ESD保護二極管總電容（C(T)）相對于受保護信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質量會下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。星河微ESD靜電保護二極管采用了優越的技術和材料可以快速地吸收和釋放靜電放電，從而保護設備免受損害。廣州常規ESD保護二極管SR08D3BL型號售價

   SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL，SR24D3BL的電壓等級更高，因此適用于需要更高電壓保護的應用場景，如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。深圳標準ESD保護二極管SR18D3BL型號價格采用高壓抑制器件，可以很好地抑制靜電放電的高壓脈沖。

      ESD保護二極管能夠確保設備接口（如USB、HDMI、充電口等）在受到靜電沖擊時，內部電路不受損害。在汽車電子系統中，ESD保護二極管用于保護ECU（電子控制單元）、傳感器、執行器等重要部件免受靜電和電磁干擾。由于汽車環境復雜多變，ESD保護二極管需要具備高可靠性和耐久性。包括PLC（可編程邏輯控制器）、變頻器、伺服驅動器等，這些設備在工業環境中可能受到各種形式的靜電放電影響。ESD保護二極管能夠確保設備的穩定運行，減少因靜電放電導致的故障和停機時間。ESD保護二極管能夠防止靜電放電對信號線路造成干擾或損害。包括路由器、交換機、光纖收發器等，這些設備在數據傳輸過程中需要保證信號的完整性和穩定性。

      低動態電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質量會下降。ESD 保護二極管可以在靜電放電瞬間迅速導通，將靜電電流引導到地，從而保護電子設備中的敏感元件。

       TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性。ESD保護二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓），ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時，漏電流增加。電壓接近V(BR)時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（I(R)）隨反向電壓（V(R)）成指數增長。選擇V(RWM)高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。齊納二極管在超過其齊納電壓時導通，用于限制電壓峰值。廣東定制ESD保護二極管SR08D3BL報價

多層二極管：由多個二極管層疊而成，提供更高的ESD保護能力。廣州常規ESD保護二極管SR08D3BL型號售價

        電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（Ct）ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。廣州常規ESD保護二極管SR08D3BL型號售價