利用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。設器件內部的反向恢電荷為Qrr,有關系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知,當IRM為一定時,反向恢復電荷愈小,反向恢復時間就愈短。(2)常規檢測方法在業余條件下,利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向導電性,以及內部有無開路、短路故障,并能測出正向導通壓降。若配以兆歐表,還能測量反向擊穿電壓。實例:測量一只C90-02超快恢復二極管,其主要參數為:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔,讀出正向電阻為Ω,n′=;反向電阻...
在開關電源中,二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率,開關電源中的整流電路可以分為一次整流電路(低頻整流)和二次整流電路(高頻整流)。其中,一次整流電路指的是對市電交流電(頻率為50Hz或60Hz)進行整流,二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向導電性把交流電變成單向脈動直流電,但是它們對二極管參數的要求的側重點不同。一次整流電路選擇二極管時主要考慮功率損耗和反向阻斷能力,也就是二極管參數中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時除考慮正向壓降UF、反向電...
在開關電源中,二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率,開關電源中的整流電路可以分為一次整流電路(低頻整流)和二次整流電路(高頻整流)。其中,一次整流電路指的是對市電交流電(頻率為50Hz或60Hz)進行整流,二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向導電性把交流電變成單向脈動直流電,但是它們對二極管參數的要求的側重點不同。一次整流電路選擇二極管時主要考慮功率損耗和反向阻斷能力,也就是二極管參數中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時除考慮正向壓降UF、反向電...
快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,后者則在100ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低()、反向恢復時間很短(2-10ns納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。肖特基二極管和快恢復二極管區別:前者的恢復時間比后者小一...
在開關電源中,二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率,開關電源中的整流電路可以分為一次整流電路(低頻整流)和二次整流電路(高頻整流)。其中,一次整流電路指的是對市電交流電(頻率為50Hz或60Hz)進行整流,二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向導電性把交流電變成單向脈動直流電,但是它們對二極管參數的要求的側重點不同。一次整流電路選擇二極管時主要考慮功率損耗和反向阻斷能力,也就是二極管參數中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時除考慮正向壓降UF、反向電...
對充電限流電阻進行短接的開關,目前一般都采用機械接觸器,但由于環境的影響,特別是在濕度大或帶粉塵的環境下,往往會使觸頭損壞,另外接觸器接通和斷開時產生電弧,致使接觸器壽命縮短而損壞,從而嚴重影響變頻器的穩定可靠工作。為了解決上述存在的問題,常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管,采用晶閘管替代機械接觸器,制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關模塊”,這種模塊用于變頻器后,能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作穩定可靠。本公司生產的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)的主要參數見表1。4結束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發成功的“三相整...
空穴為少數載流子。[6]因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和PN結五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V,在這個外加電場的作用下,PN結的平衡狀態被打破,P區中的空穴和N區的電子都要PN結移動,空穴和PN結P區的負離子中和,電子和PN結N區的正離子中和,這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加,擴散運動進一步增強,漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓,PN結相當于一個...
[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續工作時,允許通過的大正向平均電流值,其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為141℃左右,鍺管為90℃左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下,二極管使用中不要超過二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向導電能力。為了保證使用安全,規定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負電極(1)觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號,帶有三角形箭頭...
外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結長久性損壞。[1]二極管原理應用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路,即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型,因此結電容較大,使其工作頻率較低,一般為3kHZ以下。2.開關二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導通狀態,相當于一只接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止狀態,如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特...
在選用IGBT模塊前,應詳細閱讀模塊參數表,了解模塊的各項技術指標;根據模塊的各項技術參數確定使用方案,汁算通態損耗和開關損耗,選擇相匹配的散熱器及驅動電路。應用中不能超過數據表中所列的大額定值,工作頻率愈高,工作電流愈小;基于可靠性的原因,必須考慮安全系數。不同廠家生產的模塊由于其設計和工藝的不同,其產品的技術指標會有很大的差別,因此,在選用時需要特別注意以下幾點。1.絕緣材料的選取由于不同絕緣材料的熱導率有很大的差別,其價格也相差很大,因此,導致不同廠家生產的同一外形結構的模塊,其實際允許通過的電流容量存在很大的差異。2.芯片的選取為了保證模塊達到額定電流的容量,首先要保證芯片的通...
這種接法就相當于給予萬用表串接上了,使檢測電壓增加至3V(發光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時,用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極管的兩管腳。若管子性能良好,必定有一次能正常發光,此時,黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。[8]二極管紅外發光二極管1.判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。[8]2.先測量紅個發光二極管的正、反向電阻,通常正向電阻應在30k左右,反向電阻要在500k以上,這樣的管子才可正常使用。[8]二極管紅外接收二...
其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。快恢復二極管:有,35-85nS的反向恢復時間,在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源...
各種二極管的區別TVS管:TVS管超過它的耐壓值后,會瞬間導通短路,反應速度在ns級,而穩壓管是穩壓作用的,超過它的穩壓值,只要功率不超過它的耐受值,就會穩定在它的穩壓值范圍內。TVS是瞬態抑制二極管,主要是用來抑制瞬時電壓尖峰,減少尖峰電壓對元器件的損耗。雙向擊穿二極管也稱瞬態電壓抑制二極管(TVS),是一種具有雙向穩壓特性和雙向負阻特性的過壓保護器件,類似于壓敏電阻器。它應用于各種交流及直流電源電路中,用來抑制瞬間過電壓。當被保護電路瞬間出現浪涌脈沖電壓時,雙向擊穿二極管能迅速齊納擊穿,由高阻狀態變為低阻狀態,對浪涌電壓進行分流和箝位,從而保護電路中各元件不被瞬間浪涌脈沖電壓損壞。...
一、什么是快恢復二極管快恢復二極管通常用于較高頻率的整流和續流的產品。一般用于電源模塊的輸入部份,頻率不高,不必用快恢復二極管,用普通二極管即可。相對二極管來說,加在其兩端的電壓由正向變到反向時,響應時間一般很短,而相反的由反向變正向時其時間相對較長,此即為反向恢復時間,當二極管用做高頻整流等時,要求反向恢復時間很短,此時就需要快恢復二極管(FRD),更高的超快恢復二極管(SRD),開關二極管,快的是肖特基管(其原理不同于以上幾個二極管)。二、快恢復二極管特性快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管,主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等...
空穴為少數載流子。[6]因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和PN結五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V,在這個外加電場的作用下,PN結的平衡狀態被打破,P區中的空穴和N區的電子都要PN結移動,空穴和PN結P區的負離子中和,電子和PN結N區的正離子中和,這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加,擴散運動進一步增強,漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓,PN結相當于一個...
在開關電源中,二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率,開關電源中的整流電路可以分為一次整流電路(低頻整流)和二次整流電路(高頻整流)。其中,一次整流電路指的是對市電交流電(頻率為50Hz或60Hz)進行整流,二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向導電性把交流電變成單向脈動直流電,但是它們對二極管參數的要求的側重點不同。一次整流電路選擇二極管時主要考慮功率損耗和反向阻斷能力,也就是二極管參數中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時除考慮正向壓降UF、反向電...
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復,否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜...
近期又開發出了“三相超快恢復分公司極管整流橋開關模塊”(其型號為MFST),由于這種模塊與采用3~5普通整流二極管相比具有反向恢復時間(trr)短,反向恢復峰值電流(IRM)小和反向恢復電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪音降低,從而使變頻器的EMI濾波電路內的電感和電容尺寸減小,價格下降,使變頻器更易符合國內外抗電磁干擾(EMI)標準。1模塊的結構及特點FRED整流橋開關模塊是由六個超快恢復二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內制成,模塊內部的電聯接方式如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個FRED芯片,相互聯成三相整...
對充電限流電阻進行短接的開關,目前一般都采用機械接觸器,但由于環境的影響,特別是在濕度大或帶粉塵的環境下,往往會使觸頭損壞,另外接觸器接通和斷開時產生電弧,致使接觸器壽命縮短而損壞,從而嚴重影響變頻器的穩定可靠工作。為了解決上述存在的問題,常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管,采用晶閘管替代機械接觸器,制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關模塊”,這種模塊用于變頻器后,能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作穩定可靠。本公司生產的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)的主要參數見表1。4結束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發成功的“三相整...
近期又開發出了“三相超快恢復分公司極管整流橋開關模塊”(其型號為MFST),由于這種模塊與采用3~5普通整流二極管相比具有反向恢復時間(trr)短,反向恢復峰值電流(IRM)小和反向恢復電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪音降低,從而使變頻器的EMI濾波電路內的電感和電容尺寸減小,價格下降,使變頻器更易符合國內外抗電磁干擾(EMI)標準。1模塊的結構及特點FRED整流橋開關模塊是由六個超快恢復二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內制成,模塊內部的電聯接方式如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個FRED芯片,相互聯成三相整...
在選用IGBT模塊前,應詳細閱讀模塊參數表,了解模塊的各項技術指標;根據模塊的各項技術參數確定使用方案,汁算通態損耗和開關損耗,選擇相匹配的散熱器及驅動電路。應用中不能超過數據表中所列的大額定值,工作頻率愈高,工作電流愈小;基于可靠性的原因,必須考慮安全系數。不同廠家生產的模塊由于其設計和工藝的不同,其產品的技術指標會有很大的差別,因此,在選用時需要特別注意以下幾點。1.絕緣材料的選取由于不同絕緣材料的熱導率有很大的差別,其價格也相差很大,因此,導致不同廠家生產的同一外形結構的模塊,其實際允許通過的電流容量存在很大的差異。2.芯片的選取為了保證模塊達到額定電流的容量,首先要保證芯片的通...
能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流,一般用在電視機電路中,常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計算器等顯示器上。8.穩壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的,在電路中其兩端的電壓保持基本不變,起到穩定電壓的作用。常用的穩壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發觸發二極管又稱雙向觸發二極管(DIAC)屬三層結構,具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅;在電路中作過壓保護等用途。[1]二極管原理類型編輯二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據其不同用途,可分為檢波二極管...
模塊化結構提高了產品的密集性、2d228d66-1f57-4754-a977-a1b和可靠性,同時也可降低裝置的生產成本,縮短新產品進入市場的周期,提高企業的市場競爭力。由于電路的聯線已在模塊內部完成,因此,縮短了元器件之間的連線,可實現優化布線和對稱性結構的設計,使裝置線路的寄生電感和電容參數降低,有利于實現裝置的高頻化。此外,模塊化結構與同容量分立器件結構相比,還具有體積小、重量輕、結構緊湊、外接線簡單、便于維護和安裝等優點,因而縮小了裝置的何種,降低裝置的重量和成本,且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2.5kV以上有效值的絕緣耐壓,使之能與裝置內各種模塊共同安...
利用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。設器件內部的反向恢電荷為Qrr,有關系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知,當IRM為一定時,反向恢復電荷愈小,反向恢復時間就愈短。(2)常規檢測方法在業余條件下,利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向導電性,以及內部有無開路、短路故障,并能測出正向導通壓降。若配以兆歐表,還能測量反向擊穿電壓。實例:測量一只C90-02超快恢復二極管,其主要參數為:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔,讀出正向電阻為Ω,n′=;反向電阻...
使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩只快恢復二極管,根據兩只二極管接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復二極管(單管)的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復二極管的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝,主要技術指標見表1。幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測方法1)測量反向恢復時間...
由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低)。肖特基二極管是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。穩壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結反向擊穿狀態,其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象,制成的起穩壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很小的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定,穩壓二極管是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。穩壓二極管可以串聯起...
是極有發展前途的電力、電子半導體器件。1.性能特點1)反向恢復時間反向恢復時間tr的定義是:電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為比較大反向恢復電流。Irr為反向恢復電流,通常規定Irr=。當t≤t0時,正向電流I=IF。當t>t0時,由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時刻,I=0。然后整流器件上流過反向電流IR,并且IR逐漸增大;在t=t2時刻達到比較大反向恢復電流IRM值。此后受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,并在t=t3時刻達到規定值...