911亚洲精品国内自产,免费在线观看一级毛片,99久久www免费,午夜在线a亚洲v天堂网2019

鍍膜的主要工藝有PVD和化學氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣。PVD技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強，清洗過程簡化，但在高功率下影響鍍膜質量。不同方法的選擇主要取決于產品用途與應用場景。（2）CVD技術主要通過化學反應生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質引入反應室，在襯底表面上進行化學反應生成薄膜。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。內蒙古鍍膜陶瓷靶材多少錢靶材是...

靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計算得出。熱噴涂的靶材結構疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過程中迅速導致放電，甚至燒毀靶材。同時，靶材濺射表面的高溫會迅速導致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質量。相對密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩定。根據靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對密度應在98%以上，粉末冶金靶材應在9...

ITO靶材生產過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環節。因高純金屬原料的品質影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環節技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導電性等特點，而以化合物、合金的形式被廣泛應用。目前，銦的主要應用領域是平板顯示領域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費量的80%；其次是半導體領域、焊料和合金領域、太陽能發電領域等。生產ITO靶材對于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產化合物半導體材料對于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。冷等靜壓法制...

從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優勢突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優點：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發展趨勢；2）產品的密度相對更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤滑劑；4）生產成本低，適合大規模生產。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進行砂磨。然后進行噴霧干燥，調節噴霧干燥塔參數，噴霧制備不同松裝密度的ITO...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應用于各個領域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨特的特點和優勢。首先，陶瓷靶材具有優異的化學穩定性和熱穩定性，能夠在高溫和復雜的化學環境下保持穩定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過程中能夠提供穩定的材料源，確保薄膜的質量和性能。其次，陶瓷靶材具有良好的機械性能和熱導性能。這使得陶瓷靶材在濺射過程中能夠承受高能量的離子轟擊和高溫的熱沖擊，不易發生破裂和變形。同時，陶瓷靶材的高熱導性能能夠有效地散熱，保持靶材表面的穩定溫度，提高濺射過程的效率和穩定性。此外，陶瓷靶材具有優異的光學性能和電學性能。不同種類的陶瓷靶材具有不同的光...

薄膜晶體管液晶顯示面板（TFT-LCD）是當前的主流平面顯示技術。薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊固體，使固體表面的原子電離后沉積在玻璃基板上，經過反復多次的“沉積+刻蝕”，一層層（一般為7－12層）地堆積制作出薄膜晶體管陣列。這種被轟擊的固體，即用濺射法沉積薄膜的原材料，就被稱作濺射靶材。除LCD外，近年來快速發展的OLED面板產業靶材需求增長也十分明顯。OLED典型結構是在氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發光材料，ITO透明電極作為器件的陽極，鉬或者合金材料作為器件的陰極。平板顯示制造中主要使用的靶材為鉬鋁銅金屬靶材和氧化銦錫（ITO）靶材。目前國內...

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，涉及高純金屬、晶粒取向調控。在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。（2）背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在機臺內完成濺射過程。機臺內部為高電壓、高真空環境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板需要具備良好的導電、導熱性能。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。中國香港氧化鋅陶瓷靶材價錢磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經過一系列的生產工藝加工成型，再高溫氣氛燒結（1600度，通氧氣燒結）形成的黑灰色陶瓷半導體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規格的LED、OLED等領域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點。 ITO靶材中氧化銦：氧化錫的配比分為90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。...

靶材主要由靶坯、背板等部分組成：其中，靶坯是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，即高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的重要部分部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上，制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內完成濺射過程，機臺內部為高電壓、高真空環境。因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板主要起到固定濺射靶材的作用，需要具備良好的導電、導熱性能。靶材相對密度對大面積鍍膜的影響靶材的相對密度是靶材的實際密度與理論密度之比。天津陶瓷...

濺射靶材開裂原因生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產產生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應力。這些內應力是在靶材制造發展過程中可以產生的。此外，這些應力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經發展存在的內應力將會增加到許多...

濺射靶材開裂原因生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產產生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應力。這些內應力是在靶材制造發展過程中可以產生的。此外，這些應力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經發展存在的內應力將會增加到許多...

陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點：1.導電性:金屬靶材都具有導電性,可以適應各種不同電源類型機臺,而陶瓷靶材因為大部分不具備導電性,只能使用射頻電源. 2.導熱性:金屬靶材導熱性能好,濺射時可以大功率運行.陶瓷靶材導熱性較差,濺射時功率不宜過高.復合性:3. 金屬靶材內很難摻入其他陶瓷類物質,濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據需要摻入不同金屬及陶瓷類物質,濺射后可以形成多種物質組成的復合膜層,這點陶瓷靶材比金屬靶材占優.陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點。福建陶瓷靶材咨詢報價超大規模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術之一...

背板材料：無氧銅(OFC)–目前經常使用的作背板的材料。因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。如果保養適當，無氧銅背板可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進行高溫貼合的條件下，無氧銅容易被氧化和發生翹曲，所以會使用金屬鉬為背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背板材料。不銹鋼管(SST)–目前**常使用不銹鋼管作為旋轉靶材的背管，因為不銹鋼管具有良好的強度和導熱性而且非常經濟。 背板重復使用大部分背板可以重復使用，尤其是采用金屬銦進行貼合的比較容易進行清潔和重新使用。...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應用于各個領域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨特的特點和優勢。首先，陶瓷靶材具有優異的化學穩定性和熱穩定性，能夠在高溫和復雜的化學環境下保持穩定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過程中能夠提供穩定的材料源，確保薄膜的質量和性能。其次，陶瓷靶材具有良好的機械性能和熱導性能。這使得陶瓷靶材在濺射過程中能夠承受高能量的離子轟擊和高溫的熱沖擊，不易發生破裂和變形。同時，陶瓷靶材的高熱導性能能夠有效地散熱，保持靶材表面的穩定溫度，提高濺射過程的效率和穩定性。此外，陶瓷靶材具有優異的光學性能和電學性能。不同種類的陶瓷靶材具有不同的光...

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及燒結靶材；2、節省成本，防止變形，如靶材太貴，可將靶材做薄些，綁定背靶以防止變形。三、背靶的選擇 1、常用無氧銅，導電性好，無氧銅的導熱性比紫銅好；2、厚度適中，一般建議背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。四、綁定過程 1、綁定前將靶材和背靶表面預處理2、將靶材和背靶放置在釬焊臺上，升溫...

透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關鍵。高質量的成品 ITO 濺射靶應具有99%的相對密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導熱率及較高的機械強度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導電薄膜。甚至可以在有機材料上濺射 ITO 導電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結法，其相對密度能達到 99%以上，燒...

主要PVD方法的特點：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專業性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。（4）終端應用：1）半導體芯片：單元器件中的介質層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產率和降低成本，濺射技術鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計算機儲存器：磁信息存儲、磁光信息存儲和全光信息存儲等。在光盤、機械硬盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。靶材是半導體、顯示面板、異質結光...

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉化效率較高、性能穩定，且各個產業環節比較成熟，占據了太陽能電池市場的主導地位。而晶體硅太陽能電池按照生產工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高轉化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領域。靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：一，它是各單體電池的負極；二，它是各自電池串聯的導電通道；三，它可以增加太陽能電池對光的反射。太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對純度要...

鍍膜的主要工藝有PVD和化學氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣。PVD技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強，清洗過程簡化，但在高功率下影響鍍膜質量。不同方法的選擇主要取決于產品用途與應用場景。（2）CVD技術主要通過化學反應生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質引入反應室，在襯底表面上進行化學反應生成薄膜。在顯示面板和觸控屏兩個產品生產環節需要使用靶材，主要用于ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是I...

磁控濺射的工作原理簡單說就是利用磁場與電場交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時也把動能傳導進去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜。“這層薄膜非常薄，往往都在納米量級，是人類肉眼看不見的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的薄膜面積可達幾萬甚至十幾萬平方米，鍍膜后產生的價值遠超過靶材本身的價值，靶材起的作用非常關鍵，所以我常將靶材稱為小而美、小而精的材料。”“別小看這些薄膜材料，它們是很多功能器件得以大顯神威的主要材料。”冷等靜壓法制備ITO靶材優點。湖南陶瓷靶材咨詢報價 背板材料：無氧銅(OFC)–目前經常使用的作背板的材料。因為無氧銅具有良好的導電性和...

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發生復雜的物理化學變化,ITO靶材表面會產生許多小的結瘤,這個現象被稱為ITO靶材的毒化現象。靶材結瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴重降低濺射鍍膜效率。目前對于結瘤形成機理尚未有統一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認為結瘤是In2O3、分解所致,導電導熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結瘤進一步發展;姚吉升等研究了結瘤物相組成及化學組分,認為結瘤是偏離了化學計量的IT...

平板顯示行業主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環節需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經過鍍膜，加工組裝用于生產LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產則還需將ITO 玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極，再與防護屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了...

從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優勢突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優點：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發展趨勢；2）產品的密度相對更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤滑劑；4）生產成本低，適合大規模生產。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進行砂磨。然后進行噴霧干燥，調節噴霧干燥塔參數，噴霧制備不同松裝密度的ITO...