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上拉電阻的其他作用：作用1、當TTL電路驅動CMOS電路時，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強輸出引腳的驅...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高其電流放大系數a2，產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1，產生更...

熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器，利用金屬導體作為熔體串聯于電路中，當過載或短路電流通...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是...

除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩...

一個空穴電流（雙極）。當UCE大于開啟電壓UCE(th），MOSFET內形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導通。2)導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，通態壓降小。所謂通態壓降，是指IGBT進入導通狀態的管壓降UDS，這個電壓隨UCS上升而下降。3)關斷...

超級電容器取代鋰電池是有前提性的，如果不考慮體積，超級電容器取代鋰電池的時間不會很長，因為它較之于鋰電池有儲存容量大，可以大電流放點，這是鋰電池不可比擬的。但是要想做得像鋰電池那樣小，特別是用于手機等移動產品，那應該是很遙遠的事了。超級電容器的儲能原理不同于蓄...

茗熔熔斷器RO30C NT00C NH00C 25A-160A用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線路中作為半導體設備的短路保護（aR）。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國家標準G...

IXYS艾賽斯可控硅三相橋式整流器VUO82-18NO7 可控硅有多種分類方法。按關斷QS3861QG、導通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導型可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、...

茗熔快速熔斷器MRO RGS4 32A40A50A63A75A80A85A100A110A 660GH 用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線路中作為半導體設備的短路保護（aR）。本系列熔斷體額定分段能力...

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。**早出現與主...

定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）...

大電容和小電容的作用是什么？電容器是電路中非常重要的元件之一，其重要的作用就在于儲存電荷。根據其儲存電荷的數量不同，可分為大電容和小電容。這兩種電容器在電路中各有不同的應用，下面詳細討論它們的作用。一、大電容的作用大電容通常指電容值在數百微法以上的電容器，其作...

這種接法就相當于給予萬用表串接上了，使檢測電壓增加至3V(發光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。[8]二極管紅外發光二極管1.判別紅外發...

對于常用的硅二極管而言導通后正極與負極之間的電壓降為。根據二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構成的簡易直流穩壓電路工作原理。3只二極管導通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測方法檢測這一電路中的3只二極管為...

晶閘管（SCR）是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當***關領域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續工作時，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散...

否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰...

類型鋁電解電容器可以分為四類：1.引線型鋁電解電容器；2.牛角型鋁電解電容器；3.螺栓式鋁電解電容器；4.固態鋁電散磨解電容器。特點1.單位體積的電容量非常大，比其它種類的電容大幾十到數百倍。2.額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬μf甚至幾f（但不能和...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況；而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況（如圖中點劃線波形）。開通過程晶閘管的...

IGBT兩單元:SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DGAL斬波：SKM145GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DGAR斬波：...

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況；而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況（如圖中點劃線波形）。開通過程晶閘管的...

電容從物理學上講，它是一種靜態電荷存儲介質，可能電荷會長久存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補償、充放電、儲能、隔直流等電路中。 10uF就是106。在表示電...

斷態電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓**大上升率。通態電流臨界上升率di/dt：指在規定條件下，晶閘管能承受的**大通態電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附...

鋁電解電容器的工作原理:具有較高的單位體積電容值，而且幾乎可用于任何電子系統，包括用于過濾不需要的交流頻率，以及在一些應用中用于儲存能量。此外，由于它提供高電容值和低阻抗，因此也常用于DC-DC變換器、逆變器和電源之中。2、出于效率方面的考慮，人們一直非常關注...

電解電容其作用是：隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯的元件提供低阻抗通路。耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸到下一級電路。濾波：將整流以后的鋸齒波變為平滑的脈動波，接近于直流。儲能：儲存電能，用于必須要...

可控硅有多種分類方法。按關斷QS3861QG、導通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導型可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅及光控可控硅等多種；按電流容量大小不同，可控硅可分為大...

人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關斷時間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續導通。從切斷正向電流直到控制極...