可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。英飛凌IGBT模塊選型主要是根據工作電壓，工作電流，封裝形式和開關頻率來進行選擇。上海SKM300GB12T4IGBT模塊優勢現貨庫存

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流。河南Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊代理貨源第四代IGBT能耐175度的極限高溫。

這個反電動勢可以對電容進行充電。這樣，正極的電壓也不會上升。如下圖：坦白說，上面的這個解釋節我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點一下。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節中，通過實際的電流照片，驗證這個二極管的作用。現在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續流二極管。即是這個符號：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續流二極管”集成在一個整體部件中，即下面的這個符號。在工廠中，我們稱這個整體部件叫IGBT，不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式整流電路，利用它的續流二極管實現整流。這樣，我們說：IGBT也可以進行整流，也沒有錯。但它的實質，還是用的二極管實現了整流。既然是用了“IGBT模塊”上的“續流二極管”整流，為什么不直接用“二極管”呢？答案是：這一種設計是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時產生的“諧波”，這個原理以后寫文再講。

變頻器IGBT模塊怎么檢測好壞？歐姆擋檢測：一表筆接直流母線正另一表筆分別接RST和UVW，三個阻值比較接近和后三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常一表筆接直流母線負另一表筆分別接RST和UVW，三個阻值比較接近和后三個阻值比較接近都是千歐姆級別正常否則就是壞啦用萬用表測量變頻器IGBT模塊好壞的具體步驟：為了人身安全，首先必須確保機器斷電，并拆除電源線R、S、T和輸出線U、V、W后放可操作！(1)先把萬用表打到“二級管”檔，然后通過萬用表的紅色表筆和黑色表筆按以下步驟檢測：(2)黑色表筆接觸直流母線的負極P(+),紅色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表上的顯示值；然后再把紅色表筆接觸N(-)，黑色表筆依次接觸R、S、T，記錄萬用表的顯示值；六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器二極管整流或軟啟電阻無問題，反之相應位置的整流模塊或軟啟電阻損壞，現象：無顯示。(3)紅色表筆接觸直流母線的負極P(+),黑色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表上的顯示值；然后再把黑色表筆接觸N(-)，紅色表筆依次接觸U、V、W，記錄萬用表的顯示值；判斷方法：六次顯示值如果基本平衡，則表明變頻器IGBT逆變模塊無問題，反之相應位置的IGBT逆變模塊損壞，現象：無輸出或報故障。IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑模塊”):這類模塊的封裝顏色是黑色的，屬于大功率模塊。

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P+區注入到N基區進行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。IGBT各世代的技術差異回顧功率器件過去幾十年的發展，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時段的產品通態電阻很小；電流控制，控制電路復雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應用的需求，需要一種新功率器件能同時滿足：驅動電路簡單,以降低成本與開關功耗、通態壓降較低，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術集成起來的研究，導致了IGBT的發明。1985年前后美國GE成功試制工業樣品（可惜后來放棄）。自此以后，IGBT主要經歷了6代技術及工藝改進。從結構上講，IGBT主要有三個發展方向：1）IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型；2）IGBT柵極結構：平面柵機構、Trench溝槽型結構；3）硅片加工工藝：外延生長技術、區熔硅單晶；其發展趨勢是：①降低損耗②降低生產成本總功耗＝通態損耗(與飽和電壓VCEsat有關)+開關損耗(EoffEon)。Econo封裝(俗稱“平板型”):分為EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之類的。廣西Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊品質優異

斬波IGBT模塊:以FD開頭。其實這個完全可以使用FF半橋來替代。只要將另一單元的IGBT處于關閉狀態。上海SKM300GB12T4IGBT模塊優勢現貨庫存

很難裝入PEARSON探頭，更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延時會比較大，而且當電流變化率超過3600A/μs時，Rogowski-coil會有比較明顯的誤差。關于測試探頭和延時匹配也可同儀器廠家確認。圖3-1IGBT關斷過程DUT：FF600R12ME4;CH2（綠色）-VGE，CH3（藍色）-ce，CH4（紅色）-Ic圖3-2IGBT開通過程首先固定電壓和溫度，在不同的電流下測試IGBT的開關損耗，可以得出損耗隨電流變化的曲線，并且對曲線進行擬合，可以得到損耗的表達式。該系統的直流母線電壓小為540V，高為700V。而系統的IGBT的結溫的設計在125℃和150℃之間。分別在540V和700V母線電壓，及125℃和150℃結溫下重復上述測試，可以得到一系列曲線，如圖4所示。圖4：在不同的電流輸入條件下，以電壓和溫度為給定條件的IGBT的開關損耗曲線依據圖4給出的損耗測試曲線，可以依據線性等效的方法得到IGBT的開通損耗和關斷損耗在電流，電壓，結溫下的推導公式。同理也可以得到Diode在給定系統的電壓，電流，結溫設計范圍內的反向恢復損耗的推導公式：圖5：在不同的電流輸入條件下。上海SKM300GB12T4IGBT模塊優勢現貨庫存