此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側上的晶體管。此外，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應當注意，本領域技術人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實施例的實際實現在本領域技術人員的能力范圍內。根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。通常，在所附權利要求中，所使用的術語不應被解釋為將權利要求限制于說明書和權利要求中公開的特定實施例，而是應被解釋為包括權利要求所要求保護的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權利要求不受本公開的限制。發光二極管芯片陣列固定在印刷電路板的一個面上。福建常見二極管

    所述二極管結構包括覆蓋所述襯底和所述溝槽的傳導層，所述傳導層電連接到所述襯底以及電連接到所述一傳導區域和所述第二傳導區域。在一些實施例中，所述傳導層與所述襯底接觸或者與所述襯底分離小于300nm。在另一方面，提供了一種二極管。該二極管包括：襯底，具有一溝槽；陰極和陽極，耦合到所述襯底；一傳導區域，位于所述溝槽中并且與所述襯底分離一距離，所述一距離短于10nm；以及第二傳導區域，位于所述溝槽中并且比所述一傳導區域更深地延伸。在一些實施例中，所述襯底包括第二溝槽，所述二極管進一步包括：至少一個晶體管，具有在所述一溝槽和所述第二溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，所述一傳導區域限定所述至少一個晶體管的柵極。在一些實施例中，所述二極管包括：傳導層，覆蓋所述襯底以及所述一溝槽和所述第二溝槽；以及接觸區域，形成在所述襯底中并且將所述溝道區域電連接到所述傳導層。在一些實施例中，所述一傳導區域和所述第二傳導區域是半導體區域，所述溝道區域和所述一傳導區域摻雜有相反的導電類型。在一些實施例中，所述二極管包括漏極區域，所述漏極區域在所述溝道區域下方以及在所述一溝槽和所述第二溝槽之間延伸在一些實施例中。浙江優勢二極管代理商在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。

    導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。[4]當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向導通壓降約為，鍺二極管的正向導通壓降約為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導體器件之一，其應用也非常廣。二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降為，黃色發光二極管的壓降為—，綠色發光二極管的壓降為—，正常發光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。

    本公開一般地涉及電子電路，更具體地涉及二極管結構和二極管。背景技術：在某些應用中，例如在功率電子應用中，期望二極管能夠利用二極管兩端盡可能低的電壓降來在正向電流中傳導高值，例如大于1a、或者甚至大于100a。進一步期望二極管在反向偏置時傳導盡可能低的電流。進一步期望二極管能夠阻擋電流流動來獲得高反向電壓值，例如大于10v、或甚至大于100v。技術實現要素：一個實施例提供了克服已知二極管結構的全部或部分的缺點。一個實施例提供了能夠獲得具有較大反向電壓或雪崩電壓的二極管的結構，相對于已知的二極管，正向電壓降和/或漏電流得到改善。在一個方面，提供了一種二極管結構。該二極管結構包括：襯底，具有溝槽；一傳導區域，位于所述溝槽中并且與所述襯底分離一距離，所述一距離短于10nm；以及第二傳導區域，位于所述溝槽中并且比所述一傳導區域更深地延伸。在一些實施例中，所述第二傳導區域與所述襯底分離第二距離，所述第二距離大于所述一距離。在一些實施例中，所述二極管結構進一步包括：一電介質層，將所述一傳導區域與所述襯底分離；以及第二電介質層，將所述第二傳導區域與所述襯底分離。在一些實施例中，所述襯底是半導體。在一些實施例中。內置控制電路發光二極管點陣顯示模塊。進口二極管值得推薦

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。福建常見二極管

    促使整流管加速老化，并被過早地擊穿損壞。（3）運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設備安裝或制造質量不過關。由于發電機組長期處于較大的振動之中運行，使整流管也處于這一振動的外力干擾之下；同時由于發電機組轉速時高時低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便地加速了整流管的老化、損壞。（5）整流管規格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成整流管擊穿損壞。（6）整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發電機勵磁回路中發生的過電壓或過電流暫態過程峰值的襲擊而損壞。整流二極管代換編輯整流二極管損壞后，可以用同型號的整流二極管或參數相同其它型號整流二極管代換。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管。福建常見二極管