二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。上海寅涵智能科技專業供應IXYS艾賽斯快恢復二極管，歡迎咨詢。廣東Microsemi美高森美快恢復二極管庫存充足

    二極管是什么類型？

二極管是一種電子元件，它具有兩種工作狀態：正向偏置和反向偏置。在正向偏置狀態下，二極管允許電流通過；而在反向偏置狀態下，二極管阻止電流通過。這種單向導電特性使得二極管成為電子電路中的基本構建模塊之一。

二極管有多種類型，以下是一些常見的二極管類型：

1.整流二極管：這類二極管主要用于整流，即將交流電（AC）轉換為直流電（DC）。

2.齊納二極管：齊納二極管是一種限壓二極管，用于穩定電壓。當施加在二極管兩端的電壓達到某一特定值時，齊納二極管將開始導通。

3.開關二極管：開關二極管是一種高速開關元件，用于高速開關應用。它們具有較低的電容和快速的開關速度，適合高頻應用。

4.肖特基二極管：肖特基二極管是一種低壓降二極管，具有快速開關速度和較低的正向電壓降。它們通常用于高頻開關應用和低壓應用。5.發光二極管（LED）：發光二極管是一種特殊類型的二極管，當電流通過時，它會發出光線。它們廣泛應用于顯示器、指示燈和照明設備。 江蘇三社二極管庫存充足上海寅涵智能科技供應大功率二極管，品質佳服務好，歡迎聯系。

電容C2始終接入電路，此時振蕩頻率降低。4．同類電路工作原理分析如圖所示，電路中的VD1為開關二極管，控制電壓通過R1加到VD1正極，控制電壓是一個矩形脈沖電壓，波形見圖中所示。當控制電壓為0V時，VD1不能導通，相當于開路，這時對L1和C1、L2和C2電路沒有影響；當控制電壓為高電平時，控制電壓使開關二極管VD1導通，VD1相當于通路，電路中A點的交流信號通過導通的VD1和電容C3接地，等于將電路中的A點交流接地，使L2和C2電路不起作用。從上述分析可知，電路中的二極管VD1相當于一只開關，控制電路中的A點交流信號是否接地。二極管檢波電路及故障處理如圖9-48所示是二極管檢波電路。電路中的VD1是檢波二極管，C1是高頻濾波電容，R1是檢波電路的負載電阻，C2是耦合電容。圖9-48二極管檢波電路1．電路分析準備知識眾所周知，收音機有調幅收音機和調頻收音機兩種，調幅信號就是調幅收音機中處理和放大的信號。見圖中的調幅信號波形示意圖，對這一信號波形主要說明下列幾點：1）從調幅收音機天線下來的就是調幅信號。2）信號的中間部分是頻率很高的載波信號，它的上下端是調幅信號的包絡，其包絡就是所需要的音頻信號。3）上包絡信號和下包絡信號對稱，但是信號相位相反。

則指給定反向漏電流條件下的電壓值。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關電源中。（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA。整流二極管損壞原因編輯（1）防雷、過電壓保護措施不力。整流裝置未設置防雷、過電壓保護裝置，即使設置了防雷、過電壓保護裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管。（2）運行條件惡劣。間接傳動的發電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發電機長期處于高轉速下運行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作。IXYS艾賽斯二極管國內經銷商找哪家，推薦咨詢上海寅涵智能科技。

沒有高到讓外接的二極管處于導通狀態，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導通，其導通后的內阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現很大的現象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險。加到VT1基極的交流信號負半周信號幅度很大時，對VT1沒有燒壞的影響，因為VT1基極上負極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發對VD1、VD2、VD3二極管電路進一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時的電路工作狀態。上海寅涵智能科技專業供應整流橋二極管，歡迎咨詢。甘肅英飛凌可控硅二極管庫存充足

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外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子。廣東Microsemi美高森美快恢復二極管庫存充足

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