該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請所欲保護的其他基板結構，而不只限于基板結構1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400。在圖16a當中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面，是圖10a實施例所說的第二表面822。步驟1520：根據所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層。在圖16b當中，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面。而每一個芯片預定區域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區域。當所欲實施的基板結構如同圖8a~10b所示的基板結構800~1000，或是具有內框結構時，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內框結構的區域。在一實施例當中，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對晶圓進行蝕刻。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻、電漿蝕刻、反應離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半，但本申請并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結構與/或芯片內部的方框結構。利用兩個步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結構與內框結構。半導體晶圓生產工藝流程。北京半導體晶圓價錢

    其為根據本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖。除了下列的不同之處以外，先前有關于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片，分別是芯片1310、1420與1430。在一實施例中，這三個芯片1310~1430可以是同一種設計的芯片。換言之，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結構300~1200當中的其中一種。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結構。在另一實施例當中，這三個芯片1310~1430可以是不同種設計的芯片。也就是說，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結構300~1200當中的其中兩種或三種。換言之，整個晶圓1400的多個芯片包含兩種以上的基板結構。舉例來說，芯片1310可以包含基板結構500，芯片1420可以包含基板結構900，芯片1430可以包含基板結構400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板結構300，芯片1420可以包含基板結構800。圖14所示的芯片也可以包含圖6、7、11、12分別所示的四種剖面600、700、1100與1200。換言之，本申請并不限定同一個晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面。從圖13與14所示的晶圓1300與1400當中可以得知，本申請并不限定同一晶圓上的芯片是否都具有同一尺寸與形狀。深圳半導體晶圓價格優惠國內半導體晶圓廠家哪家好？

    上述步驟7210至7240可以重復操作以此來縮小內爆時間τi的范圍。在知道內爆時間τi后，τ1可以在安全系數下設置為小于τi的值。以下段落用于敘述本實驗的一實例。假設圖案結構為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結了其他試驗參數以及**終的圖案損傷數據：表2在一個試驗中，當τ1＝2ms(或周期數為2000)時，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結構造成的損傷高達1216個點。當τ1＝(或周期數為100)時，聲波清洗工藝對相同的圖案結構造成的損傷為0。所以τi為。通過縮小τ1的范圍來做更多的試驗可進一步縮小τi的范圍。在上述實驗中，周期數取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率。功率密度越大，則周期數越小；頻率越低，則周期數越小。從以上實驗結果可以預測出無損傷的周期數應該小于2000，假設超聲波或兆聲波的功率密度大于，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于，那么可以預測周期數將會增加。知道時間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來獲得。確定時間τ1。

    并且與基座110形成腔室c。在實際應用中，殼體120接觸基座110。依據實際情況，殼體120可與基座110密封地接觸，然而本發明不以此為限。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導體晶圓200。殼體120具有排氣口121，其遠離基座110設置。微波產生器130設置于殼體120上，并且被配置成對半導體晶圓200所在的腔室c發射微波w。在半導體晶圓干燥設備100運行的期間，半導體晶圓200首先被設置于基座110上，使得半導體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內。接下來，微波產生器130對位于腔室c內的半導體晶圓200發射微波w，使得先前的工藝殘留于半導體晶圓200表面的水(圖未示)接收到發射自微波產生器130的微波w。如此一來，半導體晶圓200表面的水被加熱并轉換成水蒸氣s，而水蒸氣s隨后經由殼體120的排氣口121排出腔室c。因此，半導體晶圓200表面的水被移除，使得半導體晶圓200變得干燥。運用微波w移除先前的工藝殘留于半導體晶圓200表面上的水，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導體晶圓200的作業成本。此外，如圖1所示，微波產生器130設置于殼體120外。殼體120具有多個穿孔h1，其被配置成供微波w穿越，使得發射自微波產生器130的微波w得進入腔室c。半導體晶圓推薦廠家..

    但本領域普通技術人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行，也可以針對單一個芯片進行。在一實施例當中，如果要讓內框結構的晶圓層厚度小于邊框結構的晶圓層厚度，可以反復執行步驟1520與1530。在***次執行步驟1520時，屏蔽層的圖樣*包含邊框區域。***次執行蝕刻步驟1530時，蝕刻的深度到達內框結構的厚度。接著，第二次執行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內框區域。接著，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來，就有厚薄不一的邊框結構與方框結構。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示，屏蔽層1610已經被去除。本領域普通技術人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術，不在此詳述。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物。舉例來說，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金。半導體晶圓信息匯總。天水半導體晶圓行價

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    在步驟33050中，待氣泡內的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測到的斷電時間與預設時間τ2進行比較，如果檢測到的斷電時間短于預設時間τ2，則關閉超聲波或兆聲波電源并發出報警信號。在步驟33070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟33010-33060。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。圖34揭示了根據本發明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34020中，設置超聲波或兆聲波裝置的頻率為f1，功率為p1以驅動超聲波或兆聲波裝置。在步驟34030中，檢測聲波電源輸出的振幅并將其與預設值進行比較，如果檢測到的振幅高于預設值，則關閉電源并發出報警信號。在步驟34040中，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結構之前，設置電源輸出為零。在步驟34050中，待氣泡內的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設置為頻率為f1及功率為p1。在步驟34060中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟34010-34050。北京半導體晶圓價錢

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