一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E表示擴展工業級，A表示航空級，M表示**級。封裝----指出產品的封裝和管腳數有些IC型號還會有其它內容:速率----如memory，MCU，DSP，FPGA 等產品都有速率區別，如-5，-6之類數字表示。工藝結構----如通用數字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否環保-----一般在型號的末尾會有一個字母來表示是否環保，如z，R，+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸的，如tube，T/R，rail，tray等。版本號----顯示該產品修改的次數，一般以M為***版本。| 先進技術在手，無錫微原電子科技的芯片解決方案。福建現代化集成電路芯片

外媒聲音

1、日本《日經亞洲評論》8月12日文章稱，中國招聘了100多名前臺積電工程師以力爭獲得芯片（產業）**地位 。作為全世界比較大的芯片代工企業，臺積電成為中國（大陸）求賢若渴的芯片項目的首要目標。高德納咨詢半導體分析師羅杰·盛（音）說：“中國芯片人才依然奇缺，因為該國正在同時開展許多大型項目。人才不足是制約半導體發展的瓶頸。  

2、華為消費者業務CEO余承東近日承認，由于美國對華為的第二輪制裁，到9月16日華為麒麟**芯片就將用光庫存。在芯片危機上華為如何破局，美國CNBC網站11日分析稱，華為有5個選擇，但同時“所有5個選擇都面臨重大挑戰”。 

3、德國《經濟周刊》表示，以半導體行業為例，盡管中國芯片需求達到全球60％，但中國自產的只有13％。路透社稱，美國對華為打壓加劇，中國則力推經濟內循環，力爭在高科技領域不受制于人。 鎮江通用集成電路芯片| 無錫微原電子科技，芯片技術演繹科技魅力。

從20世紀30年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管、激光、太陽能電池和比較高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。

在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（“die”）。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之后，設備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本 產品的制造成本的25%，但是對于低產出，大型和/或高成本的設備，可以忽略不計。在2005年，一個制造廠（通常稱為半導體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設費用要超過10億美元，因為大部分操作是自動化的。| 無錫微原電子科技，集成電路芯片的可靠伙伴。

晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低，這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。封裝將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等**因素來決定的。測試、包裝經過上述工藝流程以后，芯片制作就已經全部完成了，這一步驟是將芯片進行測試、剔除不良品，以及包裝。| 無錫微原電子科技，讓集成電路芯片更加穩定可靠。北京加工集成電路芯片

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  集成電路技術的進步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數量每兩年翻一番，這種趨勢被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個方面都得到改善。每個晶體管的成本和每個晶體管的開關功耗下降，而存儲容量和速度上升，這是通過丹納德標度定義的關系實現的。 因為速度、容量和功耗的提高對**終用戶來說是顯而易見的，所以制造商之間在使用更精細的幾何結構方面存在激烈的競爭。多年來，晶體管尺寸已經從 20 世紀 70 年代早期的 10 微米減小到 2017 年的 10 納米[20]每單位面積的晶體管數量相應地增加了百萬倍。截至 2016 年，典型的芯片面積從幾平方毫米到大約 600 平方毫米，高達 2500 萬晶體管每平方毫米。福建現代化集成電路芯片

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