1988-1991，集電極額定電流為Tcase=80℃時值）“1”、“2”表示***代IGBT產品（1992-1996，集電極額定電流為Tcase=25℃時值）;600V產品：集電極額定電流為Tcase=80℃時值。“3”表示第二代IGBT產品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V為***代NPT型。600V產品：集電極額定電流為Tcase=80℃時值。1200V與1700V產品：集電極額定電流為Tcase=25℃時值。“4”表示高密度、低保和壓降NPT型IGBT（1200V、1700V）。“5”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）。“6”表示溝道式NPT型IGBT。第八單元：表示IGBT模塊特點，“D”表示快速回復二極管。“K”表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端子。“L”表示六單元外殼帶焊接端子。上一篇：IGBT模塊與MOSFET的工作原理相同和不同下一篇：IGBT與MOSFET的區別。IGBT模塊還具有低功耗、高可靠性、高效率、低噪聲等優點。重慶模塊構件

    本實用新型涉及驅動電路技術領域，具體是風電變流器的igbt驅動電路。背景技術：風電變流器系統電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關速度快，產生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運行，甚至損壞igbt模塊，為了提高抗干擾能力，有以下兩種解決方案：1）、采用光纖傳遞控制信號，控制電路弱信號與igbt模塊的強信號實現電氣完全隔離，抗干擾能力強，可靠性高，但是光纖成本昂貴；2）、通常采用**的驅動器和驅動芯片，例如風電**驅動器2sd300，采用專業的調制與解調芯片，通過脈沖變壓器傳遞驅動信號，抗干擾能力強，可靠性高，大量應用于風電變流器領域。以上兩種方案雖然解決了風電變流器emc抗干擾問題，但是成本相對較高，較為經濟的解決方案是采用光耦來實現電氣隔離，但是光耦的原邊一般采用低壓電路（15v或者5v），容易受干擾。另外，大功率igbt模塊在運行過程中產生高的di/dt和du/dt，會導致igbt模塊上下管門極誤觸發，導致igbt模塊上下管直通，產生短路電流，如果不及時保護就會導致igbt模塊損壞，嚴重影響變流器正常運行。技術實現要素：本實用新型的目的在于提供風電變流器的igbt驅動電路。江西大規模模塊推薦貨源在國際節能環保的大趨勢下，IGBT下游的風電產業、光伏和新能源汽車等領域還在迅速發展。

    圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設置在溝道區，第二氧化層22設置在非溝道區，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現有技術相比，本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現有技術中的厚度，因此本實施例的結電容更小。需要說明的是，本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。

    本實用新型涉及半導體領域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術：igbt隨著結構設計和工藝技術的升級，主流產品已經從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現有技術中溝槽柵結構的制作方法如圖3所示，先在半導體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續在溝槽內沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結構雖然相比平面柵結構電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結構帶來的結電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景。技術實現要素：本實用新型為解決現有技術中溝槽柵igbt結電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結構。本實用新型采用的技術方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面內設置兩個溝槽柵結構；兩個溝槽柵結構，兩個所述溝槽柵結構對稱，溝槽內設置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設置在溝道區，所述第二氧化層設置在非溝道區，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。

    大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。1．目視電流保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。這樣付出的代價就大了。1．檢查保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否擊穿：用萬用表二極管檔測量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：“E”極與“G”極；“C”極與“G”極，正反測試均不導通(正常)。B：萬用表紅筆接”E“極，黑筆接“C”極有電壓降（型號為GT40T101三極全不通）。3．測量互感器是否斷腳，正常狀態如下：用萬用表電阻檔測量互感器次級電阻約80Ω；初極為0Ω。4．整流橋是否正常（用萬用表二極管檔測試）：A：數字萬用表紅筆接“-”，黑筆接“+”有，調反無顯示。B：萬用表紅筆接“-”，黑筆分別接兩個輸入端均有，調反無顯示。C：萬用表黑筆接“+”，紅筆分別接兩個輸入端均有，調反無顯示。5．檢查電容C301；C302；C303。作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。遼寧模塊類型

在程序操縱下，IGBT模塊通過變換電源兩端的開關閉合與斷開，實現交流直流電的相互轉化。重慶模塊構件

公司從事IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，本公司擁有專業的品質管理人員。專業經營范圍涉及：一般項目：技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣；電子元器件批發；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設備銷售；電力電子元器件銷售；電子設備銷售；電子測量儀器銷售；機械電氣設備銷售；風動和電動工具銷售；電氣設備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產品銷售；半導體照明器件銷售；半導體器件設備銷售；半導體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產品批發；五金產品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設備銷售；辦公設備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機械設備銷售；超導材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環境保護設備銷售；生態環境材料銷售；集成電路設計；集成電路芯片設計及服務（除依法須經批準的項目外，憑營業執照依法自主開展經營活動）等，為了加強自身競爭優勢，引進了先進的生產設備，是集研發、生產、銷售及代理于一體，實行多元化的創新經營方式。隨著電子元器件行業競爭的加劇，市場日趨飽和，粗放式管理的缺陷日益暴露，導致電子元器件行業企業利潤不同程度的下滑，要想滿足行業內客戶個性化的需求，適應未來的發展，就需要不斷提升提高企業自身管理水平以及鍵詞競爭力。隨著科技的發展，IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的需求也越來越旺盛，導致部分電子元器件c產品供不應求。汽車電子、互聯網應用產品、移動通信、智慧家庭、5G、消費電子產品等領域成為中國電子元器件市場發展的源源不斷的動力，帶動了電子元器件的市場需求，也加快電子元器件更迭換代的速度，從下游需求層面來看，電子元器件市場的發展前景極為可觀。電子元器件行業是國家長期重點支持發展的重點產業，各地方政策也是積極招商引資，在土地和稅收上給予行業內企業優惠，支持企業擴建廠房，升級產能，通過同時引進行業內上下游企業，形成產業集群，提升行業運行效率和產業規模，使得行業產能集中度不斷提高，促進行業頭部企業往高精技術、產品研發的進程。重慶模塊構件

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司公司是一家專門從事IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產品的生產和銷售，是一家貿易型企業，公司成立于2022-03-29，位于昆山開發區朝陽東路109號億豐機電城北樓A201。多年來為國內各行業用戶提供各種產品支持。在孜孜不倦的奮斗下，公司產品業務越來越廣。目前主要經營有IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等產品，并多次以電子元器件行業標準、客戶需求定制多款多元化的產品。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司每年將部分收入投入到IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產品開發工作中，也為公司的技術創新和人材培養起到了很好的推動作用。公司在長期的生產運營中形成了一套完善的科技激勵政策，以激勵在技術研發、產品改進等。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司嚴格規范IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產品管理流程，確保公司產品質量的可控可靠。公司擁有銷售/售后服務團隊，分工明細，服務貼心，為廣大用戶提供滿意的服務。