用于集成電路生產的材料依然以進口為主，中國生產替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產線陸續投產，預計2018年將為中國當地半導體材料產業發展帶來新契機。未來中國半導體材料產業發展趨勢將從兩方面同步進行：集中優勢資源，針對各類別半導體材料，以一部分大廠為首，進行資源再整合；建立完善的半導體材料體系，加快**材料的研發，實現中國國產替代。中國半導體材料產業雖然克服了政策和資金的障礙，但仍面對來自技術、人才與客戶認證等方面的嚴峻挑戰。未來產業將著重解決以下問題：基礎**瓶頸突破進展緩慢、半導體材料人才儲備和培養嚴重不足、聯合**協調作用，以及率先突破當地認證關卡。目前中國半導體材料產業雖然比較薄弱，關鍵材料仍以進口為主，但隨著**政策大力支持和大基金對產業鏈持續投入，已出現頗具實力的廠商，在積極投入研發創新下，各自開發的產品已初見成效，現已成為中國半導體材料產業的中堅力量。因為制程精細度要求(技術規格)和影響(制造材料的影響會直接反映在芯片表現上，有些中低階應用的封測材料和芯片的直接表現影響較小)，半導體制造材料面對的是比封測材料更高的進入障礙(由于制程復雜度的差異，相較于封測材料。進口半導體晶圓產品的價格。半導體晶圓

    本申請關于半導體，特別是關于晶圓級芯片封裝基板結構的設計與制作。背景技術：現代電子裝置越來越輕薄短小，集成電路的尺寸不*縮小，還有薄型化的趨勢。相較于傳統芯片，薄型化的芯片能夠承受的物理應力與熱應力較小。在進行熱處理與其他加工工藝時，特別是當芯片焊貼到印刷電路板時，物理應力與熱應力容易造成基板的裂紋與/或翹曲，進而導致半導體元器件失效。除此之外，當芯片薄型化之后，由于導電的線路可能變小變窄，使得電阻增加。不利于降低消耗功率，也導致溫度上升的速度較快。當散熱效率無法應付溫度上升的速度時，可能需要額外的散熱組件，就喪失薄型化芯片的優點。據此，需要一種具有較強強度的基板結構，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結構的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。技術實現要素：本申請所提供的基板結構以及晶圓級芯片封裝的基板結構，在芯片的中心部分具有較薄的晶圓層，可以降低基板結構的整體電阻值。在芯片的周邊部分具有邊框結構，在芯片的中心部分可以具有一或多重內框結構，以彌補較薄晶圓層的結構強度。半導體晶圓半導體制程重要輔助設備。

    其中該中心凹陷區域是方形。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環狀凹陷區域或該中心凹陷區域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區域的電阻值降低，其中在該邊框結構區域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內框結構區域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了節省金屬層的厚度以便節省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區域，該金屬層凹陷區域在該第二表面的投影區域位于該中心凹陷區域當中。在一實施例中，為了設計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區域與該凹陷區域的形狀相應，該金屬層凹陷區域的面積小于該中心凹陷區域的面積。根據本申請的一實施例，提供一種半導體晶圓，其特征在于，其中該半導體晶圓當中預定切割出一***芯片區域，該***芯片區域包含如所述的半導體組件的基板結構。在一實施例中。

    所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數的原料組成：有機溶劑48份、氟化物12份、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份、有機胺7份、氨基酸14份、胍類15份、苯并三氮唑5份、有機羧酸19份、硫脲23份和水64份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。開封怎么樣半導體晶圓?

    術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。如圖1所示為一種半導體晶圓表面缺陷的快速檢測系統圖，包括入射光源101，耦合物鏡102，***透鏡103，***104，第二透鏡105，***濾光片106，***偏振片107，柱面鏡108，第三透鏡109，***相機110，第四透鏡111，第二偏振片112，第二濾光片113，偏振分光棱鏡114，平面單晶115，二向色鏡116，自聚焦控制系統117，顯微物鏡118，暗場照明119，移頻照明120，樣品121，樣品臺122，第二相機123，第五透鏡124，第三濾光片125和反射鏡126。自聚焦模塊通過閉環反饋能夠實現對樣品表面的實時鎖焦，樣品臺通過機械控制部件能夠實現對被檢測晶圓位置的精確掃描移動。相機110用于共焦掃描像的采集，相機123用于暗場照明，pl模式照明和移頻照明遠場像的采集。如圖2所示為一種實施實例示意圖，包括光源輸入端201，光源載具202，被檢測圓形波導203。半導體晶圓產品的用途是什么？廣東12英寸大尺寸半導體晶圓

進口半導體晶圓的優勢？半導體晶圓

    半導體制造領域普通技術人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結構400的金屬層310，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應。在一實施例當中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實施例當中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設計規格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層310，以便減少成本。請參考圖5a所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構500的剖面示意圖。和圖4所示的結構400相比，該結構500依序包含了半導體組件層130、晶圓層320、金屬層510、和樹酯層540。圖5a所示的結構500所包含的各組件，如果符號與圖4所示的結構400所包含的組件相同者，則可以適用圖4所示實施例的敘述。和圖4所示的結構400相比。半導體晶圓

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