外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。[1]二極管原理應用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型，因此結電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。4.續流在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。5.檢波檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結構為點接觸型。其結電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。6.阻尼阻尼二極管多用在高頻電壓電路中。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。江蘇加工美高森美快恢復二極管值得推薦

    快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode），具有正向壓降低（）、反向恢復時間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。肖特基二極管和快恢復二極管區別：前者的恢復時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復時間大約為幾納秒！前者的優點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極管！快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V），通態壓降，小于10nS的反向恢復時間。它是有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。江蘇加工美高森美快恢復二極管值得推薦超快恢復二極管SRD （Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二極管基礎上發展而成的。

    4.模塊基板的形狀與接觸熱阻模塊的熱量要通過基板傳導出去，因此，模塊基板與散熱器接觸的好壞，即模塊基板與散熱器的接觸熱阻直接影響模塊的散熱效果。若模塊焊接的工藝不合理，基板通常會產生中間向下凹的現象，因此，當將模塊固定在散熱器上時，模塊的中間部分不能與散熱器很好地接觸，使散熱器不能充分發揮作用，導致模塊無法通過額定電流，通過很小的電流就會燒毀。5.模塊的電流容量由于模塊是單面散熱，若模塊的電流容量做得過大，其消耗的功率必將增大，當模塊電流容量達到一定的數值時，要求模塊與散熱器之間的熱阻非常小，這是采用常規的散熱方法所無法達到的。特別是對于大電流模塊，用于散熱的基板面積很大，要保證模塊基板的整個平面與散熱器具有良好的接觸，單靠模塊的幾個緊固螺栓是很難達到的。若接觸不良或局部接觸不上，模塊與散熱器的接觸熱阻將增加幾倍或幾十倍以上，模塊的電流量將下降。所以，某些模塊雖然標稱幾千安的電流容量，而在實際應用中很難達到其標稱額定電流容量，因此，模塊并不是電流越大越好。

    而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。肖特基二極管和穩壓二極管的區別肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。

    模塊化結構提高了產品的密集性、2d228d66-1f57-4754-a977-a1b和可靠性，同時也可降低裝置的生產成本，縮短新產品進入市場的周期，提高企業的市場競爭力。由于電路的聯線已在模塊內部完成，因此，縮短了元器件之間的連線，可實現優化布線和對稱性結構的設計，使裝置線路的寄生電感和電容參數降低，有利于實現裝置的高頻化。此外，模塊化結構與同容量分立器件結構相比，還具有體積小、重量輕、結構緊湊、外接線簡單、便于維護和安裝等優點，因而縮小了裝置的何種，降低裝置的重量和成本，且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與裝置內各種模塊共同安裝在一個接地的散熱器上，有利于裝置體積的進一步縮小，簡化裝置的結構設計。常州瑞華電力電子器件有限公司根據市場需求，充分利用公司近二十年來專業生產各類電力半導體模塊的工藝制造技術，設計能力，工藝和測試設備以及生產制造經驗，于2006年開發出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機、大功率開關電源、不停電電源、高頻感應加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關模塊”(其型號為MDST)的基礎上。正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。江蘇加工美高森美快恢復二極管值得推薦

對管內部包含兩只快恢復二極管，根據兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。江蘇加工美高森美快恢復二極管值得推薦

    [4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續工作時，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負電極（1）觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。[7]（2）觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環，帶色環的一端則為負極。[7]（3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負極。[7]2.檢測高反向擊穿電壓。對于交流電來說，因為不斷變化，因此高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。江蘇加工美高森美快恢復二極管值得推薦

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