為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該半導體晶圓當中預定切割出一第二芯片區域，包含如該***芯片區域相同的該基板結構，該***芯片區域與該第二芯片區域的形狀不同。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，其中該半導體晶圓當中預定切割出多個芯片區域，該多個芯片區域當中的每一個都包含如該***芯片區域相同的該基板結構，該多個芯片區域當中的每一個芯片區域和該***芯片區域的形狀都相同。根據本申請的一方案，提供一種晶圓制造方法，其特征在于，包含：據所欲切割的多個芯片區域的大小與圖樣，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層，在該多個芯片區域其中的一***芯片區域，包含該屏蔽層未覆蓋的一中心凹陷區域與該屏蔽層覆蓋的一邊框結構區域，該中心凹陷區域位于該邊框結構區域當中，該邊框結構區域環繞在該第二表面周圍；蝕刻該中心凹陷區域的該晶圓層；去除該屏蔽層；以及在該第二表面上制造金屬層。進一步的，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該***芯片區域更包含該屏蔽層未覆蓋的一***環狀凹陷區域與該屏蔽層覆蓋的一***內框結構區域，該***環狀凹陷區域包圍該***內框結構區域。半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。開封半導體晶圓量大從優

    ticuni)、鈦合金、釩鎳合金、銀合金、鎳合金、銅合金、純鈷，也可以包含鋁、鈦、鎳、銀、鎳、銅各種金屬的合金。如圖16e所示的一實施例當中，步驟1550所作出的金屬層的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應當是平行的。如圖16f所示的一實施例當中，基板結構的金屬層1010可以更包含兩個金屬子層1011與1012。這兩個金屬子層1011與1012的材質可以相同，也可以不同。金屬子層1011的形狀與第二表面8222相應。金屬子層1012的形狀與金屬子層1011相應。制作金屬子層1011的工法可以和制作金屬子層1012的工法相同，也可以不同。圖16f所示的實施例的一種變化當中，也可以只包含一層金屬層1010，其形狀與第二表面822相應。如圖16g所示的一實施例當中，基板結構可以包含兩個金屬子層1011與1012。金屬子層1011的形狀與第二表面822相應。金屬子層1012的下表面與金屬子層1011的上表面相應，但金屬子層1012的上表面，也就是第四表面，是一個平面。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面，應當是平行的。雖然在圖16f與16g的實施例只示出兩個金屬子層1011與1012，但本領域普通技術人員可以理解到步驟1550可以制作出包含更多金屬子層的金屬層。深圳半導體晶圓供應商半導體晶圓服務電話？

    金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結構300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領域普通技術人員可以透過圖6理解到，本申請并不限定該晶圓層320外緣的形狀。換言之，本申請不限定該芯片的形狀。本申請也不限定該金屬層310的形狀。除此之外，當該晶圓層320與該金屬層310都是矩形時，本申請也不限定該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框的厚度。在一實施例當中，這四個邊框的厚度621~624可以相同，以簡化設計與制作的問題。在另一實施例當中，這四個邊框當中兩組邊框的厚度可以相同，以簡化設計與制作的問題。在更一實施例當中，這四個邊框的厚度621~624可以完全不同，以便適應芯片設計的需要。請參考圖7所示。

    因為清洗液的溫度遠低于氣體和/或蒸汽溫度。在一些實施例中，直流輸出的振幅，可以是正的也可以是負的，可以大于(圖片中未顯示)，等于(如圖16a和16b所示)或小于(如圖16c所示)在τ1時間段內用于在清洗液中制造氣穴振蕩的電源輸出功率p1。圖17揭示了根據本發明的一個實施例的晶圓清洗工藝。該晶圓清洗工藝也與圖7a-7e所示的相類似，除了圖7d所示的步驟7050。該晶圓清洗工藝使電源輸出的相位反相，同時保持在時間段τ1內施加的相同頻率f1，因此，氣泡氣穴振蕩能夠迅速停止。結果，氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度開始降低，因為清洗液的溫度遠低于氣體和/或蒸汽溫度。參考圖17所示，在τ2時間段內電源輸出功率水平為p2，在不同的實施例中，p2可以大于、等于或小于在τ1時間段內電源輸出功率水平p1。在一個實施例中，只要相位相反，時間段τ2內的電源頻率可以不同于f1。在一些實施例中，超聲波或兆聲波的電源輸出頻率f1在。圖18a-18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強晶圓上通孔或槽內的新鮮清洗液的循環。圖18a揭示了形成在晶圓18010上的多個通孔18034的剖視圖。通孔的開孔直徑表示為w1。通孔18034中由聲波能量產生的氣泡18012增強了對雜質的去除，如殘留物和顆粒。什么才可以稱為半導體晶圓？

    圖7d揭示了根據本發明的***個實施例的避免氣泡內爆的詳細工藝步驟。工藝步驟從步驟7010開始，在步驟7010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟7020中，將清洗液，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟7030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉或振動。在步驟7040中，頻率為f1，功率水平為p1的電源被應用于聲波裝置。在步驟7050中，在氣泡內的氣體或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前，或在時間τ1達到通過方程式(11)所計算出的τi之前，設置電源輸出為0，因此，由于清洗液的溫度遠低于氣體溫度，氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度開始冷卻。在步驟7060中，當氣泡內氣體或蒸汽的溫度降低至室溫t0或時間達到τ2(在τ2時間段內，設置電源輸出為0)后，電源輸出恢復到頻率為f1，功率水平為p1。在步驟7070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟7010-7060。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。參考圖7d所示，在步驟7050中，為了避免氣泡內爆，時間段τ1必須比時間段τi短，可以通過公式(11)計算出τi。在步驟7060中。半導體晶圓信息匯總。汕頭半導體晶圓定制價格

半導體晶圓生產工藝流程。開封半導體晶圓量大從優

    所述動力腔26內設有可控制所述升降塊15間歇性往返升降，來達到連續切割狀態的動力機構103，所述切割腔27靠上側位置設有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片50的海綿52，所述切割腔27的靠上側位置左右兩側連通設有冷卻水腔14，是冷卻水腔14的上側連通設有傳動腔55，所述傳動腔55內設有可控制所述海綿52在所述切割片50上升時抵接所述切割片50，達到冷卻效果的傳動機構104，所述傳動機構104與所述動力機構103聯動運轉。另外，在一個實施例中，所述步進機構101包括固設在所述滑塊47底面上的步進塊37，所述步進塊37位于所述從動腔62內，所述步進塊37的底面固設有***齒牙38，所述從動腔62的后壁上轉動設有兩個左右對稱的旋轉軸36，所述旋轉軸36的外周上固設有***連桿32，所述從動腔62的后壁上鉸接設有兩個左右對稱的第二連桿30，所述第二連桿30與所述***連桿32之間鉸接設有三叉連桿31，所述三叉連桿31另一側鉸接設有旋轉軸36，兩個所述旋轉軸36的頂面上固設有一個橫條33，所述橫條33的頂面上固設有第二齒牙34，所述第二齒牙34可與所述***齒牙38嚙合，通過所述旋轉軸36的旋轉，可使所述***連桿32帶動所述三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動。開封半導體晶圓量大從優

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