所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設有螺套58，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設有第五連桿56，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉動，可使所述螺套58間歇性升降移動，進而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動，從而可使所述移動塊53帶動所述海綿52間歇性往返左右移動，則可使所述海綿52在所述切割片50上升時向所述切割片50移動并抵接，以及在所述切割片50下降時向所述移動腔13方向打開，通過所述冷卻水腔14內的冷卻水，可保證所述海綿52處于吸水狀態。另外，在一個實施例中，所述傳動腔55的上側開設有皮帶腔60，所述皮帶腔60的底壁上轉動設有豎軸12，所述第二螺桿57向上延伸部分伸入所述皮帶腔60內，所述第二螺桿57與所述豎軸12之間傳動連接設有皮帶傳動裝置59，所述豎軸12向下延伸部分伸入所述動力腔26內，且其底面固設有***齒輪20，位于所述動力腔26內的所述***螺桿17外周上固設有第二齒輪19，所述第二齒輪19與所述***齒輪20嚙合，通過所述第三電機25的運轉，可使所述***螺桿17帶動所述豎軸12往返轉動，進而可使所述皮帶傳動裝置59傳動來動所述第二螺桿57往返轉動。另外，在一個實施例中，所述夾塊49分為上下兩部分。半導體晶圓研磨技術？成都半導體晶圓來電咨詢

    為了能將花籃內部的圓形空間靈活地分隔為半圓形、不同角度扇形等不同形狀，以適用于相應形狀的晶圓，推薦地，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側壁內緣及相應位置的圓形底盤上設置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽，豎直擋板與相應的卡槽配合可將平放花籃內的空間劃分為不同角度的扇形空間。進一步推薦地，所述豎直擋板上設置有一組通孔，以便清洗液在所分隔的不同空間中流動。為了適用于不同規格的晶圓清洗，推薦地，所述一組平放花籃中包括多個具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地，所述提把的上端帶有掛鉤，以便在清洗時將整個治具懸掛在清洗槽邊緣或掛桿上。為了便于公眾理解，下面通過一個實施例并結合附圖來對本實用新型的技術方案進行詳細說明：如圖1、圖2所示，本實施例的治具包括提把1和一組不同尺寸規格（例如對應于**常見的4寸、5寸、6寸晶圓的尺寸）的平放花籃2；所述提把1沿豎直方向均勻設置有一組連接端口11（本實施例的連接端口為5個，相鄰端口間的高度差為5cm），提把1的頂端還設置有用于懸掛清洗治具的掛鉤；所述平放花籃2由圓形底盤21和設置在圓形底盤21邊緣的一圈鏤空側壁22組成，圓形底盤21上設置有一組通孔。淄博半導體晶圓誠信為本國內哪家做半導體晶圓比較好？

    在半導體晶圓制造過程中，光阻層的涂敷、曝光和成像對元器件的圖案制造來說是必要的工藝步驟。在圖案化的***(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進行下一工藝步驟之前，光阻層材料的殘留物需徹底除去。至今在半導體制造工業中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分；第二步利用緩蝕劑組合物濕蝕刻/清洗工藝除去且清洗掉剩余的光阻層，其步驟一般為清洗液清洗/漂洗/去離子水漂洗。在這個過程中只能除去殘留的聚合物光阻層和無機物，而不能攻擊損害金屬層如鋁層。技術實現要素：本發明旨在提供了一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液。本發明提供如下技術方案：一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數的原料組成：有機溶劑44-50份、氟化物8-15份、氯化物10-12份、甲基丙烯酸甲酯4-8份、有機胺5-10份、氨基酸12-15份、胍類12-18份、苯并三氮唑4-7份、有機羧酸18-20份、硫脲22-25份和水60-72份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。

    在氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達到時間段τ2后(在時間段τ2內，設置電源輸出為零)，電源輸出恢復至頻率f1及功率水平p1。在步驟15270中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟15210-15260。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。參考圖15d所示，氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠低于內爆溫度ti。此外，在步驟15250中，只要氣泡膨脹力不破壞或損壞圖案結構15034，氣泡的尺寸可以略大于圖案結構15034的間距w。參考圖15d所示，步驟15240的持續時間可以從圖7e所示的過程中經驗地獲得為τ1。在一些實施例中，圖7至圖14所示的晶圓清洗工藝可以與圖15所示的晶圓清洗工藝相結合。圖16a-16c揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。在氣泡內的氣體和/或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前或者在τ1達到根據公式(11)計算出的τi之前，設置電源輸出為圖16a所示的正的直流值或是圖16b和圖16c所示的負的直流值。結果，氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度開始降低。國內半導體晶圓 代工公司。

    圖7d揭示了根據本發明的***個實施例的避免氣泡內爆的詳細工藝步驟。工藝步驟從步驟7010開始，在步驟7010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟7020中，將清洗液，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟7030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉或振動。在步驟7040中，頻率為f1，功率水平為p1的電源被應用于聲波裝置。在步驟7050中，在氣泡內的氣體或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前，或在時間τ1達到通過方程式(11)所計算出的τi之前，設置電源輸出為0，因此，由于清洗液的溫度遠低于氣體溫度，氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度開始冷卻。在步驟7060中，當氣泡內氣體或蒸汽的溫度降低至室溫t0或時間達到τ2(在τ2時間段內，設置電源輸出為0)后，電源輸出恢復到頻率為f1，功率水平為p1。在步驟7070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟7010-7060。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。參考圖7d所示，在步驟7050中，為了避免氣泡內爆，時間段τ1必須比時間段τi短，可以通過公式(11)計算出τi。在步驟7060中。晶圓的基本工藝有哪些？北京半導體晶圓誠信推薦

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    目的是使得氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據本發明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內，電源的頻率增至f2，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據本發明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內，電源的頻率增至f2，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據本發明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1，因此，聲波能量對氣泡的加熱不那么強烈，功率水平p2可略高于功率水平p1，但是不能太高，以確保在時間段τ2內，氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度降低，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中，穩定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結構。參考圖15a所示。成都半導體晶圓來電咨詢

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