降至5-10億元/GW根據(jù)CPIA,2021年HJT設(shè)備成本進(jìn)一步降至4億元/GW,主要得益于國產(chǎn)設(shè)備替代進(jìn)程不斷加速根據(jù)Solarzoom預(yù)計(jì),2022年HJT設(shè)備成本有望降至3億元/GW以內(nèi)產(chǎn)能梳理HJT電池產(chǎn)線與PERC產(chǎn)線不兼容,行業(yè)“新進(jìn)者”紛紛布局HJT電池,使得目前HJT電池產(chǎn)線大部分仍以小規(guī)模為主1.愛康科技,規(guī)劃產(chǎn)能22GW,現(xiàn)有3GW,長興和泰興總共5GW,整體看長興10GW,泰興6GW,贛州6GW2.東方日升,規(guī)劃產(chǎn)能25GW,現(xiàn)有,寧海縣年產(chǎn)15GWN型碳高效異質(zhì)結(jié)電池片與15GW高效太陽能組件項(xiàng)目,周期30個(gè)月3.華晟新能源,規(guī)劃產(chǎn)能,現(xiàn)有產(chǎn)能,二期2GW產(chǎn)線于今年6月投產(chǎn),三期。

    TB4鈦合金凸臺(tái)成型電池片是什么多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽能電池差不多。

    P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng),生成二氧化硅和磷原子,生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成磷-硅玻璃(PSG),磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體。3刻蝕在擴(kuò)散工序,采用背靠背的單面擴(kuò)散方式,硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會(huì)擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽光照射,P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。刻蝕工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈,避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程:上片→蝕刻槽(H2SO4HNO3HF)→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2,HF去除SiO2。刻蝕堿槽的作用是為了拋光未制絨面,使電池片變得光滑;堿槽的主要溶液為KOH;H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來,并不參與反應(yīng)。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí),一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對較強(qiáng),選擇合適的氣體,就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng),實(shí)現(xiàn)刻蝕;另一方面,可利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使等離子體具有一定能量,當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí),硅片材料的原子擊出。

    

    未來的電池技術(shù),現(xiàn)在看到我們剛才講的是P型PERC,未來的我們大家都在探討,有TOPN型的還有異質(zhì)結(jié),還有鈣鈦礦技術(shù)。從我個(gè)人或者公司內(nèi)部認(rèn)為鈣鈦礦單獨(dú)的大量利用可能還需要時(shí)間,終還是要鈣鈦礦和硅電池結(jié)合起來,這樣可能是為了光伏電池技術(shù)的發(fā)展。如果是把鈣鈦礦和硅做成疊層的結(jié)構(gòu)電池能夠量產(chǎn),未來我相信電池的轉(zhuǎn)換效率超過30%甚至35%都是完全有可能。組件的封裝技術(shù)方面,各方面從提高光學(xué)利用率包括減少電耗損失以及增加電池密度各方面的技術(shù),由于時(shí)間關(guān)系就跳過去了。事實(shí)上,從30年前開始,未來雙面電池將逐漸普及,因?yàn)樗梢栽诓煌膱鼍爸性黾影l(fā)電能力,降低度電成本,未來雙面組件將逐漸成為主流,至少35年后,雙面組件將成為主流,因?yàn)殡p面組件可以充分利用散色光。 熔化后應(yīng)保溫約20分鐘,然后注入石墨鑄模中,待慢慢凝固冷卻后,即得多晶硅錠。

    電池片產(chǎn)品的生命力或會(huì)凋零,但積蓄的技術(shù)底蘊(yùn)會(huì)成為企業(yè)無可替代的競爭力。在不可預(yù)知的技術(shù)浪潮里,投資者關(guān)注熱點(diǎn)題材的同時(shí),要提防過度樂觀的情緒色彩,理性看待,應(yīng)聚焦于企業(yè)穿越一次次光伏而沉淀下的判斷力和行動(dòng)力。電池片一般分為單晶硅、多晶硅、和非晶硅單晶硅太陽能電池是當(dāng)前開發(fā)得快的一種太陽能電池,它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型,產(chǎn)品已用于空間和地面。這種太陽能電池以高純的單晶硅棒為原料。為了降低生產(chǎn)成本,地面應(yīng)用的太陽能電池等采用太陽能級(jí)的單晶硅棒,材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料,經(jīng)過復(fù)拉制成太陽能電池的單晶硅棒。電池片工藝流程制絨(INTE)--擴(kuò)散(1DIF)---后清洗(刻邊/去PSG)----鍍減反射膜PECVD----絲網(wǎng)、燒結(jié)。(PRINTER)---測試、分選(TESTER+SORER----包裝(PACKING)。1、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面,以減少電池片的反射率,絨面凹凸不平可以增加二次反射,改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶,可以得到金字塔狀絨面;用酸處理多晶,可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。

     二氧化鈦通常都用在油漆、防曬霜和食用色素中,成本低廉,適合大量生產(chǎn)。西藏五金制品商家電池片

一次清洗與二次清洗的酸液不干凈,檢查酸液使用的次數(shù)有沒揮發(fā)等。西藏五金制品商家電池片

    絲網(wǎng)印刷通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極,道背面銀電極,第二道背面鋁背場的印刷和烘干;第三道正面銀電極的印刷,主要監(jiān)控印刷后的濕重和次柵線的寬度。第二道道濕重如果過大,既浪費(fèi)漿料,同時(shí)還可能導(dǎo)致不能在進(jìn)高溫區(qū)之前充分干燥,甚至不能將其中的所有有機(jī)物趕出從而不能將整個(gè)鋁漿層轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘黉X,另外濕重過大可能造成燒結(jié)后電池片弓片。濕重過小,所有鋁漿均會(huì)在后續(xù)的燒結(jié)過程中與硅形成熔融區(qū)域而被消耗,而該合金區(qū)域無論從橫向電導(dǎo)率還是從可焊性方面均不適合于作為背面金屬接觸,另外還有可能出現(xiàn)鼓包等外觀不良。第三道道柵線寬度過大,會(huì)使電池片受光面積較少,效率下降。印刷方法:物理印刷、烘干。燒結(jié)燒結(jié)是把印刷到電池片表面的電極在高溫下燒結(jié),使電極和硅片本身形成歐姆接觸,提高電池片的開路電壓和填充因子,使電極的接觸具有電阻特性以達(dá)到高轉(zhuǎn)效率,燒結(jié)過程中也可利于PECVD工藝所引入-H向體內(nèi)擴(kuò)散,可以起到良好的體鈍化作用。燒結(jié)方式:高溫快速燒結(jié),加熱方式:紅外線加熱燒結(jié)是集擴(kuò)散、流動(dòng)和物理化學(xué)反應(yīng)綜合作用的一個(gè)過程,正面Ag穿過SiNH擴(kuò)散進(jìn)硅但不可到達(dá)P-N面。背面Ag、Al擴(kuò)散進(jìn)硅。

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