半導體制造領域普通技術人員可以理解到，本申請并不限定是哪一種環氧樹酯。該樹酯層440可以用于保護該結構400的金屬層310，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。該樹酯層440包含彼此相對的一第五表面445與一第六表面446，該第五表面445與該金屬層310的第四表面314彼此相接或相貼。因此，該第五表面445與該第四表面314的形狀彼此相應。在一實施例當中，該樹酯層440的該第五表面445與該第六表面446的距離可以介于50~200um之間。在圖3與圖4的實施例當中，在芯片中間的金屬層310比較厚。由于金屬層310的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層310的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設計規格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層310，以便減少成本。請參考圖5a所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構500的剖面示意圖。和圖4所示的結構400相比，該結構500依序包含了半導體組件層130、晶圓層320、金屬層510、和樹酯層540。圖5a所示的結構500所包含的各組件，如果符號與圖4所示的結構400所包含的組件相同者，則可以適用圖4所示實施例的敘述。和圖4所示的結構400相比。洛陽怎么樣半導體晶圓?重慶半導體晶圓多大

    以及波導表面缺陷微結構204。光源輸入端數量以及方位需根據被檢測樣品的尺寸進行設置。光源載具需要能夠在二維平面內進行縮放調控，滿足不同尺寸樣品的需求。光源載具的設計不限于圖中所示圓環形貌，也可是**控制的多組結構。如被檢測波導為多邊形結構，需要將輸入光源的排布形貌做出調整。如圖3所示為一種實施實例示意圖，包括環形耦合波導302，環形波導內傳輸光場301，被檢測晶圓波導303以及晶圓波導表面缺陷304。當光場在環形耦合波導內傳輸時，環形波導表面的倏逝場將耦合進被檢晶圓波導內。如前所述，不同的環形耦合波導結構需要根據被檢測樣品的尺寸進行切換。圖4a是一種暗場照明實施方案圖，包括斜照明光源載具401，斜照明光源輸出端口402，顯微物鏡403，以及被檢測晶圓樣品404。環形光源輸出端口402被夾持或者固定在載具401上，輸出光場傾斜入射照明被檢測晶圓樣品。圖4b是對應的暗場照明模塊的垂直截面圖。暗場照明也可采用暗場聚光器實施。圖5是移頻照明成像原理示意圖，對應的坐標系為頻譜空間域，(0,0)為頻譜域坐標原點，(0,kobl.)表示暗場照明沿著x方向入射時所能提供的移頻量，(0,keva.)表示倏逝場移頻照明沿著x方向入射時所能提供的頻移量。洛陽半導體晶圓誠信為本中硅半導體半導體晶圓現貨供應。

    圖9a至圖9d揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖11a至圖11b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖14a至圖14b揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結構。圖15d揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖。圖16a至圖16c揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據本發明的另一個實施例的晶圓清洗工藝。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內的循環。圖19a至圖19d揭示了對應于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據本發明的一個實施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝。圖21a至圖21c揭示了根據本發明的另一個實施例的清洗工藝。圖22a至圖22b揭示了根據本發明的另一個實施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。

    圖18b是圖18a所示通孔的頂視圖。圖18c揭示了形成在晶圓18010上的多個槽18036的剖視圖。同樣的，槽18036中由聲波能量產生的氣泡18012增強了對雜質的去除，如殘留物和顆粒。圖18d是圖18c所示槽18036的頂視圖。飽和點rs被定義為通孔18034、槽18036或其他凹進區域內可容納的**大氣泡量。當氣泡的數量超過飽和點rs時，清洗液將受圖案結構內的氣泡阻擋且很難到達通孔18034或槽18036側壁的底部，因此，清洗液的清洗效果會受到影響。當氣泡的數量低于飽和點時，清洗液在通孔18034或槽18036內有足夠的活動路徑，從而獲得良好的清洗效果。低于飽和點時，氣泡總體積vb與通孔或槽或其他凹進區域的總體積vvtr的比值r為：r＝vb/vvtr當處于飽和點rs時，比值r為：r＝vb/vvtr＝rs通孔18034，槽18036或其他凹進區域內氣泡總體積為：vb＝n*vb其中，n為通孔、槽或凹進區域內的氣泡總數，vb為單個氣泡的平均體積。如圖18e至圖18h所示，當超聲波或兆聲波能量被應用于清洗液中時，氣泡18012的尺寸逐漸膨脹到一定體積，從而導致氣泡總體積vb和通孔、槽或其他凹進區域的體積vvtr的比值r接近或超過飽和點rs。膨脹的氣泡18012堵塞了清洗液體交換和***通孔或槽中雜質的路徑。在這種情況下。半導體晶圓信息匯總。

    在圖8b所示的實施例當中，示出四個內框結構。本領域普通技術人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請并不限定內框結構的數量、位置、形狀等配置的參數。在一實施例當中，如圖8a所示，在內框結構821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結構的厚度是相同的。在另一實施例當中，內框結構821與822的厚度與邊框結構的厚度可以是不同的。舉例來說，在內框結構821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結構的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應力與/或熱應力可以比在邊緣來得小，因此可以使用較薄的內框結構作為補強。一方面降低基板結構的電阻值，另一方面還能補強基板結構。請參考圖9所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構900的一剖面示意圖。圖9所示的結構900是在圖8所示的結構800之下加入樹酯層440。和圖4所示的結構400一樣，該樹酯層440可以用于保護該結構900的金屬層810，并且降低物理應力與熱應力的影響，進而保護器件。在圖8a與圖9的實施例當中，在芯片中間的金屬層810比較厚。由于金屬層810的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴，制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設計規格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層810，以便減少成本。半導體晶圓生產工藝流程。廣州半導體晶圓誠信合作

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    一些氣泡內爆繼續發生，然后，在時間段τ2內，關閉聲波功率，氣泡的溫度從tn冷卻至初始溫度t0。ti被確定為通孔和/或槽的圖案結構內的氣泡內爆的溫度閾值，該溫度閾值觸發***個氣泡內爆。由于熱傳遞在圖案結構內是不完全均勻的，溫度達到ti后，越來越多的氣泡內爆將不斷發生。當內爆溫度t增大時，氣泡內爆強度將變的越來越強。然而，氣泡內爆應控制在會導致圖案結構損傷的內爆強度以下。通過調整時間△τ可以將溫度tn控制在溫度td之下來控制氣泡內爆，其中tn是超/兆聲波對清洗液連續作用n個周期的氣泡**高溫度值，td是累積一定量的氣泡內爆的溫度，該累積一定量的氣泡內爆具有導致圖案結構損傷的**度(能量)。在該清洗工藝中，通過控制***個氣泡內爆開始后的時間△τ來實現對氣泡內爆強度的控制，從而達到所需的清洗性能和效率，且防止內爆強度太高而導致圖案結構損傷。為了提高顆粒去除效率(pre)，在如圖22a至22b所示的超或兆聲波清洗過程中，需要有可控的非穩態的氣穴振蕩。可控的非穩態的氣穴振蕩是通過設置聲波電源在時間間隔小于τ1內功率為p1，設置聲波電源在時間間隔大于τ2內功率為p2，重復上述步驟直到晶圓被清洗干凈，其**率p2等于0或遠小于功率p1。重慶半導體晶圓多大

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