3、任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測：將數字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數值為比較大；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為比較大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性，萬用表兩次所測的數值都為比較大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。開關頻率比較大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關頻率。北京Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊快速發貨

igbt模塊結溫變化會影響哪些因素?結溫是指IGBT模塊內部結構的溫度，它的變化會影響IGBT模塊的電性能、可靠性和壽命等多個方面。本文將從以下幾個方面詳細介紹IGBT模塊結溫變化對模塊性能的影響。1.IGBT的導通損耗和開關損耗當IGBT模塊結溫升高時，其內部電阻變小，導通損耗會減小，而開關損耗則會增加。當結溫升高到一定程度時，開關損耗的增加會超過導通損耗的減小，導致總損耗增加。因此，IGBT模塊的結溫升高會導致模塊的損耗增加，降低模塊的效率。2.熱應力和機械應力IGBT模塊的結溫升高會導致模塊內部產生熱應力和機械應力。熱應力是由于熱膨脹引起的，會導致模塊內部元器件的變形和應力集中，從而降低模塊的可靠性和壽命。機械應力則是由于模塊內部結構的膨脹和收縮引起的，會導致模塊的包裝材料產生應力，從而降低模塊的可靠性和壽命。3.溫度對IGBT的壽命的影響IGBT模塊的結溫升高會導致模塊內部元器件的老化速度加快，從而降低模塊的壽命。IGBT的壽命是與結溫密切相關的，當結溫升高到一定程度時，IGBT的壽命會急劇降低。江蘇MACMIC宏微IGBT模塊國內經銷英飛凌IGBT模塊選型主要是根據工作電壓，工作電流，封裝形式和開關頻率來進行選擇。

少數載流子）對N-區進行電導調制，減小N-區的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態壓降。當柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷。由此可知，IGBT的驅動原理與MOSFET基本相同。①當UCE為負時：J3結處于反偏狀態，器件呈反向阻斷狀態。②當uCE為正時：UCUTH，絕緣門極下形成N溝道，由于載流子的相互作用，在N-區產生電導調制，使器件正向導通。1)導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET的結構十分相似，主要差異是JGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件（有兩個極性的器件）?；膽迷诠荏w的P、和N+區之間創建了一個J，結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道便形成，同時出現一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在，則J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區內，并調整N-與N+之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，并啟動了第二個電荷流。的結果是在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流（MOSFET電流）。

反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用范圍。IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流限制，其佳值一般取為15V左右。動態特性動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT處于導通態時，由于它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on)可用下式表示：：Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh式中Uj1——JI結的正向電壓，其值為～1V；Udr——擴展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。通態電流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流過MOSFET的電流。由于N+區存在電導調制效應，所以IGBT的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT通態壓降為2～3V。IGBT處于斷態時，只有很小的泄漏電流存在。IGBT在開通過程中。IGBT工作電流能有150A，200A，300A，400A，450A。

同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術的不斷發展，芯片的高工作結溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進。模塊技術發展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要應用領域作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的技術部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應用于電動汽車領域中以下幾個方面：A）電動控制系統大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅動汽車電機。英飛凌IGBT模塊是按殼溫Tc=80℃或100℃來標稱其比較大允許通過的集電極電流（Ic)。江蘇MACMIC宏微IGBT模塊國內經銷

拓撲圖與型號的關系:型號開頭兩個字母或數字決定。北京Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊快速發貨

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流。北京Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊快速發貨