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二極管VD導(dǎo)通，發(fā)射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點電位UE隨之下降，出現(xiàn)了IE增大UE反而降低的現(xiàn)象，稱為負阻效應(yīng)。發(fā)射極電流IE繼續(xù)增加，發(fā)射極電壓UE不斷下降，當UE下降到谷點電壓UV以下時，單結(jié)晶體管就進入截止狀態(tài)。八、怎樣利用單結(jié)晶體管模塊組成晶閘管觸發(fā)電路呢?單結(jié)晶體管模塊組成的觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路在大家制作的調(diào)壓器中已經(jīng)具體應(yīng)用了。為了說明它的工作原理，我們單獨畫出單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電路(圖8)。它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關(guān)S后，電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當UC上升到單結(jié)晶體管的峰點電壓UP時...

晶閘管也是在電器元器件中普遍存在的一種產(chǎn)品。軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán)，所以保護好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去，就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設(shè)備有，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環(huán)境的溫度問題，若工作環(huán)境的溫度過高則...

即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機中，應(yīng)用于點焊、電阻焊機中的晶閘管模塊MTX系列;應(yīng)用于CO2氣體保護焊機、WSM普通焊機等MTG系列模塊。晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當晶閘管模塊額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，...

否則會損壞管子和相關(guān)的控制電路。正高談晶閘管模塊是調(diào)光器中的作用調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備，應(yīng)用范圍在我們的生活中，那么晶閘管模塊在調(diào)光器中有哪些作用，下面正高電氣詳細的為大家介紹。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實質(zhì)上就是一個交流調(diào)壓器，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比，晶閘管模塊調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機理，它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對于普通反向阻斷型晶閘管模塊，其閘流特性表現(xiàn)為當晶閘管模塊加上正向陽極電壓的同時又加上適當?shù)恼蚩刂齐妷簳r，晶閘管模塊就導(dǎo)通；這...

晶閘管模塊為什么會燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負載能力差，因此在應(yīng)用中時常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結(jié)構(gòu)特性決定的。因此，要保證在開發(fā)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量，應(yīng)從電氣、熱、結(jié)構(gòu)特性三個方面入手，這三個方面緊密相連，密不可分。因此，在開發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時，應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動管燒壞。因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點，也就是說，如果其中一個應(yīng)力不符合要求，可以采取...

如果平板式晶閘管模塊陽極和陰極之間施加的是交流電壓或脈動直流電壓，則平板式晶閘管模塊將在零電壓下自行關(guān)閉。歸類總結(jié)起來就是：1.用較小功率控制較大功率，功率方法倍數(shù)可達到的幾十萬倍2.控制系統(tǒng)靈敏，反應(yīng)快，平板式晶閘管模塊的導(dǎo)通和截止到了微秒級3.損耗小，平板式晶閘管模塊本身的壓降只有約1伏特4.體積小、重量輕以上就是平板式晶閘管模塊的優(yōu)勢以及特點，希望通過這篇文章可以對您有所幫助。晶閘管模塊的八個優(yōu)點晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、焊接、穩(wěn)壓電源等行業(yè)，也可用于交流電機軟起動和直流電機調(diào)速。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點嗎？下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點。...

發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，也就是控制角和導(dǎo)通角都相等，那么，單結(jié)晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準確地配合以實現(xiàn)有效的控制呢?為了實現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”，必須使晶閘管模塊承受正向電壓的每半個周期內(nèi)，觸發(fā)電路發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。十、怎樣才能做到同步呢?大家再看調(diào)壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導(dǎo)通時，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點電壓UP時，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導(dǎo)通...

這兩種操作方式的區(qū)別在于：晶閘管模塊由電流控制，而IGBT模塊由電壓變化控制系統(tǒng)開關(guān)。IGBT可以關(guān)閉，但晶閘管只能在零時關(guān)閉，并且IGBT的工作頻率高于晶閘管模塊。在中國，IGBT是一種全控型電壓可以創(chuàng)新、推動經(jīng)濟發(fā)展的半導(dǎo)體開關(guān)，可對晶閘管的開關(guān)量進行控制；晶閘管工作者需要我們通過電流脈沖數(shù)據(jù)技術(shù)驅(qū)動的管理系統(tǒng)開放，一旦有一個企業(yè)開關(guān)量很小，門極就不能關(guān)斷，就需要在主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計中將電流關(guān)斷或很小的電流關(guān)斷。可控硅模組像開關(guān)技術(shù)一樣開關(guān)電流，像閘門一樣阻止水流。其重要作用就是我們有一個“門”字；所以，晶閘管有兩種工作狀態(tài)，一種是引導(dǎo)狀態(tài)，另一種是電流狀態(tài)；晶閘管的狀態(tài)及其變化方式，它有自...

采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。需要注意的是當晶閘管模塊需要同時串聯(lián)和并聯(lián)時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。在電氣行業(yè)中，晶閘管模塊和二極管模塊是很常見的器件，它們的區(qū)別的也是很大的，完全是兩種不同的器件，晶閘管模塊有單向和雙向之分，通常的晶閘管模塊，開通后不能自行關(guān)斷，需要在外加電壓下降到0甚至反向時才關(guān)斷；二極管模塊是一個單向?qū)щ娖骷＞чl管模塊是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅模塊；晶閘管模塊是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管模塊具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流...

控制信號與輸出電流、電壓是線性關(guān)系；模塊內(nèi)有無保護功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過流、缺相等保護功能。模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā)，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識，希望對您有所幫助。晶閘管模塊被燒壞的原因晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣，大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用，小到日常生活中的應(yīng)用，但是如果有使用不當?shù)臅r候就會造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電...

可對晶閘管的開關(guān)量進行控制；晶閘管工作者需要我們通過電流脈沖數(shù)據(jù)技術(shù)驅(qū)動的管理系統(tǒng)開放，一旦有一個企業(yè)開關(guān)量很小，門極就不能關(guān)斷，就需要在主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計中將電流關(guān)斷或很小的電流關(guān)斷。可控硅模組像開關(guān)技術(shù)一樣開關(guān)電流，像閘門一樣阻止水流。其重要作用就是我們有一個“門”字；所以，晶閘管有兩種工作狀態(tài)，一種是引導(dǎo)狀態(tài)，另一種是電流狀態(tài)；晶閘管的狀態(tài)及其變化方式，它有自己的國家控制極，也稱為觸發(fā)極，當控制系統(tǒng)施加電壓時，觸發(fā)極晶閘管的狀態(tài)可以逆轉(zhuǎn)，對于不同材料學習和經(jīng)濟結(jié)構(gòu)的晶閘管，控制極的控制信號電壓的性質(zhì)、幅值、作用方式等各不相同。可控硅導(dǎo)通后，門極將失去自控信息系統(tǒng)的作用，所以門極控制問題交流...

總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管模塊需要50~100微秒以上才能多面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管。控制極觸發(fā)小晶閘管模塊后，小晶閘管模塊的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實際強觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管模塊是由三個P-N結(jié)組成的。每個結(jié)相當于一個電容器。結(jié)電壓急劇變...

以上就是晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用，希望對您有所幫助。晶閘管模塊串聯(lián)時對于數(shù)量有什么要求以及注意事項晶閘管模塊經(jīng)常會用到電壓設(shè)備中，有些設(shè)備是在高壓領(lǐng)域運行的，所以一個晶閘管模塊承受不住度的電壓，這時候就需要晶閘管模塊串聯(lián)，這樣可以達到一個良好的運行效果，下面正高電氣來講講晶閘管模塊串聯(lián)時對于數(shù)量有什么要求以及注意事項。舉例來說：加在一個高壓整流橋臂兩端的電壓為有效值10000伏，其電壓的較大值即峰值為14100伏，如選用正反向重復(fù)峰值電壓為4000伏的晶閘管模塊，則需幾只串聯(lián)?首先要解釋一下何為晶閘管模塊的正反向重復(fù)峰值電壓?所謂正反向重復(fù)峰值電壓即為該晶閘管模塊所能承擔的較高電壓。這...

總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管模塊需要50~100微秒以上才能多面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管。控制極觸發(fā)小晶閘管模塊后，小晶閘管模塊的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實際強觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管模塊是由三個P-N結(jié)組成的。每個結(jié)相當于一個電容器。結(jié)電壓急劇變...

發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，也就是控制角和導(dǎo)通角都相等，那么，單結(jié)晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準確地配合以實現(xiàn)有效的控制呢?為了實現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”，必須使晶閘管模塊承受正向電壓的每半個周期內(nèi)，觸發(fā)電路發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。十、怎樣才能做到同步呢?大家再看調(diào)壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導(dǎo)通時，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點電壓UP時，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導(dǎo)通...

確保電路正常工作而沒有元器件被損壞。這也是多元件在運行的時候都會配上一個電容或電阻，以減少元件電流或電壓，從而讓元件能正常的工作。因此，晶閘管模塊運行都要并聯(lián)一個RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)來保護它正常的工作，以達到效率高運行，經(jīng)濟可靠。怎么使用智能晶閘管調(diào)壓模塊隨著科技與社會的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認知，因為它在機器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個功能端相對，如...

利用其電路對電網(wǎng)進行控制和改造是一種簡單、經(jīng)濟的方法。然而，該裝置的運行會產(chǎn)生波形失真，降低功率因數(shù)，影響電網(wǎng)質(zhì)量。雙向晶閘管可以看作是一對反向并聯(lián)晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓調(diào)功電路中。正負脈沖均可觸發(fā)傳導(dǎo)，因此其控制電路相對簡單。其缺點是換相能力差，觸發(fā)靈敏度低，關(guān)斷時間長。其電平已超過2000V/500A。光控晶閘管是利用光信號控制晶閘管觸發(fā)和導(dǎo)通的裝置。它具有較強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的暫態(tài)過電壓承受能力，因此被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）、靜止無功補償（SVC）等領(lǐng)域。其發(fā)展水平約為8000v/3600a。逆變晶閘管關(guān)斷時間短（10～15s），主要用于中頻感應(yīng)加...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上，是正高對晶閘管損壞原因診斷說明，希望對于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因為不能自行關(guān)斷（gto是例外）。場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和...

四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。現(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管模塊導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上...

觸發(fā)脈沖越陡，上升時間越短的情況下，晶閘管模塊的開通時間也越短。三.晶閘管模塊可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求(1)一般要求：觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT;脈沖上升時間：tr≤1μs;(2)高di/dt下運用：器件在高di/dt下運用時，特別是當晶閘管的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V，或在門極線路上串聯(lián)二極管，防止門極電流倒流。(3)晶閘管模塊串并聯(lián)使用晶閘管模塊的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應(yīng)用...

它在電加熱爐中也發(fā)揮著重要的作用，通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用。晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管（可控硅）調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊，其他電壓的晶閘管模塊需要訂做。對晶閘管模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅...

并且在1958年用于商業(yè)化在工作過程中，其陽極（a）和陰極（k）與電源和負載相連，構(gòu)成它的主電路。柵極g和陰極K與控制的裝置相連，并形成控制電路。它是一種半控電力電子器件。其工作條件如下：1.如果它承受反向陽極的電壓的時候，無論門極承受一樣的電壓，都會處于一個反向阻斷的一個狀態(tài)。2.當它承受正極電壓時，只有在柵極低于正向電壓時才會導(dǎo)通。此時，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài)，這是晶閘管的晶閘管的晶閘管可控特性。3.只要有一定的正極電壓，不管柵極電壓如何，都保持導(dǎo)通狀態(tài)，即使導(dǎo)通后，閘極將失去功能。大門只起到觸發(fā)作用。4當接通時，當主電路的電壓（或電流）降至接近零時，正高電氣提醒您晶閘管模塊將會關(guān)閉。晶閘管...

在圖1所示的四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度低，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。二、可控硅模塊過載的保護可控硅模塊優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用;(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的～2倍來取;(3)為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措...

它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管模塊的特點：是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管模塊會自行關(guān)斷。三、用萬用表可以區(qū)分晶閘管模塊的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管模塊的三個電極可以...

由于其具有極快的開關(guān)速度和無觸點關(guān)斷等特點，將會使控制系統(tǒng)的質(zhì)量和性能大為改善。大量地應(yīng)用智能晶閘管模塊會節(jié)省大量的金屬材料，并使其控制系統(tǒng)的體積減少，還可使非常復(fù)雜的多個電氣控制系統(tǒng)變得非常簡單。用計算機集中控制，實現(xiàn)信息化管理，且運行維護費用很低。智能晶閘管模塊節(jié)能效果非常明顯，這對環(huán)保很有意義。如何晶閘管模塊的參數(shù)晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向...

SCR是主流的功率器件，IGBT模塊發(fā)展迅速，大有取代SCR的趨勢。SCR在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導(dǎo)地位。性能優(yōu)良的晶閘管派生器件有很多，如快速、雙向、逆導(dǎo)、門極可關(guān)斷及光控等晶閘管。IGBT晶閘管，其結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極場效應(yīng)晶體管，可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)管斷，所以稱為全控器件；IGBT晶閘管優(yōu)點：輸入阻抗高、開關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。應(yīng)用于小體積變頻電源、電機調(diào)速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展較為迅速的新一代功率器件。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，IGBT模塊已經(jīng)在很多運用場合取代了SCR。晶閘管模塊和IGBT模塊工作原理對比兩...

假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時間的反向偏置電壓，也不會誤導(dǎo)通，這說明晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時間恢復(fù)其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時聞間隔是可控硅的關(guān)斷時間tg，由反向恢復(fù)時間t和門極恢復(fù)時間t構(gòu)成，普通晶閘管模塊的tg約150-200μs，通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負載的情況下可作一些選擇。在中頻逆轉(zhuǎn)應(yīng)用，如中頻裝置、電機車斬波器，變頻調(diào)速等情況中使用，一定要對關(guān)斷時間參數(shù)作選擇，一般快速晶閘管模塊的關(guān)斷時間在10-50μs，其工作頻率可達到1K-4KHZ；中速晶閘管模塊的關(guān)斷時間在60-100μs，其工作頻率可達幾百至lKH...

這兩種操作方式的區(qū)別在于：晶閘管模塊由電流控制，而IGBT模塊由電壓變化控制系統(tǒng)開關(guān)。IGBT可以關(guān)閉，但晶閘管只能在零時關(guān)閉，并且IGBT的工作頻率高于晶閘管模塊。在中國，IGBT是一種全控型電壓可以創(chuàng)新、推動經(jīng)濟發(fā)展的半導(dǎo)體開關(guān)，可對晶閘管的開關(guān)量進行控制；晶閘管工作者需要我們通過電流脈沖數(shù)據(jù)技術(shù)驅(qū)動的管理系統(tǒng)開放，一旦有一個企業(yè)開關(guān)量很小，門極就不能關(guān)斷，就需要在主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計中將電流關(guān)斷或很小的電流關(guān)斷。可控硅模組像開關(guān)技術(shù)一樣開關(guān)電流，像閘門一樣阻止水流。其重要作用就是我們有一個“門”字；所以，晶閘管有兩種工作狀態(tài)，一種是引導(dǎo)狀態(tài)，另一種是電流狀態(tài)；晶閘管的狀態(tài)及其變化方式，它有自...

中頻電源啟動用晶閘管擊穿故障的維修方法正高客戶反映，車間內(nèi)感應(yīng)容量用晶閘管發(fā)生擊穿故障，影響到設(shè)備的正常使用。通過對客戶電路圖的分析，以及設(shè)備故障的排查發(fā)現(xiàn)故障原因如下：當設(shè)備按下啟動按鈕之后，中頻電源逆變成功。但是，如果交流器線圈不失電，電路與諧振曹路間的觸點閉合的情況下，設(shè)備內(nèi)部電路回路相同。此時，如果回路直流電壓升高，則容易發(fā)生設(shè)備擊穿問題。此類故障主要發(fā)生于運行時間比較長的設(shè)備，由于設(shè)備年限較長，設(shè)備內(nèi)部電路的元件容易出現(xiàn)老化的現(xiàn)象。在設(shè)備電路接通時，啟動電容電容量較小，電壓的急劇升高，就造成電壓疊加和迅速升高，繼而導(dǎo)致晶閘管擊穿問題的發(fā)生。中頻電源啟動用晶閘管擊穿問題的排除，可以增加...

控制信號與輸出電流、電壓是線性關(guān)系；模塊內(nèi)有無保護功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過流、缺相等保護功能。模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā)，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識，希望對您有所幫助。晶閘管模塊被燒壞的原因晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣，大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用，小到日常生活中的應(yīng)用，但是如果有使用不當?shù)臅r候就會造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電...