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他也可以按照特性分為單向和雙向的。由pnpn四層半導體組成，有三個電極，陽極a、陰極K和控制電極G。晶閘管可以實現電路中交流電流的無觸點控制，用小電流控制大電流，繼電器控制無火花，動作快，壽命長，可靠性好。在調速、燈光調節、電壓調節、溫度調節等控制電路中，都有可控硅數字。雙向晶閘管又分為單向和單向。單向整流器有三個PN結。從外層的P還有N引出兩個電極，為陽極和陰極從中間引出一個。單向的有著自己的獨特的特點：當陽極和反向的電壓連接，陽極和電壓連接，但是控制不加電壓的時候，就不會導通；陽極和控制極連接到正向的電壓的時候就會變成no的狀態，一旦接通，控制電壓將失去控制功能。不管有沒有控制電壓，也不管...

二極管VD導通，發射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點電位UE隨之下降，出現了IE增大UE反而降低的現象，稱為負阻效應。發射極電流IE繼續增加，發射極電壓UE不斷下降，當UE下降到谷點電壓UV以下時，單結晶體管就進入截止狀態。八、怎樣利用單結晶體管模塊組成晶閘管觸發電路呢?單結晶體管模塊組成的觸發脈沖產生電路在大家制作的調壓器中已經具體應用了。為了說明它的工作原理，我們單獨畫出單結晶體管張弛振蕩器的電路(圖8)。它是由單結晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關S后，電源UBB經電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數規律上升。當UC上升到單結晶體管的峰點電壓UP時...

任何運行中的設備都會產生一定的熱量，但有些低熱的設備不需要安裝散熱器，但有些設備在運行過程中熱量很大，所以安裝散熱器是必要的。我們是否需要為我們經常使用的晶閘管模塊安裝散熱器？讓我們看看。當電流通過時，會產生一定的電壓降，電壓降的存在會產生一定的功耗。電流越大，耗電量越大，產生的熱量也就越大。如果散熱不快，晶閘管芯片就會燒壞。因此，當需要使用時，必須安裝散熱器。晶閘管組件的散熱狀況是影響其安全性的重要因素。一個好的散熱條件不可以保證運行，防止模塊過熱而被燒損，這樣可以提高電流輸出的能力，建議在使用大規格的時候，選擇一個有保護功能的模塊，這樣會有過熱保護，當然像是散熱器以及風扇都是不可或缺的，在...

由于發電機轉子是以電感為主的大電流負載，電壓過零后電流不為零。即使半控橋在電感負載側裝有續流管，如果續流器的管壓降高于導通上的壓降，則除了流過自由輪的大部分電流外，電感還會增加，仍有一部分電流流過原產品。需要注意的是，雖然電流是衰減的，但在施加電壓的整個負半周期內，電流不能降低到小于維持電流。當下一個正半周期到來時，硅元件不需要等待觸發脈沖來繼續開啟。這樣，單相的連續導通也會因輸出電流過大而引起假強勵。觸發脈沖丟失是導致元件失控的第三個重要原因。在電路系統正常運行的前提下，如果三相脈沖正常，即使電流很小，元件也能保證正常換相，不會失控。一旦脈沖丟失，晶閘管就不能保證正常換流，元件本身也會失控。...

而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關斷的時候會產生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機車）中工作時，必須能夠以電源頻率重復地經受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現的浪涌電壓因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數選取。2.選擇額定工作電流參數可控硅的額定電流是在一定條件的通態均勻電流IT，即在環境溫度為+40℃和規定...

并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。下面正高來詳細講解晶閘管模塊的發展歷史。半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展，其中一個分支即是以集成電路為的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器(...

把二極管都換成晶閘管模塊是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個二極管換成晶閘管模塊就能構成全波可控整流電路了。六、晶閘管模塊控制極所需的觸發脈沖是怎么產生的呢?晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。大家制作的調壓器，采用的是單結晶體管觸發電路。七、什么是單結晶體管模塊?它有什么特殊性能呢?單結晶體管模塊又叫雙基極二極管，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端，制作兩個電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅...

則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個pn結組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其j2結結面相當于一個電容c0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容c0，并通過j3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管模塊在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管模塊上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管模塊安全運行，常在晶閘管兩端并聯r...

使用的形式、性質角度）沒有區別，因為固態繼電器也是可控硅做的（三極管的固態繼電器除外）。那么他們之間有什么區別呢？沒有一件事，兩個名字。它們的區別在于晶閘管是晶閘管，固態繼電器是晶閘管+同步觸發驅動。這就是區別。現在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發驅動集成在一個模塊中。這種可控硅整流器與固態繼電器沒有區別。當然，它和形狀是有區別的。負邏輯控制和反等功。固態繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應該對可控硅模塊和單相固態繼電器有一個非常清晰的了解。如果你想區分它們，它們也很好的區分。你可以直接從形狀上看出區別。晶閘管模塊的優缺點以及分類晶閘管模塊的優點：1）...

SCR是主流的功率器件，IGBT模塊發展迅速，大有取代SCR的趨勢。SCR在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導地位。性能優良的晶閘管派生器件有很多，如快速、雙向、逆導、門極可關斷及光控等晶閘管。IGBT晶閘管，其結構為絕緣柵雙極場效應晶體管，可以觸發導通，也可以觸發管斷，所以稱為全控器件；IGBT晶閘管優點：輸入阻抗高、開關速度快、安全工作區寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。應用于小體積變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發展較為迅速的新一代功率器件。隨著封裝技術的發展，IGBT模塊已經在很多運用場合取代了SCR。晶閘管模塊和IGBT模塊工作原理對比兩...

晶閘管模塊為什么會燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負載能力差，因此在應用中時常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結構特性決定的。因此，要保證在開發生產過程中的質量，應從電氣、熱、結構特性三個方面入手，這三個方面緊密相連，密不可分。因此，在開發和生產晶閘管模塊時，應充分考慮其電應力、熱應力和結構應力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動管燒壞。因此，我們可以在生產過程中充分利用這一特點，也就是說，如果其中一個應力不符合要求，可以采取...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。以上，是正高對晶閘管損壞原因診斷說明，希望對于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場效應管和晶閘管有什么區別和聯系關鍵是場效應管可以工作在開關狀態，更可以工作在放大狀態。而晶閘管只能工作在開關狀態，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因為不能自行關斷（gto是例外）。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和...

可以有效地增加社工負荷電阻，減少陽極電流，使其接近于0。Gtoff管具有切換特性和切換特性。通過對IGBT柵源極進行電壓變換，實現IGBT在柵源極加電壓+12V時對IGBT的通導，在柵源極不加控制系統電壓時對IGBT進行技術開發或加負壓時對IGBT的關斷，加負壓是中國企業員工為了自身的一個更可靠的信息安全。IGBT的開關由柵極驅動電壓控制。在MOSFET中，當柵極正時，通道形成，并為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT通電。這時，從P區調到N區，來降低高壓電阻的電阻Rdr值，以上就是小編想說的可晶閘管模塊和IGBT模塊的區別希望對你有所幫助。在通常的應用過程中，晶閘管模塊有時會因為某些原因而失...

簡稱JFET；另一類是絕緣柵型場效應管，簡稱IGFET。目前廣泛應用的絕緣柵型場效應管是金屬-氧化物-半導體場效應管，簡稱MOSFET。場效應管有三個電極：源級（S）、柵極（G）、漏極（D），且可分為P溝道型與N溝道型兩種。正高講解晶閘管的導通條件晶閘管導通的條件是陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態的晶閘管，只有在門極加正向觸發電壓，才能使其導通。門極所加正向觸發脈沖的極小寬度，應能使陽極電流達到維持通態所需要的極小陽極電流，即擎住電流IL以上。導通后的晶閘管管壓降很小。使導通了的晶閘管關斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個小的數值，即維持電流IH以下。單相晶閘管的導通條件與阻斷條件單相晶閘管導...

采用強觸發方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。下面，對正高晶閘管的強觸發予以詳細介紹：一.觸發脈沖幅值對晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發脈沖幅值為器件IGT時，器件雖可開通，但器件開通時間延遲明顯，會高達數十微妙，這對于整機設備的可靠控制、安全運行是不利的。二.觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管開通的影響觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發脈沖上升時間越長，效果就等于降低了門極觸發電流。觸發脈沖越陡，上升時間越短的情況下，晶閘管的開通時間也越...

以上就是正高電氣的小編為大家帶去的關于晶閘管模塊的誕生歷程及分類的相關知識，希望會對大家有一定的幫助！可控硅調壓模塊：主要是以晶閘管為主要的基礎，以的來進行控制電路為功率控制的電器。。它被稱為晶閘管功率調節器。又稱晶閘管調壓器、晶閘管調壓器、晶閘管調壓器、功率調壓器、功率調壓器，它具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優點。晶閘管調壓器是一種移相晶閘管功率控制器。觸發板具有過流、缺相、相序、晶閘管過熱等多種保護功能。可廣泛應用于工業各領域的電壓、電流、功率調節，也可用于阻性負載、感性負載和變壓器一側。晶閘管調壓器的分類：從供電角度，可分為三類：1.單相2.兩相3.三相有...

如單向mcr-100和雙向tlc336。雙向分為四象限三端雙向和三象限雙向，按包裝分為一般半塑料包裝和外絕緣全塑料包裝，按觸發電流分為微接觸式，高靈敏度型和標準觸摸型，按電壓分為常規電壓型和高壓型。SCR）產品由于其效率高、控制特性好、壽命長、體積小、在電路應用能強等優點，在近60代以來得到了迅速發展，并形成了一門的學科。隨著可控硅的發展，技術已經非常成熟，質量越來越好，產量也有了很大的提高，正向著高壓大電流方向發展。晶閘管在應用電路中的作用體現在以下幾個方面：可控整流器：作為二極管整流器，將交流整流器轉換為直流，在交流電壓恒定的情況下，通過有效控制直流輸出電壓的大小來控制整流器，實現從交流到...

另一個應用是對交流電機進行調速,如海上石油鉆井平臺電網串級調速和變頻調速中使用的各種形式的變頻裝置等。這是目前的技術發展方向，國外的交流調違拖動裝置發展非常迅速。斬波調壓利用晶閘管模塊作為直流開關，控制晶閘管的通斷比和通斷頻率，將一固定直流電壓變換成可調的直流電壓稱斬波電壓。它主要用于直流拖動的脈沖調速，在地鐵、電車、電氣機車及作為碼頭和廠內運輸的電瓶車上使用，串電阻的調速方法，控制方便，節能明顯。電力電子開關利用晶閘管模塊作為電子開關，代替頻繁通斷的接觸器和繼電器。具有無火花、無磨損、無噪音及壽命長的特點，并可得到較好的開關性能及節能效果。常做成交流調壓器，用于海上石油鉆井平臺的調光;作成調...

晶閘管模塊與IGBT模塊的區別是什么？SCR別稱可控晶閘管，在高壓力、大電流應用情況中，SCR是主流的功率電子元器件，IGBT模塊進步迅猛，并有替代SCR的趨向。單片機容量大、功耗低的電子設備仍然占主導地位。具有出色工作性能的晶閘管衍生產品功能主要器件有許多，雙向、逆導、門極關斷和光控晶閘管等。晶閘管模塊的外形如下：IGBT晶閘管，結構為絕緣柵雙極型場效應晶體管，可由傳導管觸發，因此我們稱之為全控元件；IGBT晶體管控制的優點：高輸入和輸出阻抗，發展迅速的開關速度，廣域安全管理，低飽和電壓（甚至接近于飽和GTR），高電壓，大電流。在小型化、高效化變頻電源、電機調速、UPS、逆變焊機等方面得到廣...

但是有很多人對于晶閘管模塊的專業術語并不清楚，下面正高來講幾個晶閘管模塊的專業術語，會對您以后的使用和選購有幫助。①控制角：在u2的每個正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發電壓、使晶閘管模塊開始導通之間的電角度叫做控制角，又稱為觸發脈沖的移相角，用α表示。②導通角：在每個正半周內晶閘管模塊導通時間對應圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導通角，用θ表示。顯然在這里α+θ=π。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍。很明顯，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個周期內的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，可以改變觸發脈沖的出現時刻，也就可以改變輸出電壓的大小，實現了可...

利用過零觸發電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣，可以在負載上獲得完整的正弦波，但其缺點是適用于時間常數大于開關周期的系統，如恒溫裝置。過電壓會對晶閘管模塊造成怎樣的損壞？過電壓會損壞晶閘管。如果要保護晶閘管不受損壞，應了解過電壓產生的原因，以免損壞。對于以下正高電氣，過電壓會對晶閘管模塊造成什么樣的損壞？以及產生電壓過點的原因是什么呢？對過電壓非常敏感。當正向電壓超過udrm的某個值時，晶閘管會被誤導導，導致電路故障；當施加的反向電壓超過一定的urrm值時，將立即損壞。因此，這么看來還是非常有必要去研究過電壓產生的原因以及控制過電壓的方法。1.過電壓保護過電的原因就是操作過電壓，并且根據過電壓...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。以上，是正高對晶閘管損壞原因診斷說明，希望對于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場效應管和晶閘管有什么區別和聯系關鍵是場效應管可以工作在開關狀態，更可以工作在放大狀態。而晶閘管只能工作在開關狀態，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因為不能自行關斷（gto是例外）。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和...

否則會損壞管子和相關的控制電路。正高談晶閘管模塊是調光器中的作用調光器是目前舞臺照明、環境照明領域的主流設備，應用范圍在我們的生活中，那么晶閘管模塊在調光器中有哪些作用，下面正高電氣詳細的為大家介紹。在照明系統中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器，老式的變壓器和變阻器調光是采用調節電壓或電流的幅度來實現的，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比，晶閘管模塊調光器有著完全不同的調光機理，它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型晶閘管模塊，其閘流特性表現為當晶閘管模塊加上正向陽極電壓的同時又加上適當的正向控制電壓時，晶閘管模塊就導通；這...

過流保護措施一般為：在電路中串聯一個快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。連接位置可在交流側或直流側，額定電流在交流側，通常采用交流側。過電壓保護通常發生在有電感的電路中，或交流側有干擾的浪涌電壓或交流側暫態過程產生的過電壓。由于過電壓峰值高、動作時間短，常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓。3、控制大感性負載時的電網干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負載時，會對電網產生干擾和自干擾。其原因是當控制一個連接感性負載的電路斷開或閉合時，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產生一個高電壓，通過電源的內阻加到開關觸點的兩端，然后感應到電壓應該一次又一次地放電，直到感應電壓低于放電...

普遍應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，已然成為一些電路中不可或缺的重要元件。當然，為了能夠使其發揮更大的使用價值，使用時仍然有很多事項需要注意。那就讓正高電氣的小編帶大家去了解下吧！使用晶閘管模塊常識：1.在使用它的同時，必須要考慮除了通過的平均的電流之外，必須要注意正常工作的比如像是導通角的大小、散熱通風的條件或者是其他的一些因素，并且溫度不能超過正常的電流的正常值。2.在使用它的同時，應該用相應的儀器去檢查晶閘管的模塊是不是還是良好的，有沒有出現短路或者是斷路的情況，如果發生了這種情況就必須立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、晶閘管的電力在...

大家使用的是單向晶閘管模塊，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接...

確保電路正常工作而沒有元器件被損壞。這也是多元件在運行的時候都會配上一個電容或電阻，以減少元件電流或電壓，從而讓元件能正常的工作。因此，晶閘管模塊運行都要并聯一個RC串聯網絡來保護它正常的工作，以達到效率高運行，經濟可靠。怎么使用智能晶閘管調壓模塊隨著科技與社會的不斷發展，智能晶閘管模塊越來越被大眾所認知，因為它在機器上也發揮著重要的作用，所以在行業的應用中也是越來越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對于剛接觸它的來講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個功能端相對，如...

而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關斷的時候會產生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機車）中工作時，必須能夠以電源頻率重復地經受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數VDRM、VRRM應保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會出現的浪涌電壓因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數選取。2.選擇額定工作電流參數可控硅的額定電流是在一定條件的通態均勻電流IT，即在環境溫度為+40℃和規定...

性能可靠；帶測溫功能的萬用表，測溫頭緊貼在管芯陶瓷外殼上；注意：采用該方法時，需由專業維修人員進行操作，并注意安全。用上述方法經常檢查管芯陶瓷外殼上的溫度，通過相對比較，判斷散熱器的散熱效果，及時更換達不到散熱效果的散熱器，可以有效地提高晶閘管的工作電流，減少晶閘管的損壞，從而降低設備的維修費用。晶閘管模塊在正常工作時，自身會產生大量的熱量，所以良好的散熱（冷卻）是晶閘管正常工作的必要條件之一。高質量的晶閘管，配上合格的散熱器，加上正確合理的裝配，可以明顯地減少晶閘管的損壞，延長其使用壽命。晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優勢、應用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩...

晶閘管模塊為什么會燒壞呢？晶閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負載能力差，因此在應用中時常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結構特性決定的。因此，要保證在開發生產過程中的質量，應從電氣、熱、結構特性三個方面入手，這三個方面緊密相連，密不可分。因此，在開發和生產晶閘管模塊時，應充分考慮其電應力、熱應力和結構應力。燒壞的原因有很多。一般來說，晶閘管模塊是在三個因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動管燒壞。因此，我們可以在生產過程中充分利用這一特點，也就是說，如果其中一個應力不符合要求，可以采取...