具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。山東IGBT單管可控硅（晶閘管）MACMIC原裝現貨

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優點功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進口貼片元件，保證觸發控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導熱性能好，熱循環負載次數高于國家標準近10倍；采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。（3）觸發控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA儀表信號，均可實現對主電路輸出電壓進行平滑調節；可手動、儀表或微機控制。（6）適用于阻性和感性負載。寧夏高壓igbt驅動模塊可控硅（晶閘管）宏微全新原裝大功率igbt高壓可控硅晶閘管現貨銷售；

當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管，圖2晶閘管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig，則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2）很小。

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高其電流放大系數a2，產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1，產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0，即使此時門極電流Ig=0，晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。特性特性曲線晶閘管的陽極電壓與陽極電流的關系，稱為晶閘管的伏安特性，如圖所示。晶閘管的陽極與陰極間加上正向電壓時，在晶閘管控制極開路(Ig=0)情況下，開始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經可以達到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發電流**大值為2000A，觸發電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件。大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。河北脈沖可控硅（晶閘管）原廠原盒

IGBT逆變器模塊型號齊全歡迎選購；山東IGBT單管可控硅（晶閘管）MACMIC原裝現貨

若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷晶閘管。若用于鋸齒波發生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導晶閘管。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路，可選用光控晶閘管。2．選擇晶閘管的主要參數：晶閘管的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。所選晶閘管應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍。晶閘管的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各項要求，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結。山東IGBT單管可控硅（晶閘管）MACMIC原裝現貨