因此需要更長的時間τ1。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度。通常，在本發明的晶圓清洗工藝中所應用的的超聲波或兆聲波的頻率在。圖23揭示了根據本發明的一實施例的用于執行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的一示范性的晶圓清洗裝置。該晶圓清洗裝置包括用于承載晶圓23010的晶圓卡盤23014，在清洗過程中由旋轉驅動裝置23016驅動晶圓卡盤23014帶著晶圓23010一起旋轉。該晶圓清洗裝置還包括噴頭23064，用于輸送如清洗化學液或去離子水23060等清洗液至晶圓23010。與噴頭23064相結合的超聲波或兆聲波裝置23062用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。由超聲波或兆聲波裝置23062產生的超聲波或兆聲波通過由噴頭23064噴出的清洗液23060傳遞至晶圓23010。圖24揭示了根據本發明的用于執行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的另一實施例的晶圓清洗裝置的剖視圖。該晶圓清洗裝置包括容納清洗液24070的清洗槽24074，用于裝載多片晶圓24010的晶圓盒24076，該多片晶圓24010浸沒在清洗液24070中。該晶圓清洗裝置進一步包括設置在清洗槽24074的壁上的超聲波或兆聲波裝置24072，用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液。至少有一個入口(圖中未顯示)用于使清洗槽24074充滿清洗液24070，因此。半導體封裝晶圓切割膠帶品牌有哪些？北京半導體晶圓銷售電話

    用振幅隨著時間變化的電源的功率水平p來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的功率水平p1。在一個實施例中，如圖8a所示，在時間段τ1內，電源的功率振幅p增大。在另一個實施例中，如圖8b所示，在時間段τ1內，電源的功率振幅p減小。在又一個實施例中，如圖8c所示，在時間段τ1內，電源的功率振幅p先減小后增大。在如圖8d所示的實施例中，在時間段τ1內，電源的功率振幅p先增大后減小。圖9a至圖9d揭示了根據本發明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的頻率隨著時間變化，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣，在該實施例中，用隨著時間變化的電源的頻率來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的頻率f1。如圖9a所示，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f1后設置為f3，f1高于f3。如圖9b所示，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f3后增大至f1。如圖9c所示，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率從f3變化至f1再變回f3。如圖9d所示，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率從f1變為f3再變回f1。與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f1。河北半導體晶圓推薦貨源半導體晶圓量大從優..

    在其他區域利用較厚的樹酯層540替換部分的金屬層510的金屬，以便適應不同的半導體元器件所需要的基板結構電阻值。在制作方面，雖然樹酯層540的深度、形狀與位置有所變化，但由于制作樹酯層540的工序都是一樣，所以成本只和金屬用量的多少有關而已。請參考圖8a所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構800的一剖面示意圖。該結構800依序包含半導體組件層130、晶圓層820與金屬層810。和圖3所示的結構300相比，除了晶圓層820外緣的邊框之外，在晶圓層820的**，也有加強用的內框結構。在圖8a當中，可以看到兩個內框結構821與822。本領域普通技術人員可以理解到，內框結構可以增進晶圓層820的結構強度。但需要注意的是，安排在內框結構上方的半導體元器件，其所適用基板結構的電阻值就會比其他區域的電阻值來得高。因此，可以盡量不要安排需要較低基板結構電阻值的半導體元器件在這些內框結構的上方。雖然在圖8a所示的實施例當中，只示出兩個內框結構821與822，且該內框結構821與822相對于邊框的距離是相同的。但本申請并不限定內框結構的數量、位置、形狀等配置的參數。請參考圖8b所示，其為根據本申請一實施例的半導體基板的結構800的一剖面示意圖。

    因此晶圓1010須旋轉以在整個晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個聲波裝置1003，但是在其他實施例中，也可以同時或間歇使用兩個或多個聲波裝置。同理，也可以使用兩個或多個噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內爆。當聲能作用于氣泡3012上時，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g。**終氣泡3012到達內爆狀態i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達到上千個大氣壓和上千攝氏度)，會損傷晶圓4010上的精細圖案結構4034，尤其是當特征尺寸t縮小到70nm或更小時。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結構。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導體晶圓4010的圖案結構4034上方形成氣泡4040,4042，4044。半導體晶圓研磨技術？

    并且不同規格的花籃無法同時進行作業，**降低了生產的效率。技術實現要素：本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有技術不足，提供一種半導體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實現多層同時清洗。本實用新型具體采用以下技術方案解決上述技術問題：一種半導體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側壁組成，圓形底盤上設置有一組通孔，在所述鏤空側壁的外緣設置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應于該連接端口的位置。推薦地，圓形底盤上的所述通孔均勻分布。推薦地，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側壁內緣及相應位置的圓形底盤上設置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽，豎直擋板與相應的卡槽配合可將平放花籃內的空間劃分為不同角度的扇形空間。進一步推薦地，所述豎直擋板上設置有一組通孔。推薦地，所述一組平放花籃中包括多個具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地，所述提把的上端帶有掛鉤。相比現有技術。天津12英寸半導體晶圓代工。丹東半導體晶圓推薦貨源

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    通過通信電纜25088發送比較結果到主機25080。如果聲波發生器25082的輸出值與主機25080發送的參數設定值不同，則檢測電路25086將發送報警信號到主機25080。主機25080接收到報警信號后關閉聲波發生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結構的損傷。圖26揭示了根據本發明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現。通信電路26096作為主機25080的接口。通信電路26096與主機25080實現rs232/rs485串行通信來從主機25080讀取參數設置，并將比較結果返回主機25080。電源電路26098將直流15v轉換成直流、直流。圖27揭示了根據本發明的另一個實施例的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、振幅檢測電路27092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。圖28a至圖28c揭示了根據本發明的一個實施例的電壓衰減電路的示例。當聲波發生器25082輸出的聲波信號***被讀取時，該聲波信號具有相對較高的振幅值，如圖28b所示。電壓衰減電路26090被設計成使用兩個運算放大器28102和28104來減小波形的振幅值。北京半導體晶圓銷售電話

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