清洗液中的氣泡可以在每次***時段的清洗后充分冷卻，以避免損傷晶圓。根據以下實施例的詳細描述，本發明的其他方面、特征及技術對于本領域的技術人員將是顯而易見的。附圖說明構成本說明書一部分的附圖被包括以描述本發明的某些方面。對本發明以及本發明提供的系統的組成和操作的更清楚的概念，通過參考示例將變得更加顯而易見，因此，非限制性的，在附圖中示出的實施例，其中類似的附圖標記(如果它們出現在一個以上的視圖)指定相同的元件，通過參考這些附圖中的一個或多個附圖并結合本文給出的描述，可以更好地理解本發明，應當注意，附圖中示出的特征不是必須按比例繪制。圖1a至圖1b揭示了根據本發明的一個實施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖2a至圖2g揭示了不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖3揭示了在晶圓清洗過程中氣泡內爆。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結構。圖5a至圖5c揭示了在聲波清洗晶圓過程中氣泡內部熱能變化。圖6a至圖6c揭示了在聲波清洗晶圓過程中**終發生微噴射。圖7a至圖7e揭示了根據本發明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖8a至圖8d揭示了根據本發明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。成都8寸半導體晶圓厚度多少？四川全球半導體晶圓

    本申請還提供具有上述基板結構的半導體晶圓，以及制作上述基板結構的晶圓制造方法。根據本申請的方案，提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓、以及晶圓制作方法。根據本申請的一方案，提供一種承載半導體組件的基板結構，其特征在于，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區域，該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區域環繞在該第二表面周圍；以及一金屬層，具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面。進一步的，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環狀凹陷區域，該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一***內框結構區域。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該第二環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一第二內框結構區域，該***環狀凹陷區域完全包含環狀的該***內框結構區域。天津半導體晶圓誠信合作國內半導體晶圓 代工公司,硅晶圓片工藝技術!

    提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓、以及晶圓制作方法。根據本申請的一實施例，提供一種承載半導體組件的基板結構，其特征在于，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區域，該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區域環繞在該第二表面周圍；以及一金屬層，具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面。在一實施例中，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環狀凹陷區域，該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該***環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一***內框結構區域。在一特定實施例中，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該第二環狀凹陷區域與該中心凹陷區域之間形成環狀的一第二內框結構區域，該***環狀凹陷區域完全包含環狀的該***內框結構區域，該***內框結構區域完全包圍該第二環狀凹陷區域，該第二環狀凹陷區域完全包圍該第二內框結構區域。

    揭示了根據本發明的一個實施例的使用超聲波或兆聲波裝置的晶圓清洗裝置。圖1a揭示了晶圓清洗裝置的剖視圖。該裝置包括用于保持晶圓1010的晶圓卡盤1014，用于驅動晶圓卡盤1014的轉動驅動裝置1016，用于輸送清洗液1032至晶圓1010表面的噴頭1012。清洗液1032可以是化學試劑或去離子水。晶圓清洗裝置還包括位于晶圓1010上方的超聲波或兆聲波裝置1003，因此，隨著晶圓1010的旋轉以及從噴頭1012內噴出的恒定流量的清洗液1032，在晶圓1010和聲波裝置1003之間保持具有厚度d的清洗液1032液膜。聲波裝置1003進一步包括壓電式傳感器1004及與其配對的聲學共振器1008。壓電式傳感器1004通電后振動，聲學共振器1008會將高頻聲能量傳遞到清洗液1032中。由高頻聲能引起氣穴振蕩使得晶圓1010表面上的雜質顆粒，也就是污染物等松動，以此去除晶圓1010表面上的污染物。再次參考圖1a所示，晶圓清洗裝置還包括與聲波裝置1003相連接的臂1007以在豎直方向z上移動聲波裝置1003，從而改變液膜厚度d。豎直驅動裝置1006驅動臂1007的豎直移動。豎直驅動裝置1006和轉動驅動裝置1016都由控制器1088控制。參考圖1b所示，揭示了圖1a所示的晶圓清洗裝置的頂視圖。聲波裝置1003*覆蓋晶圓1010的一小部分區域。西安怎么樣半導體晶圓?

    位于所述晶圓承載機構下方設置有第二光源機構?，F有的半導體檢測設備大都基于暗場照明和熒光激發照明(pl)兩種方法，其中暗場照明能夠實現對大尺寸表面缺陷的觀察，pl模式則能實現對亞表面缺陷的觀察。后期，個別廠商推出的基于共焦照明成像系統的缺陷檢測方案，實現了對更小尺寸缺陷的檢測。倏逝場移頻照明能夠實現對被檢測樣品表面缺陷更高空間頻譜信息的獲取，從而實現對更小尺寸缺陷的識別，但是目前基于移頻照明的缺陷檢測方法和設備仍未被報道。技術實現要素：本發明的目的在于提出一種新型半導體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統。該系統在集成了暗場照明成像模式、pl成像模式以及共聚焦掃描成像模式的同時，引入了移頻照明缺陷檢測方法，實現了對更小尺寸缺陷的快速高分辨成像。移頻照明缺陷檢測方法的原理是通過在半導體晶圓表面引入移頻照明倏逝場，利用波導表面倏逝場與缺陷微結構的相互作用，實現對缺陷信息的遠場接收成像。利用該成像方法可實現對波導表面缺陷的大視場照明和快速顯微成像。一種半導體晶圓表面缺陷的快速超高分辨檢測系統，包括：照明光源，以及布置所述照明光源的光路上耦合物鏡、偏振片、偏振分光棱鏡、平面單晶、二向色鏡和顯微物鏡。半導體晶圓信息匯總。成都半導體晶圓模具

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    也不限定這些芯片采用同一種剖面設計，更不限定使用同一種基板結構。在執行晶圓級芯片封裝時，可以根據同一片晶圓上所欲切割的芯片的設計，來對該片晶圓執行特定的制程。請參考圖15所示，其為根據本申請一實施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級芯片封裝方法的一部分。該晶圓級芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進行制作、封裝與測試，然后經切割后，再將芯片放置到個別印刷電路板的過程。本申請所欲保護的部分之一是在封裝測試之前，針對于基板結構的制作方法。當然本申請也想要保護一整套的晶圓級芯片封裝方法。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片，可以包含圖3~14所述的各種基板結構與剖面。請再參考圖16a~16j，其為根據本申請實施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。圖16a~16j的各圖是針對晶圓當中的某一個芯片來繪制。在說明圖15的各步驟時，可以參考圖16a~16j的各圖。本領域普通技術人員可以理解到雖然圖16a~16j是針對一個芯片的剖面進行繪制，但可以根據晶圓的設計，普遍地適用于整個晶圓。另外，在圖16a~16j當中，主要是針對基板結構1000來繪制。但本領域普通技術人員可以理解到。四川全球半導體晶圓

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