正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)與自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現(xiàn)貨

沒(méi)有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會(huì)將集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)分流到地，對(duì)信號(hào)造成衰減，顯然這一電路中不需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行這樣的衰減，所以從這個(gè)角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會(huì)高到讓VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號(hào)，通過(guò)電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號(hào)幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會(huì)使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險(xiǎn)。加到VT1基極的交流信號(hào)負(fù)半周信號(hào)幅度很大時(shí)，對(duì)VT1沒(méi)有燒壞的影響，因?yàn)閂T1基極上負(fù)極性信號(hào)使VT1基極電流減小。5）通過(guò)上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護(hù)二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對(duì)VD1、VD2、VD3二極管電路進(jìn)一步分析，分析如果符合邏輯，可以說(shuō)明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號(hào)的幅度分兩種情況：1）信號(hào)幅度比較小時(shí)的電路工作狀態(tài)。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現(xiàn)貨控制電路由一片或多片半導(dǎo)體芯片組成。

也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性要好。當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開(kāi)與關(guān)功能。開(kāi)關(guān)二極管就是利用這種特性，且通過(guò)制造工藝，開(kāi)關(guān)特性更好，即開(kāi)關(guān)速度更快，PN結(jié)的結(jié)電容更小，導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻更小，截止時(shí)的電阻很大。如表9-41所示是開(kāi)關(guān)時(shí)間概念說(shuō)明。表開(kāi)關(guān)時(shí)間概念說(shuō)明2．典型二極管開(kāi)關(guān)電路工作原理二極管構(gòu)成的電子開(kāi)關(guān)電路形式多種多樣，如圖9-46所示是一種常見(jiàn)的二極管開(kāi)關(guān)電路。圖9-46二極管開(kāi)關(guān)電路通過(guò)觀察這一電路，可以熟悉下列幾個(gè)方面的問(wèn)題，以利于對(duì)電路工作原理的分析：1）了解這個(gè)單元電路功能是步。從圖8-14所示電路中可以看出，電感L1和電容C1并聯(lián)，這顯然是一個(gè)LC并聯(lián)諧振電路，是這個(gè)單元電路的基本功能，明確這一點(diǎn)后可以知道，電路中的其他元器件應(yīng)該是圍繞這個(gè)基本功能的輔助元器件，是對(duì)電路基本功能的擴(kuò)展或補(bǔ)充等，以此思路可以方便地分析電路中的元器件作用。2）C2和VD1構(gòu)成串聯(lián)電路，然后再與C1并聯(lián)。

把交流電變成脈動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項(xiàng)用整流二極管的主要依據(jù)。二極管特性曲線整流二極管常用參數(shù)編輯（1）大平均整流電流IF：指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過(guò)二極管的平均電流不能大于此值，并要滿(mǎn)足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。（2）高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸ＭǔＨ》聪驌舸╇妷?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V（3）大反向電流IR：它是二極管在高反向工作電壓下允許流過(guò)的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡摹Ｒ虼诉@個(gè)電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。

所以依據(jù)這一點(diǎn)可以確定這一電路是為了穩(wěn)定電路中A點(diǎn)的直流工作電壓。3）電路中有多只元器件時(shí)，一定要設(shè)法搞清楚實(shí)現(xiàn)電路功能的主要元器件，然后圍繞它進(jìn)行展開(kāi)分析。分析中運(yùn)用該元器件主要特性，進(jìn)行合理解釋。二極管溫度補(bǔ)償電路及故障處理眾所周知，PN結(jié)導(dǎo)通后有一個(gè)約為（指硅材料PN結(jié)）的壓降，同時(shí)PN結(jié)還有一個(gè)與溫度相關(guān)的特性：PN結(jié)導(dǎo)通后的壓降基本不變，但不是不變，PN結(jié)兩端的壓降隨溫度升高而略有下降，溫度愈高其下降的量愈多，當(dāng)然PN結(jié)兩端電壓下降量的值對(duì)于，利用這一特性可以構(gòu)成溫度補(bǔ)償電路。如圖9-42所示是利用二極管溫度特性構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路。圖9-42二極管溫度補(bǔ)償電路對(duì)于初學(xué)者來(lái)講，看不懂電路中VT1等元器件構(gòu)成的是一種放大器，這對(duì)分析這一電路工作原理不利。在電路分析中，熟悉VT1等元器件所構(gòu)成的單元電路功能，對(duì)分析VD1工作原理有著積極意義。了解了單元電路的功能，一切電路分析就可以圍繞它進(jìn)行展開(kāi)，做到有的放矢、事半功倍。1．需要了解的深層次電路工作原理分析這一電路工作原理需要了解下列兩個(gè)深層次的電路原理。1）VT1等構(gòu)成一種放大器電路，對(duì)于放大器而言要求它的工作穩(wěn)定性好。目前，市場(chǎng)上有光伏防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類(lèi)型可供選擇。山東定制Sirectifier矽萊克二極管模塊工廠直銷(xiāo)

當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現(xiàn)貨

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現(xiàn)貨