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廣州定制ESD保護二極管SR24D3BL型號報價

來源: 發布時間:2025-02-15

        ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此,這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器(LPF),因此ESD保護二極管會造成插入損耗(IL),降低信號質量,取決其速度(特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質量)。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統時,對后面器件(如IC)的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管,浪涌電流全部直接流入敏感器件,造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管,大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態電阻(Rdyn)表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態電流ESD保護二極管能將更多浪涌電流分流到GND。這種二極管也有助于降低動態電阻,即端子之間電阻的電壓(稱為鉗位電壓)。ESD保護二極管動態電阻低,可減小流入受保護器件(DUP)的浪涌電流,從而為DUP提供更可靠保護。高效保護:ESD靜電保護管采用了多種保護措施,可以有效地防止靜電放電對電子元器件造成的損害。廣州定制ESD保護二極管SR24D3BL型號報價

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        反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下(通常定義為1mA,盡管因器件而異)開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時,反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管,IR按工作峰值反向電壓(VRWM)定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節(圖6.1)所示,峰值脈沖電流使用8/20μs波形。動態電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。常規ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格星河微ESD靜電保護二極管具有高性價比,可以幫助用戶降低運營成本,提升設備的可靠性延長設備的使用壽命。

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      ESD保護二極管是一種基于PN結的半導體器件,其工作原理是在正常工作條件下呈現高阻抗狀態,而在靜電放電事件中,能夠迅速導通并將電荷釋放到地線,從而保護電子設備免受靜電放電的損害。當外部接口電壓超過ESD二極管的擊穿電壓時,二極管開始起作用,將電流分流到地,防止電壓超過內部電路的承受能力。ESD保護二極管具有快速響應能力,能夠在極短的時間內導通并釋放靜電能量。由于其獨特的設計和工作原理,ESD保護二極管能夠提供可靠的保護,防止電子設備因靜電放電而受損。

  SR24D3BL型號的主要特點有以下幾點:工作電壓范圍廣,可適用于多種電路;高峰值脈沖電流,能有效保護電路免受靜電放電的影響,低反向漏電流,不會對電路產生過大的影響。SR24D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在24V以下的場景,如電視機、電腦、路由器等小型電子設備。SR12D3BL型號是一種12V的ESD保護二極管,其的峰值脈沖電流為5A,反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝,體積小、重量輕,適合用于小型電子設備中。工作電壓范圍廣,可適用于多種電路。多層二極管:由多個二極管層疊而成,提供更高的ESD保護能力。

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      低動態電阻(RDYN)低鉗位電壓(VC)和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ,ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓(VBR)時,漏電流增加。電壓接近VBR時,漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流(IR)隨反向電壓(VR)成指數增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導通。此時,pn結交界面形成耗盡層,耗盡層在電氣上起電容的作用。因此,除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上,正確選擇ESD保護二極管,否則信號質量會下降。電子設備的電源電壓出現異常升高或受到外部浪涌電壓的沖擊,ESD 保護二極管可以在一定程度上限制電壓上升。廣州常規ESD保護二極管SR15D3BL型號售價

在PCB布局時,應將ESD保護二極管靠近ESD進入點放置,如靠近連接器。廣州定制ESD保護二極管SR24D3BL型號報價

        電容大的二極管插入損耗高(如圖所示,特性曲線負值變化較大),從而限制了可使用的頻率范圍。例如,在Thunderbolt(帶寬為10Gbps,相當于5GHz的頻率)的情況下,電容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保護二極管插入損耗小,幾乎不會影響二極管傳輸的信號,而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大,通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時,二極管因pn結(p:p型半導體,n:n型半導體)形成耗盡層產生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓(VBR),但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯時,它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(Ct)ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。廣州定制ESD保護二極管SR24D3BL型號報價

標簽: ESD保護二極管