可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設計。在另一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同。框的寬度可以與內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當中，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請所欲保護的技術特征在于，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強該一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個數(shù)。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。本領域普通技術人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。天津12英寸半導體晶圓代工。半導體晶圓推薦廠家

    本申請?zhí)峁┝司哂袕姸容^大的基板結(jié)構(gòu)的芯片，其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)，也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。附圖說明圖1為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖2為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)的另一剖面示意圖。圖3為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖4為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖5a與5b為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖7為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖8a為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖8b為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖9為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的一剖面示意圖。圖10a與10b為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11a為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。遼寧12寸半導體晶圓怎么選擇質(zhì)量好的半導體晶圓？

    其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑44份、氟化物8份、氯化物10份、甲基丙烯酸甲酯4份、有機胺5份、氨基酸12份、胍類12份、苯并三氮唑4份、有機羧酸18份、硫脲22份和水60份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。實施例2一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑50份、氟化物15份、氯化物12份、甲基丙烯酸甲酯8份、有機胺10份、氨基酸15份、胍類18份、苯并三氮唑7份、有機羧酸20份、硫脲25份和水72份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。

    為了能將花籃內(nèi)部的圓形空間靈活地分隔為半圓形、不同角度扇形等不同形狀，以適用于相應形狀的晶圓，推薦地，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應位置的圓形底盤上設置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽，豎直擋板與相應的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。進一步推薦地，所述豎直擋板上設置有一組通孔，以便清洗液在所分隔的不同空間中流動。為了適用于不同規(guī)格的晶圓清洗，推薦地，所述一組平放花籃中包括多個具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地，所述提把的上端帶有掛鉤，以便在清洗時將整個治具懸掛在清洗槽邊緣或掛桿上。為了便于公眾理解，下面通過一個實施例并結(jié)合附圖來對本實用新型的技術方案進行詳細說明：如圖1、圖2所示，本實施例的治具包括提把1和一組不同尺寸規(guī)格（例如對應于**常見的4寸、5寸、6寸晶圓的尺寸）的平放花籃2；所述提把1沿豎直方向均勻設置有一組連接端口11（本實施例的連接端口為5個，相鄰端口間的高度差為5cm），提把1的頂端還設置有用于懸掛清洗治具的掛鉤；所述平放花籃2由圓形底盤21和設置在圓形底盤21邊緣的一圈鏤空側(cè)壁22組成，圓形底盤21上設置有一組通孔。半導體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。

    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。進一步的，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。進一步的，為了設計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積。總上所述。西安怎么樣半導體晶圓?遼寧12寸半導體晶圓

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    所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2～5。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的清洗液能有效***金屬污染物的殘留問題，同時對金屬和非金屬的腐蝕速率較小，有效改善了一般氟類清洗液不能同時控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題，提高化學清洗質(zhì)量；對殘留物的清洗時間明顯縮短，效率提高；由于不存在強氧化劑，清洗液放置穩(wěn)定，使用安全。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例1一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液。半導體晶圓推薦廠家

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