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1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V...

諸如硅砂之類）包圍組成。不同區域應用，熔斷器式樣及安裝方式不盡相同，但熔斷器結構構成基本一致，如下所示：圖1.高壓熔斷器結構組成示意圖其中，熔體材質、熔體凹口配置、填充物質及加工質量都影響熔斷器分斷性能。目前，市場上EV/HEV用熔斷器熔體材質以銀為主，熔體形...

可控硅的工作原理是什么？ 可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：單向可控硅：單向可控硅能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷； 工作原理：可控硅實際上就是一個...

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業吸收作用元件，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路...

IGBT模塊的結溫控制對于延長模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對模塊的安全性的影響IGBT模塊的結溫升高會導致模塊的安全性下降。當結溫超過一定溫度時，模塊內部元器件會出現失效現象，從而導致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結溫的變化對模塊的電性能、可靠性、壽...

做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點。快速晶閘管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是...

晶閘管和可控硅，有什么區別？ 1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱晶閘管。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導體器件...

1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V...

而斷路器，只要電流一過其設定值就會跳閘，時間作用幾乎可以不用考慮。斷路器是低壓配電常用的元件。也有一部分地方適合用熔斷器。熔斷器和斷路器的性能比較：熔斷器：1、熔斷器的主要優點和特點1）選擇性好。上下級熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國標和IEC標準規定的過電流...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數據可根據試驗情況確定）。...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發生損壞器件的事故。影響串聯運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態伏安特性對靜態均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結溫也會使均...

可控硅又稱晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等。可控硅，是可控硅整流元件...

他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構...

且在門極伏安特性的可靠觸發區域之內；④應有良好的抗干擾能力、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯電路中，要求串聯的元件同一時刻導通，宜采用強觸發的形式。[1]晶閘管觸發方式主要有三種：①電...

[熔斷器]負荷開關與熔斷器配合使用的注意事項日期：2020-07-0808:39:22有關負荷開關與熔斷器配合使用的注意事項，熔斷器具有開斷短路電流能力，負荷開關作為負荷電流的切換，帶有撞擊器的熔斷器，配合具有脫扣裝置的負荷開關，可解決缺相運行問題。...[熔...

墓他3組上橋臂的控制信號輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應分別供電，而下橋臂的4組則共用一個15V直流電源。圖2控制信號輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內部的IGBT單元的過電壓和du/出或者過電流和di/dt，同時減小I...

圖1單管，模塊的內部等效電路多個管芯并聯時，柵極已經加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個模塊內部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內部的實際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“...

1、模塊電流規格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍...

它由電源變壓器、電源穩壓電路、三相同步電路及處理模塊、數字調節器、數字觸發器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉換電路、按鍵參數設定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發板技術參數⑴主電路閥側額定工作線電壓：≤...

電容單位是什么？ 納法。在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個單位太大，所以常用的電容單位有隱配毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，換算關系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μ...

鋰離子電池，超級電容器和燃料電池的區別?區別就是鋰電池可以存儲大量電荷，電荷存放時間很長，但是不能大電流放電。超級電容電荷存儲電荷較少，存放時間段，可以大電流放電。燃料電池就是一次性電池不能充電，用完就報廢了。這種電池電壓很低，電流也非常小，好處就是可以用很久...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結溫有關，結溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌...

進行逆變器設計時，IGBT模塊的開關損耗評估是很重要的一個環節。而常見的損耗評估方法都是采用數據手冊中IGBT或者Diode的開關損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準確性。本文介紹了一種采用逆變器系統的驅動板和母排對IGBT模塊進行損耗測試和評估的方法，通過簡單...

了解電容的內在關鍵參數，才能快速選型，可靠使用，所有的電容的關鍵參數都是一樣的，包括電容容值、電容的耐壓值、電容的ESR、電容容值精度、電容允許的工作溫度范圍。在開關電源設計中，使用頻率的電容是陶瓷電容、電解電容、鉭電容，需要了解它們的特性差異才能快速的進行選...

超級電容器為何不同于傳統電容器其"超級"在哪？ ◆超級電容器在分離出的電荷中存儲能量，用于存儲電荷的面積越大、分離出的電荷越密集，其電容量越大。 ◆傳統電容器的面積是導體的平板面積，為了獲得較大的容量，導體材料卷制得很長，有時用特殊的組織結構來...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數據可根據試驗情況確定）。...

鋁電解電容器基座的用途？ 電容器基座和絕緣板具體是是用在何用途的~比如電路板還是別的什么精確到行業！是不是所以的鋁電解電容器都需要基座配合使用。基座有2個用途：1，減震。大的電解電容體積較大，在運輸過程中會晃動，容易引起引線折斷。為此需要做的工作是加...

一般認為鋁電解電容器容景衰減的原因主要有以下三大原因：1.導針與鋁箔接觸不良導致接觸電阻增大造成容量衰減，如鉚接厚度超標、陽極鋁箔箔粉過多、刺鉚針和刺鉚孔處加油潤滑等原因；2.陽極箔或陰極箔含浸的電解液不足導致容量無法完全引出造成容量衰減，如電解液粘度高滲透能...

上拉電阻的其他作用：作用1、當TTL電路驅動CMOS電路時，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強輸出引腳的驅...