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使用晶閘管模塊的的八大常識晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過程中需要注意很多細節，還有一些使用常識，下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識。1、模塊在手動控制時，對所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當模塊導通角大于100度時，可以按如下原則選取電流：阻性負載：模塊標稱電流應大于負載額定電流的2倍。感性負或：模塊標稱電流應大于負載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個+12V直流穩壓電源（模塊內部的工作電源）；一個0~10V控制信號（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對輸出電壓進行調整的控制信號）。供電電源和負載（供電...

使用晶閘管模塊的的八大常識晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過程中需要注意很多細節，還有一些使用常識，下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識。1、模塊在手動控制時，對所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當模塊導通角大于100度時，可以按如下原則選取電流：阻性負載：模塊標稱電流應大于負載額定電流的2倍。感性負或：模塊標稱電流應大于負載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個+12V直流穩壓電源（模塊內部的工作電源）；一個0~10V控制信號（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對輸出電壓進行調整的控制信號）。供電電源和負載（供電...

通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。晶閘管調功器故障排除案例晶閘管調控器運行過程中，經常會出現一定的故障和問題，進而影響到設備的正常使用。以下故障案例，是正高電氣客戶所反饋的問題，并提出了具體的解決方案。客戶反映，溫控器在0-100℃區間上升時，三相交流電流表電流下降。在正常情況下，溫控器溫度上升則調功器的輸出電流應加大。與過電流保護相似，溫控器也有2...

會造成過電流燒壞管子對于過電流，我們也可以通過在交流電源中安裝保險絲保護。快速熔斷器的熔斷時間很短。總熔斷器的額定電流為晶閘管額定平均電流的。當交流電源接通或斷開時，晶閘管通斷時，晶閘管有可能過電壓。由于電容器兩端的電壓不會突然變化，只要在晶閘管的正負極之間接上RC電路，就可以削弱電源的瞬時過電壓，保護晶閘管。當然，壓敏電阻過電壓保護元件也可用于過電壓保護。正高電氣的小編提醒您必須了解使用晶閘管模塊的常識，只有這樣才能保證它的正常運行。晶閘管模塊的應用使用及選型建議晶閘管模塊由pnpn四層半導體組成。它由陽極a、陰極K和控制電極g三個電極組成，實際上，它在應用中的作用與其結構有關，所以我們將和...

晶閘管模塊在電加熱領域的應用晶閘管模塊在一些設備中是非常重要的器件，起到至關重要的作用，在電加熱行業中也不列外，設備的運行是否可靠，與晶閘管模塊質量有著很大的關系。晶閘管智能模塊選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到高溫度時，額定電流會很大或加熱到高溫度時，額定電流會...

而且散熱器的空氣必須自然對流。由于水冷冷卻效果好，有水冷條件時應選擇冷卻形式。以上就是晶閘管模塊必須安裝散熱器的原因。我希望它能幫助你。晶閘管模塊的優點是眾所周知的，但它也有缺點，如：過載和抗干擾能力差，在控制大電感負載時，會對電網產生干擾和自干擾，如何避免這些缺點？以下是一個很高的解釋。1、靈敏度雙向的是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陽極和陰極，而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無論是正觸發脈沖還是負觸發脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發，但觸發靈敏度不同，即保證雙觸發時，可以進入晶閘管導通狀態的門極電流IGT不同，其中（a）觸發...

使用的形式、性質角度沒有區別，因為固態繼電器也是可控硅做的（三極管的固態繼電器除外）。那么他們之間有什么區別呢？沒有一件事，兩個名字。它們的區別在于晶閘管是晶閘管，固態繼電器是晶閘管+同步觸發驅動。這就是區別。現在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發驅動集成在一個模塊中。這種可控硅整流器與固態繼電器沒有區別。當然，它和形狀是有區別的。負邏輯控制和反等功。固態繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應該對可控硅模塊和單相固態繼電器有一個非常清晰的了解。如果你想區分它們，它們也很好的區分。你可以直接從形狀上看出區別。晶閘管模塊的優缺點以及分類晶閘管模塊的優點：1）用...

中頻電源啟動用晶閘管擊穿故障的維修方法正高客戶反映，車間內感應容量用晶閘管發生擊穿故障，影響到設備的正常使用。通過對客戶電路圖的分析，以及設備故障的排查發現故障原因如下：當設備按下啟動按鈕之后，中頻電源逆變成功。但是，如果交流器線圈不失電，電路與諧振曹路間的觸點閉合的情況下，設備內部電路回路相同。此時，如果回路直流電壓升高，則容易發生設備擊穿問題。此類故障主要發生于運行時間比較長的設備，由于設備年限較長，設備內部電路的元件容易出現老化的現象。在設備電路接通時，啟動電容電容量較小，電壓的急劇升高，就造成電壓疊加和迅速升高，繼而導致晶閘管擊穿問題的發生。中頻電源啟動用晶閘管擊穿問題的排除，可以增加...

過流保護措施一般為：在電路中串聯一個快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。連接位置可在交流側或直流側，額定電流在交流側，通常采用交流側。過電壓保護通常發生在有電感的電路中，或交流側有干擾的浪涌電壓或交流側暫態過程產生的過電壓。由于過電壓峰值高、動作時間短，常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓。3、控制大感性負載時的電網干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負載時，會對電網產生干擾和自干擾。其原因是當控制一個連接感性負載的電路斷開或閉合時，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產生一個高電壓，通過電源的內阻加到開關觸點的兩端，然后感應到電壓應該一次又一次地放電，直到感應電壓低于放電...

假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時間的反向偏置電壓，也不會誤導通，這說明晶閘管模塊關斷后需要一定的時間恢復其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時聞間隔是可控硅的關斷時間tg，由反向恢復時間t和門極恢復時間t構成，普通晶閘管模塊的tg約150-200μs，通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負載的情況下可作一些選擇。在中頻逆轉應用，如中頻裝置、電機車斬波器，變頻調速等情況中使用，一定要對關斷時間參數作選擇，一般快速晶閘管模塊的關斷時間在10-50μs，其工作頻率可達到1K-4KHZ；中速晶閘管模塊的關斷時間在60-100μs，其工作頻率可達幾百至lKH...

流過晶閘管的電流保持為零的時間,必須小于其關斷時間；晶閘管原理及大中小功率晶閘管用途晶閘管是目前應用較為普遍的電力電工元件，具有良好的通斷、整流、調壓、變頻等功能。晶閘管的工作原理和用途都有哪些，正高為您做詳細分析。普通晶閘管用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓U...

把二極管都換成晶閘管模塊是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個二極管換成晶閘管模塊就能構成全波可控整流電路了。六、晶閘管模塊控制極所需的觸發脈沖是怎么產生的呢?晶閘管觸發電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。大家制作的調壓器，采用的是單結晶體管觸發電路。七、什么是單結晶體管模塊?它有什么特殊性能呢?單結晶體管模塊又叫雙基極二極管，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端，制作兩個電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅...

晶閘管模塊串聯橋臂串聯器件數的確定計算公式中：KCU—過電壓沖擊系數，取，根據設備中過電壓保護措施的完備情況而定;UAM—臂的工作峰值電壓，指的正向峰值電壓UATM或臂的反向峰值電壓UARM，計算時取兩者之較大者;Kb—電網電壓升高系數，一般取—，特殊情況可取更高值；KAU—電壓的設計裕度，一般取1—2，根據器件的可靠程度及對設備的可靠性要求而定;KU—均壓系數，一般取—URM—串聯器件的額定重復峰值電壓。實例計算KCU取，因為電網電壓沖擊情況較多；UAM=14100V;Kb取KAU高壓使用時裕度取KU=，均壓系數取中；URM=4000V代入：計算公式結論是用10只4000V晶閘管模塊串聯。晶...

但應注意以下問題：1.模塊的交流輸入端采用整流變壓器與電網進行隔離，以減少模塊與電網的相互干擾。2.和普通電力半導體器件一樣，晶閘管智能模塊承受過電壓和電流的性能較差，短時間的過電壓和過電流都會使模塊損壞。正高帶你了解快速晶閘管模塊的特點。普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管模塊，我們將它稱為快速晶閘管模塊。它具有以下幾個特點。一、關斷時間(toff)短導通的晶閘管模塊，當切斷正向電流時。并不能馬上"關斷"，這時...

晶閘管也是在電器元器件中普遍存在的一種產品。軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環，所以保護好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中主要的是導通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設備有，主要以熱量的形式散失在環境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環境的溫度問題，若工作環境的溫度過高則...

四種條件下雙向可控硅均可被觸發導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的，其中(a)觸發靈敏度較高，(b)觸發靈敏度低，為了保證觸發同時又要盡量限制門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發方式。可控硅模塊過載的保護可控硅模塊優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用;(2)可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的～2倍來取；(3)為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的...

二極管模塊可以想成電子版的逆止閥。以上就是晶閘管模塊和二極管模塊的介紹，通過這篇文章您可以了解到它們是兩種不同的器件，所擁有的功能也是不一樣的，所以一定不要弄錯了。晶閘管模塊中的水冷散熱器重復使用時需要注意哪些事項？晶閘管模塊在長期的使用情況下會產生高溫，這時就必須安裝散熱器，有時會因為散熱器安裝與使用方法的不當，效果就有很大的差異，下面正高電器來講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復使用時需要注意哪些事項？用簡易數字萬用表附帶的點溫計對KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進行了測量，對比同一臺設備，同類器件，不同散熱器在相同工作條件下的溫度，以此來比較散熱器的散熱效果。具體測量的有關數據如下：工...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。以上，是正高對晶閘管損壞原因診斷說明，希望對于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場效應管和晶閘管有什么區別和聯系關鍵是場效應管可以工作在開關狀態，更可以工作在放大狀態。而晶閘管只能工作在開關狀態，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因為不能自行關斷（gto是例外）。場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和...

由于其具有極快的開關速度和無觸點關斷等特點，將會使控制系統的質量和性能大為改善。大量地應用智能晶閘管模塊會節省大量的金屬材料，并使其控制系統的體積減少，還可使非常復雜的多個電氣控制系統變得非常簡單。用計算機集中控制，實現信息化管理，且運行維護費用很低。智能晶閘管模塊節能效果非常明顯，這對環保很有意義。如何晶閘管模塊的參數晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應用于多種場合，在不同的場合、線路和負載的狀態下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數，使設備運行更良好，使用壽命更長。1.選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向...

如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大)，必須考慮加熱絲整個工作狀態的電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定可控硅智能調壓模塊的規格大小。正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應用晶閘管模塊出現在1957年，而后隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展，使晶閘管模塊在電氣控制領域中發揮了很大的作用，但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題，...

過流保護措施一般為：在電路中串聯一個快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。連接位置可在交流側或直流側，額定電流在交流側，通常采用交流側。過電壓保護通常發生在有電感的電路中，或交流側有干擾的浪涌電壓或交流側暫態過程產生的過電壓。由于過電壓峰值高、動作時間短，常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓。3、控制大感性負載時的電網干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負載時，會對電網產生干擾和自干擾。其原因是當控制一個連接感性負載的電路斷開或閉合時，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產生一個高電壓，通過電源的內阻加到開關觸點的兩端，然后感應到電壓應該一次又一次地放電，直到感應電壓低于放電...

我們是否需要為我們經常使用的晶閘管模塊安裝散熱器？當電流通過時，會產生一定的電壓降，電壓降的存在會產生一定的功耗。電流越大，耗電量越大，產生的熱量也就越大。如果散熱不快，晶閘管芯片就會燒壞。因此，當需要使用時，必須安裝散熱器。晶閘管組件的散熱狀況是影響其安全性的重要因素。一個好的散熱條件不可以保證運行，防止模塊過熱而被燒損，這樣可以提高電流輸出的能力，建議在使用大規格的時候，選擇一個有保護功能的模塊，這樣會有過熱保護，當然像是散熱器以及風扇都是不可或缺的，在使用的時候，如果出現散熱條件不符合要求的時候，室溫超過40°C，則強迫風的冷出口風速將會小于6m/s，應該降低產品的額定電流，不然的話會出...

觸發脈沖越陡，上升時間越短的情況下，晶閘管模塊的開通時間也越短。三.晶閘管模塊可靠觸發對門極觸發源要求(1)一般要求：觸發脈沖電流幅值：IG=10IGT;脈沖上升時間：tr≤1μs;(2)高di/dt下運用：器件在高di/dt下運用時，特別是當晶閘管的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導致器件高di/dt損壞。因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發電源電壓VG不低于20V，或在門極線路上串聯二極管，防止門極電流倒流。(3)晶閘管模塊串并聯使用晶閘管模塊的串聯：晶閘串聯管應用...

則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個pn結組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其j2結結面相當于一個電容c0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容c0，并通過j3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管模塊在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管模塊上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管模塊安全運行，常在晶閘管兩端并聯r...

整流器可以分為兩類：一是不可控整流器；二是可控硅整流器（也就是我們經常說的晶閘管）。在這里，正高就和大家聊一下晶閘管的基礎知識。1、晶閘管模塊介紹晶閘管模塊是一種多層半導體，它與晶體管的構造相似。晶閘管是由三個部件（陽極、陰極、柵極）組成，它不像兩端二極管（陽極、陰極）一樣，無論二極管的陽極電壓如何大于陰極電壓，也不會受控制，晶閘管可以控制，所以晶閘管也叫作可控硅整流器或者是可控硅。2、晶閘管模塊基本晶閘管模塊是一種單向器件，就是說它只能在一個方向上傳導，除此之外，晶閘管還可以用作很多材料的加工制作，如：碳化硅、砷化鎵等。但是，硅相比于晶閘管，它具有良好的導熱性及高電壓性，因此，硅之類的也被稱...

它在電加熱爐中也發揮著重要的作用，通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度，然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環系統，來保持爐內溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用。晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管（可控硅）調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊，其他電壓的晶閘管模塊需要訂做。對晶閘管模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅...

并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。下面正高來詳細講解晶閘管模塊的發展歷史。半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展，其中一個分支即是以集成電路為的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國通用電氣公司研發了世界上個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器(...

它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。晶閘管模塊的特點：是“一觸即發”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管模塊會自行關斷。三、用萬用表可以區分晶閘管模塊的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管模塊的三個電極可以...

而且散熱器的空氣必須自然對流。由于水冷冷卻效果好，有水冷條件時應選擇冷卻形式。以上就是晶閘管模塊必須安裝散熱器的原因。我希望它能幫助你。晶閘管模塊的優點是眾所周知的，但它也有缺點，如：過載和抗干擾能力差，在控制大電感負載時，會對電網產生干擾和自干擾，如何避免這些缺點？以下是一個很高的解釋。1、靈敏度雙向的是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陽極和陰極，而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無論是正觸發脈沖還是負觸發脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發，但觸發靈敏度不同，即保證雙觸發時，可以進入晶閘管導通狀態的門極電流IGT不同，其中（a）觸發...

簡稱JFET；另一類是絕緣柵型場效應管，簡稱IGFET。目前應用的絕緣柵型場效應管是金屬-氧化物-半導體場效應管，簡稱MOSFET。場效應管有三個電極：源級（S）、柵極（G）、漏極（D），且可分為P溝道型與N溝道型兩種。正高講解晶閘管的導通條件晶閘管導通的條件是陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態的晶閘管，只有在門極加正向觸發電壓，才能使其導通。門極所加正向觸發脈沖的極小寬度，應能使陽極電流達到維持通態所需要的極小陽極電流，即擎住電流IL以上。導通后的晶閘管管壓降很小。使導通了的晶閘管關斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個小的數值，即維持電流IH以下。單相晶閘管的導通條件與阻斷條件單相晶閘管導通條...