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從非硅成本上來看。可以通過使用多主柵技術或使用銀鋁漿替代銀漿來降低成本TOPCon電池的非硅成本已經有能力低于，對比PERC電池仍然有，主要原因系銀漿單耗高TOPCon的雙面率高，正反面都需要使用銀漿，M6型TOPCon電池使用的銀漿約130mg，較M6型PERC電池高出約60mg，預計未來可以通過多主柵或背面使用銀鋁漿來降低非硅成本產品良率TOPCon電池的良率整體低于PERCTOPCon電池的整體良率在93%-95%左右，而PERC電池的整體良率在97%-98%之間良率劣勢原因1.隧穿氧化層和多晶硅層的制備工藝路線不統一，且加工步驟較多，TOPCon生產流程共12~13步，PE...

形狀不規(guī)則的片料或大塊硅料在指定區(qū)域砸碎，對片料進行破碎，使用砸料箱，注意此過程必須戴PVC手套、護目鏡，防止危害人體。挑選“硅料表面比較光滑的面”。大小塊料要盡量均勻，碎料盡量用來填縫隙。在裝料過程中，一定不能碰到坩堝內壁，發(fā)現破壞要取出硅料，重新噴涂，直至符合要求再用。一半的硅料裝完后，領取摻雜劑，用電子天平稱重后均勻的放置到硅料的表面。摻雜劑假如完成后，繼續(xù)加入硅料，直至達到規(guī)定數量為止。加熱在真空狀態(tài)下開始加熱、按照一定的工藝程序，對硅料、熱場、坩堝等進行排濕、排雜。熔化熔化與加熱的延伸、也可以理解為加熱，但在工藝程序上的設計上有較大的差別，熔化是將固體硅轉化成液體硅，溫度...

可以達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進而提高轉換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發(fā)射結的表面復合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉換效率。H能與硅中的缺陷或雜質進行反應,從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網印刷通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

將打破目前太陽能板只能“躺”著接收太陽光的局限。據悉，染料敏化電池雖然把光能轉換為電能的效率不及傳統太陽能電池，但因其在日照不佳的情況下也能正常運作，因此采光時間更長，制造的電能也更多，比較適合地處熱帶且云層密布的國家和地區(qū)。中國太陽能電池行業(yè)的發(fā)展編輯中國對太陽能電池的研究起步于1958年，20世紀80年代末期，國內先后引進了多條太陽能電池生產線，使中國太陽能電池生產能力由原來的3個小廠的幾百kW一下子提升到4個廠的，這種產能一直持續(xù)到2002年，產量則只有2MW左右。2002年后，歐洲市場特別是德國市場的急劇放大和無錫尚德太陽能電力有限公司的橫空出世及超常規(guī)發(fā)展給中國光伏產業(yè)帶...

整個硅片加工流程中為重要的一環(huán)切片環(huán)節(jié)切片環(huán)節(jié)所需的設備主要有截斷機、開方機、磨倒機、粘棒機、脫膠機、切片機、脫膠機、清洗機、分選儀以及其他自動化輔助設備等，其中切片機是切片環(huán)節(jié)設備切片機是一種使用高速運動的金剛石線對單晶硅棒進行切片加工的精密生產設備在設備工作過程中，一根高速往復運轉的金剛石線分布成切割線網，通過由放線輪、張力輪、導輪、切割輪等組成的運動機構及自動檢測控制系統對單晶硅棒料進行加工研磨，將硅棒切割為硅片目前國內提供多線切割機廠商包括高測股份、宇晶股份、連城數控、上機數控及晶盛機電等電池片主流分類從襯底類型來看，可將電池片分為P型電池片和N型電池片兩類P型電池片P型電...

1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數有沒揮發(fā)等2擴散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒能得到很好的去除就會留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們在制絨后及時進行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒有問題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強堿來粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點是容易造成碎片，即使沒有在槽中碎，后道工序也會碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現的問題花臉；雨點狀斑...

光伏電池片位于光伏產業(yè)鏈中游，是通過將單/多晶硅片加工處理得到的可以將太陽的光能轉化為電能的半導體薄片電池片主要原材料為硅片，主要輔材為銀漿、鋁漿和化學試劑，主要動力為電力硅片:硅片是電池片主要原材料，在硅料價格持續(xù)上漲的背景下，硅片環(huán)節(jié)憑借其良好的價格傳導能力且相對穩(wěn)定的競爭格局，維持較好盈利能力，占電池片成本約為74-75%銀漿:銀漿為電池片結構中的電極材料，目前光伏銀漿需求隨著光伏行業(yè)的發(fā)展持續(xù)增長，占電池片成本約為8%光伏電池按原材料分為三類1.晶體硅太陽能電池2.薄膜太陽能電池3.各種新型太陽能電池單晶硅片制造企業(yè)利用單晶硅爐生產單晶硅棒多晶硅片制造企業(yè)利用鑄錠爐生產多晶...

濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蝕堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動起來，并不參與反應。干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕。當氣體以等離子體形式存在時，一方面等離子體中的氣體化學活性會變得相對較強，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進行反應，實現刻蝕；另一方面，可利用電場對等離子體進行引導和加速，使等離子體具有一定能量，當轟擊硅片的表面時，硅片材料的原子擊出，可以達到利用物理上的能量轉...

電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網、燒結(PRINTER)→測試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會被鈍化）認為是不反應的。當存在于兩種混合酸的體系中，硅...

P2O5在擴散溫度下與硅反應，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴散,制得N型半導體。刻蝕在擴散工序，采用背靠背的單面擴散方式，硅片的側邊和背面邊緣不可避免地都會擴散上磷原子。當陽光照射，P-N結的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到P-N結的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯電阻。刻蝕工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結短路并且造成并聯電阻降低。濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→...

使Si氧化為SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成絡合物H2SiF6。從而導致硅表面發(fā)生各向同性非均勻性腐蝕，形成粗糙的多孔硅層，有利于減少光發(fā)射，增強光吸收表面，為了控制化學反應的劇烈程度，有時加入一些其他的化學品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213絨面為什么是球形在硅與硝酸的反應中，除了生成SiO2，還生成NO氣體，在硅片表面形成氣泡，導致硅片表面產生球形腐蝕坑的只要原因。14為什么去除多孔硅膜酸腐蝕易在多晶硅表面形成一層彩色均勻的多孔硅膜，這個多孔硅膜具有...

檢查涂層在噴涂坩堝側壁的過程中需用擋板遮住坩堝底部，約為側壁3／4的地方。噴涂和刷涂過程中要均勻使液體凝聚，涂層必須滿足均勻、無氣泡、無脫落、無裂縫等條件方為合格。坩堝焙燒將噴好的坩堝放入烘箱內，開始坩堝焙燒,整個過程大概需要30~40小時，先快速升溫至設定溫度，保持幾小時后，自然冷卻至合適溫度，再開蓋冷卻。值得注意的是，坩堝噴涂車間需要保持一定的溫度，溫度較低環(huán)境需在配比涂層時對純水加熱。原料的雜質濃度會影響鑄錠爐的化料時間，鑄錠爐在長晶等階段出現異常，此時鑄錠時間可能較一般工藝時間長2-4個小時，底部氮化硅的量太少會導致無法順利脫模，硅錠底部開裂。而過量的氮化硅會覆蓋住石英砂，...

目前單晶硅太陽能電池的光電轉換效率為15％左右，實驗室成果也有20％以上的。電池片的處理方法編輯新加坡南洋理工大學能源研究所的科學家們近研發(fā)出一種新型太陽能電池，稱為“染料敏化電池”。以往制作太陽能電池主要是以硅晶為主要原料，而這種新型太陽能電池的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。電池的導電部分是由納米級二氧化鈦顆粒和幫助導電的電解質，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統硅晶太陽能電池相比，這種新型太陽能電池可以吸收直射陽光以及漫射光源（如室內燈光等）。二氧化鈦通常都用在油漆、防曬霜和食用色素中，成...

原位摻雜:PECVD制備多晶硅膜并原位摻雜工藝優(yōu)勢:沉積速度快，沉積溫度低，輕微的繞鍍，可以用PECVD直接制備多晶硅層，流程相對簡化劣勢:厚度均勻性較差，純度低，存在氣泡爆膜問題，導致致密度和良率較低目前產業(yè)化程度較慢，根據Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳偉創(chuàng)、金辰股份、無錫微導等國內設備廠商已經布局該方法原則上沒有繞鍍問題，與PERC產線不兼容，更適合新的產線，后續(xù)有望通過工藝的成熟改善鍍膜穩(wěn)定性，成為主流技術3.離子注入:LPCVD制備多晶硅膜結合擴硼及離子注入磷工藝優(yōu)勢:離子注入技術是單面工藝，摻雜離子無需繞鍍，工藝溫度低，成膜速度快劣勢:擴硼工藝要比擴磷工藝難度大，...

轉肩放肩至目標直徑后，需要快速使晶體生長方向從橫向轉為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長，直徑不再增加時，即完成轉肩.等徑生長為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉肩至目標直徑后，再啟動投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進行等徑生長.收尾生長結束如果直接脫離液面會在界面產生大量位錯，導致尾部的晶棒不可用。在等徑結束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長過程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據直徑劃分，≤，≤...

電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網、燒結(PRINTER)→測試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會被鈍化）認為是不反應的。當存在于兩種混合酸的體系中，硅...

總體來看。中國太陽能電池的國際市場份額和技術競爭力大幅提高。在產業(yè)布局上，中國太陽能電池產業(yè)已經形成了一定的集聚態(tài)勢。在長三角、環(huán)渤海、珠三角、中西部地區(qū)，已經形成了各具特色的太陽能產業(yè)集群。太陽能光伏發(fā)電在不遠的將來會占據世界能源消費的重要席位，不但要替代部分常規(guī)能源，而且將成為世界能源供應的主體。預計到2030年，可再生能源在總能源結構中將占到30％以上，而太陽能光伏發(fā)電在世界總電力供應中的占比也將達到10％以上；到2040年，可再生能源將占總能耗的50％以上，太陽能光伏發(fā)電將占總電力的20％以上；到21世紀末，可再生能源在能源結構中將占到80％以上，太陽能發(fā)電將占到60％以上...

可以達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進而提高轉換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發(fā)射結的表面復合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉換效率。H能與硅中的缺陷或雜質進行反應,從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網印刷通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

轉肩放肩至目標直徑后，需要快速使晶體生長方向從橫向轉為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長，直徑不再增加時，即完成轉肩.等徑生長為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉肩至目標直徑后，再啟動投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進行等徑生長.收尾生長結束如果直接脫離液面會在界面產生大量位錯，導致尾部的晶棒不可用。在等徑結束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長過程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據直徑劃分，≤，≤...

將打破目前太陽能板只能“躺”著接收太陽光的局限。據悉，染料敏化電池雖然把光能轉換為電能的效率不及傳統太陽能電池，但因其在日照不佳的情況下也能正常運作，因此采光時間更長，制造的電能也更多，比較適合地處熱帶且云層密布的國家和地區(qū)。中國太陽能電池行業(yè)的發(fā)展編輯中國對太陽能電池的研究起步于1958年，20世紀80年代末期，國內先后引進了多條太陽能電池生產線，使中國太陽能電池生產能力由原來的3個小廠的幾百kW一下子提升到4個廠的，這種產能一直持續(xù)到2002年，產量則只有2MW左右。2002年后，歐洲市場特別是德國市場的急劇放大和無錫尚德太陽能電力有限公司的橫空出世及超常規(guī)發(fā)展給中國光伏產業(yè)帶...

當電子-空穴對擴散達到PN結界限時，會在內建電場的作用下被拆分，空穴、電子受力從而被推向P區(qū)和N區(qū)，如果此時電路正處于開路的狀態(tài)，那么這些光生電子和空穴就會分別集聚在P區(qū)和N區(qū)周圍，P區(qū)便會得到附加正電荷，同理N區(qū)便會得到附加負電荷，P區(qū)與N區(qū)累積的正負電荷就會在PN結上產生光生電動勢，若此時接通太陽能電池片的正負極就會形成電流。此時PN結的內部就會形成了由N區(qū)指向P區(qū)的光生電流產生。一、P型半導體的形成如圖，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子,當硅晶體中摻入硼時（如下圖），負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因為硼原子周圍只有三個電...

可以達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進而提高轉換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發(fā)射結的表面復合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉換效率。H能與硅中的缺陷或雜質進行反應,從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網印刷通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

由于需要形成合金需要到一定的溫度，Ag、Al與Si形成合金的穩(wěn)定又不同，就需要設定不同的溫度來分別實現合金化。電池片的種類1、太陽能在太陽能電池產品中，以硅半導體材料為主，其中又以單晶硅和多晶硅為。由于其原材料的性，較高的轉換效率和可靠性，被市場接受。非晶硅在民用產品上也有的應用（如電子手表，計算器等），但是它的穩(wěn)定性和轉換效率劣于結晶類半導體材料。化合物太陽能電池由于其材料的稀有性和部分材料具有公害，現階段未被市場采用。太陽能電池的主流產品的材料是半導體硅，是現代電子工業(yè)的必不可少的材料，同時以氧化狀態(tài)的硅原料是世界上第二大的儲藏物質。五金五金電池片主要是導電作用。還稱：電池片、...

電池片的生產流程一次清洗制絨工序1清洗拋光片配方1清洗步驟置樣品入舟——浸入I號液——漂洗——浸入II號液——漂洗2溶液配方I號液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II號液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3實驗過程主要是利用兩種溶液進行去金屬離子；2白斑問題1不出絨面（主要因素）；采取的方法是：①增加時間；②提高溫度；③加大NaOH濃度；2絨面較好，只是表面有白斑可能是溶液不均勻，或者Na2SiO3太多，需排液；3硅片因為本身的切割或其他原因出現的表面有規(guī)則的白斑，那是無法去掉；解決辦法：①粗拋控制；②整體發(fā)白或發(fā)灰，歸結為Na...

提升電池轉換效率理論轉換效率居各種類電池，極限效率高達，高于HJT的，且接近晶體硅太陽能電池理論極限效率，頭部電池廠商量產平均效率突破24%，包括中來、隆基在內的許多頭部公司已經將實驗室效率做到了25%以上發(fā)展歷程，TOPCon技術出現并得到應用TOPCon技術概念早由德國Frauhofer研究所于2013年提出，并于2015年研發(fā)出效率達到，同年德國Frauhofer研究所的ArminRichter團隊在P型FZ(區(qū)熔)硅片上應用了TOPCon技術并達到，國內廠商積極布局TOPCon技術2018年晶科能源在大面積商用硅片襯底上制備的N型TOPCon電池高效率達到了，轉換效率分別達...

揭曉光伏電池片良率不足，成本居高不下問題。HJT異質結電池顛覆了傳統的電池結構，具有轉換效率高、制造工藝簡單、薄硅片應用、溫度系數低、無光致衰減和電位衰減、可雙面發(fā)電等優(yōu)勢，而異質結組件在轉換效率存在的優(yōu)勢，顯著超過了PERC。PERC比異質結輸出效率低10%，意味著同樣功率指標的電池組件，在整個發(fā)電周期，異質結將比PERC多發(fā)10%的電。異質結電池(HJT電池)的特點和優(yōu)勢1、無PID現象：由于電池上表面為TCO，電荷不會在電池表面的TCO上產生極化現象，無PID現象。同時實測數據也證實了這一點。異質結太陽能電池的技術應用與前景2、低溫制造工藝：HJT電池所有制程的加工溫度均低于...

未來的電池技術，現在看到我們剛才講的是P型PERC，未來的我們大家都在探討，有TOPN型的還有異質結，還有鈣鈦礦技術。從我個人或者公司內部認為鈣鈦礦單獨的大量利用可能還需要時間，終還是要鈣鈦礦和硅電池結合起來，這樣可能是為了光伏電池技術的發(fā)展。如果是把鈣鈦礦和硅做成疊層的結構電池能夠量產，未來我相信電池的轉換效率超過30%甚至35%都是完全有可能。組件的封裝技術方面，各方面從提高光學利用率包括減少電耗損失以及增加電池密度各方面的技術，由于時間關系就跳過去了。事實上，從30年前開始，未來雙面電池將逐漸普及，因為它可以在不同的場景中增加發(fā)電能力，降低度電成本，未來雙面組件將逐漸成為主流...

遠少于PERC電池10個環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個環(huán)節(jié)，一方面有利于薄片化。未來可實現100μm厚度)和降低熱損傷進而降低硅片成本，另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現更優(yōu)成本分析HJT電池生產成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來主要的降本路徑隨著國產設備替代+規(guī)模化生產，未來HJT設備投資成本有望進一步降低2019年之前，HJT設備主要由外資品牌提供，設備成本約為10-20億元/GW2019年之后，HJT設備投資端逐漸進行國產廠商替代，邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進國產設備研發(fā)，HJT設備投資成本降至5-10億元/GW根據CPIA，2021年HJ...

電池片電池片一般分為單晶硅、多晶硅、和非晶硅單晶硅太陽能電池是當前開發(fā)得快的一種太陽能電池，它的構造和生產工藝已定型，產品已用于空間和地面。這種太陽能電池以高純的單晶硅棒為原料。為了降低生產成本，現在地面應用的太陽能電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經過復拉制成太陽能電池的單晶硅棒。將單晶硅棒切成片，一般片厚約。硅片經過拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太陽能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就硅片上形成P>N結。然后采用絲網印刷...

轉肩放肩至目標直徑后，需要快速使晶體生長方向從橫向轉為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長，直徑不再增加時，即完成轉肩.等徑生長為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉肩至目標直徑后，再啟動投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進行等徑生長.收尾生長結束如果直接脫離液面會在界面產生大量位錯，導致尾部的晶棒不可用。在等徑結束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長過程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據直徑劃分，≤，≤...