在所述鏤空側壁22的外緣設置有至少一個連接端子23，所述連接端子23與提把1上的任一連接端口11相配合可使得平放花籃2可拆卸地固定于提把1上對應于該連接端口的位置。如圖3、圖4所示，該治具還包括一組豎直擋板24，豎直擋板24上均勻開設有一組通孔；所述平放花籃2的鏤空側壁22內緣及相應位置的圓形底盤21上設置有一系列用于固定所述豎直擋板24的卡槽，豎直擋板24與相應的卡槽配合可將平放花籃2內的空間劃分為不同角度的扇形空間。本實施例中采用由兩根一字形擋板組成的十字形豎直擋板，可將平放花籃2內的空間等分為4個**的90度扇形空間，適用于90度扇形晶圓的清洗，**的扇形區域可以保證不同的晶圓片**放置，避免碰撞產生碎片；也可以用一根一字形擋板將平放花籃2內的空間等分為2個半圓形空間，從而適用于半圓形晶圓的清洗。在進行晶圓清洗時，可將5個不同尺寸規格的平放花籃2分別固定在提把1的5個連接端口處，并通過相應豎直擋板將各個平放花籃分隔為半圓、90度扇形等不同形狀的**區域，這樣就可實現同時清洗不同尺寸圓形、扇形、半圓形等多種形狀，不同工藝工序相同工藝條件的晶圓片，提高生產產能，降低單一清洗治具的設計與定制成本。浙江12英寸半導體晶圓代工。北京標準半導體晶圓

    該中心凹陷區域位于該***內框結構區域當中，該***環狀凹陷區域位于該邊框結構區域當中。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該***芯片區域更包含該屏蔽層未覆蓋的一第二環狀凹陷區域與該屏蔽層覆蓋的一第二內框結構區域，該***內框結構區域完全包圍該第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域包圍該第二內框結構區域，該第二內框結構區域包圍該中心凹陷區域。進一步的，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該晶圓制造方法更包含：在該金屬層上涂布樹酯層。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，上述的各步驟是針對該晶圓層的該多個芯片區域同時施作。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：進行該多個芯片區域的切割。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術來加速具有上述基板結構的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：在該涂布樹酯層的步驟之后，進行該多個芯片區域的切割。進一步的，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域。廣州半導體晶圓推薦廠家什么才可以稱為半導體晶圓？

    圖11a所示的實施例是圖8a所示的結構800，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號。但本領域普通技術人員可以理解到，剖面1100可以適用于結構900或1000，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過，本申請并不限定內框結構的形狀。舉例來說，內框結構可以是x字型，還可以是v字型，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結構。在圖11a所示的實施例當中，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示。晶圓層820的四個邊框的820a寬度相等。在金屬層810a的內部，還有晶圓層的內框結構820b。該內框結構820b的內部尚有金屬層810b。圖11a所示晶圓層820的邊框結構820a與內框結構820b是同心的相應形狀。由于芯片的設計當中，在中心的區域由于具有和四邊等距離的幾何特性，因此通常是**適合放置邏輯電路。而在周邊的區域，則通常會放置和存取相關的模擬電路。在這種的電路設計當中，由于邏輯電路一旦故障，整個芯片可能就得報廢。而模擬電路的線路通常較粗，可能承受相同程度的損傷還不至于故障。所以可以利用內框結構820b來加強邏輯電路中心區域的結構強度，以增加芯片的強固程度。再者，雖然在圖11a所示的實施例當中，只有一個內框結構820b。但本領域技術人員可以理解到。

    在一實施例中，為了保護該金屬層，并且降低物理應力與熱應力的影響，該基板結構更包含：一樹酯層，具有相對應的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應于該第四表面。在一實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計簡化，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度相同。在一特定實施例中，為了讓基板結構所承載的半導體組件的設計更加簡化，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度相同。在一實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的不同設計，其中該邊框結構區域依序包含***邊結構區域、第二邊結構區域、第三邊結構區域與第四邊結構區域，該***邊結構區域與該第三邊結構區域的寬度不同。在一特定實施例中，為了讓基板結構適應所承載的半導體組件的具有更大的設計彈性，其中該***邊結構區域、該第二邊結構區域、該第三邊結構區域與該第四邊結構區域的寬度均不相同。在一實施例中，為了配合大多數矩形芯片的形狀，其中該中心凹陷區域是矩形。在一實施例中，為了配合大多數方形芯片的形狀。半導體晶圓研磨技術？

    以防止氣泡長大到一個臨界尺寸，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據本發明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時間段τ1內設置功率水平為p1及在時間段τ2內關閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對應每個氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖。圖20c揭示了在每個氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區域的體積vvtr的比值r的曲線圖。根據r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr這里，氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn，單個氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數n后，在時間τ1內增大。rn被控制在飽和點rs之下。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進區域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0，單個氣泡的平均體積在冷卻過程中，在時間τ2內回到初始大小。參考圖20b所示，在時間段τ1內，在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下，氣泡增大到大體積vn。在這種狀態下，清洗液的傳輸路徑部分受阻。新鮮的清洗液無法徹底進入到通孔或槽的底部和側壁。與此同時。半導體晶圓推薦貨源.?天津品質半導體晶圓

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    圖7d揭示了根據本發明的***個實施例的避免氣泡內爆的詳細工藝步驟。工藝步驟從步驟7010開始，在步驟7010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟7020中，將清洗液，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟7030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉或振動。在步驟7040中，頻率為f1，功率水平為p1的電源被應用于聲波裝置。在步驟7050中，在氣泡內的氣體或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前，或在時間τ1達到通過方程式(11)所計算出的τi之前，設置電源輸出為0，因此，由于清洗液的溫度遠低于氣體溫度，氣泡內的氣體和/或蒸汽溫度開始冷卻。在步驟7060中，當氣泡內氣體或蒸汽的溫度降低至室溫t0或時間達到τ2(在τ2時間段內，設置電源輸出為0)后，電源輸出恢復到頻率為f1，功率水平為p1。在步驟7070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟7010-7060。或者，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數可能是預先用樣品晶圓通過經驗確定。參考圖7d所示，在步驟7050中，為了避免氣泡內爆，時間段τ1必須比時間段τi短，可以通過公式(11)計算出τi。在步驟7060中。北京標準半導體晶圓

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